Запоминающее устройство

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Юоеетских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 30.07,8(54) ЗАПОМИ НА 1 О УСТРОЙСТ Изобретение относится к вычислительнои технике и может быть использовано при построении доменных логических и запоминающих устройств.Известно запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), содержащее токовую шину, магнитосвязанную с регистрами ввода-вывода и хранения информации, выполненными из пермаллоевых элементов 1. Перенос ЦМД между регистрами ввода-вывода и хранения информации осуществляется при подаче импульса тока в токовую шину, полярность которого определяет направление переноса. Величина зазора между пермаллоевыми элементами регистров является ограничивающим фактором повышения плотности записи информации прп фиксированной разрешающей способности процессов литографии. Конструкция устройства не позволяет осуществить перенос ЦМД в некоторую часть регистров хранения из регистра ввода-вывода при отсутствии переноса в остальные. регистры хранения.Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающее устройство, которое содержит, как и предложенное, магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой сформированы взаимоортогональные регистр вводавывода и регистры хранения информации на последовательно расположенных непмплантированных смежных дисках, и токовую шину 2. В известном ЗУ перенос 5 ЦМД может осуществляться лишь одновременно во все регистры хранения информации, что снижает функциональные возможности устройства.Цель изобретения - расширение области 10 применения известного ЗУ путем осуществления выборочного переноса ЦМД между регистром ввода-вывода и соответствующими регистрами хранения информации.Поставленная цель достигается путем то го, что токовая шина выполнена из последовательно соединенных проводящих участков разной ширины, каждый из которых магнитосвязан с неимплантированными смежными дисками регистра ввода-вывода 20 и соответствующих регистров хранения информации, причем указанные проводящие участки различаются между собой по ширине не менее чем на 10 Оо величины большей из них.При такой конструкции ЗУ протекающийпо шине ток создает на проводящих участках различной ширины различные условия переноса ЦМД, что позволяет подбором параметров токовых импульсов осуществить выборочный обмен информацией между рс10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 гнстром ввода вывода н либо веемй, либо частью регистров хранения информации,На чертеже изображена схема предло. женного запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой сформированы взаимоортогональные регистр 3 ввода-вывода и регистры 4 хранения информации на последовательно расположенных неимплантированных смежных дисках 5, Токовая шина 6 осуществляет магнитную связь зон 7 и 7", расположеууых между соседними дисками 5 регистра 3 ввода-вывода, с ближайшими к нему зонами 8 и 8" у границ крайних дисков 5 регистров 4 хранения. Проводящий участок 9 шины 6, имеющий меньшую ширину 1, магнитосвязан с зонами 7 и 8, а проводящий участок 10 шины 6, имеющий большую ширины Ь 2, причем справедливоф 2 2 осоотношение 100% ) 10%, магнитосвязан с зонами 7" и 8". Шина б соединена с импульсным источником 11 тока. Пленка 1 находится в параллельном ее плоскости вращающемся магнитном поле источника 12. С регистром 3 ввода-вывода связан генератор 13 ЦМД,Предложенное ЗУ работает следующим образом.Генератор 13 ЦМД подает в регистр 3 ввода-вывода информационную последовательность ЦМД 2, которые под действием вращающегося плоскостного магнитного поля источника 12 перемещаются вдоль периферии неимплантированных смежных дисков 5 к зонам 7 и 7". При протекании по шине 6 импульса тока 1 ее участок 9, линейная плотность тока в котором больше создает больший градиент вертикальной составляющей магнитного поля в объеме пленки 1, чем участок 10. Поэтому для создания градиента вертикальной составляющей магнитного поля, необходимого для переноса ЦМД 2 между зонами 7 и 8, на участке 10 требуется протекание тока амплитуды 1 пор (Е), большей, чем 1 пор (1,) на участке 9. Поэтому в зависимости от величины импульса тока 1, подаваемого в шину 6 источником 11, возможны случаи(пор (1) (пор (а) Перенос ЦМД 2 не осуществляется; пор( (пор (п) Перенос ЦМД 2 осуществляется нз зон 1 в зоны 8, магннтосвязанные с участком 9 шины 6, и отсутствует между зонами 7" и 8", магнитосвязанными с участком 10 шины 6; У(,) (У(Ф,) .Перенос ЦМД 2 происходит из всех зон 7 в зоны 8.Разница между пороговыми значениями ТОКОВ запор (1) И пор (Ь,) дОСтатОЧНО ВЕЛИ- ка для надежного осуществления переноса между зонами 7 и 8 и отсутствия переноса между зонами 7" и 8" во втором случае.Для вывода информации из регистров 4 хранения последовательность ЦМД 2 подводится в зоны 8 и в шину 6 подается импульс тока противоположной полярности. Рассмотрение происходящих при этом процессов аналогично случаю ввода информации в регистры хранения. Формула изобретенияЗапоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой сформированы взаимоортогональные регистр ввода-вывода и регистры хранения информации на последовательно расположенных неимплантированных смежных дисках, и токовую шину, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью расширения области применения путем осуществления выборочного переноса цилиндрических магнитных доменов между регистром ввода-вывода и соответствующими регистрами хранения информации, токовая шина выполнена из последовательно соединенных проводящих участков разной ширины, каждый из которых магнитосвязан с неимплантированными смежными дисками регистра ввода-вывода и соответствующих регистров хранения информации, причем указанные проводящие участки различаются между собой по ширине не менее чем на 10% величины большей из них. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, 1 ЕЕЕ Тгапз. Мадп., 7. МА 6-9,3, 1973, р, 285.2. 1 ЕЕЕ Тгапз. Мадп., Ъ, МА 6-13,б, 1977, р. 1744 (прототип),Заказ 1454/7 Изд.393 Тираж 673 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2