Дыменко

Номер патента: 1238489

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Богданов, Дыменко, Куриленко, Соколов

МПК: F04B 51/00, F25B 19/00, F25D 3/10 ...

Метки: испытаний, криогенного, насоса, стенд

Стенд для испытаний криогенного насоса, содержащий замкнутый контур циркуляции криагента с испытываемым насосом, охладителем и емкостью, заполненной криагентом, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, охладитель выполнен в виде последовательно соединенных испарителя и регенеративного теплообменника, причем контур циркуляции криагента после испарителя снабжен сбросной магистралью, имеющей дроссель и проходящей через упомянутые испаритель и регенеративный теплообменник.

Номер патента: 1222004

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Дыменко, Куриленко, Соколов

МПК: F04B 51/00, F25B 9/02

Метки: испытания, криогенного, насоса

Способ испытания криогенного насоса путем циркуляции через него криогенной жидкости по замкнутому контуру, подпитываемому от источника криогенной жидкости, охлаждения последней после насоса и ее дросселирования, отличающийся тем, что, с целью упрощения испытаний, снижения стоимости и повышения эксплуатационной надежности, охлаждение и дросселирование криогенной жидкости производят раздельно одно за другим, причем дросселирование ведут изотермически, а после него часть дросселированного потока отбирают и направляют соответственно на охлаждение и на процесс дросселирования для обеспечения его изотермичности.

Номер патента: 1429681

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Агапов, Афанасьев, Гудкова, Дыменко, Лапшин, Менжук, Рыбинец, Сальникова, Синченко, Яковлев

МПК: F17C 5/02

Метки: жидкости, заправке, криогенной, подачи

1. Способ подачи криогенной жидкости при заправке расходной емкости из стационарного хранилища, включающий вытеснение криогенной жидкости под давлением газа наддува в расходную емкость с отводом образовавшихся паров через дренажную систему, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности и экономичности, подачу криогенной жидкости осуществляют последовательным вытеснением ее из верхнего, а затем из нижнего слоев хранящегося объема.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вытеснение верхнего слоя осуществляют от его нижней границы прогрева.

Номер патента: 1829989

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Болотько, Дыменко, Рубцов

МПК: B23K 9/00, B23K 9/06

Метки: дуговой, сварки

...установки в этом случае была бы 02 = т(4) - фиг, 8. Но на ток 4 от полуобмотки 3 будет накладываться ток 2 разряда конденсатора 8 (см. фиг. 7, эпюра 2), Конденсатор 8 через диод 9 заряжается до амплитудного значения напряжения обмотки 4. Как только полуволна положительного напряжения в начале обмотки 4 начнет уменьшаться, конденсатор 8 начнет дополнительно к полуобмотке 3 подпитывать током дугу, т,е, через дуговой промежуток пойдет результирующий ток - эпюра 5, фиг. 7, Разряд конденсатора 8 будет происходить по цепи: конденсатор 8, нижняя пластина которого зарядилась отрицательно - диод 14 - дроссель 15 - дуговой промежуток 7 - полуобмотка 2 - конденсатор 8. Внешняя вольт-амперная статистическая характеристика в этом случае...

Номер патента: 1795062

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дыменко, Одринская

МПК: E04H 7/22

Метки: сыпучих, хранилище

...боковой поверхности опоры 3установлены с зазором к ней пластины, Начасти опоры 3 в цилиндрическом корпусе 1 40расположены пластины неподвижные 4, ана части, расположенной в воронке 2, установлены пластины подвижные 5, Каждая подвижная пластина 5 шарнирноприсоединена к опоре 3, При этом, можно 45изменять наклон пластины 5 к оси опоры 3.Для фиксации пластины 5 последняя снабжена тягами 6,В верхней асти корпуса установленоустройство 7 для приемки сыпучего материала 8 и его равномерного расположения попериметру корпуса.Хранилище работает следующим образом.Корпус 1 заполняют сыпучим материалом 8, например зерном, При необходимости получения при разгрузке дозыматериала 8 посредством тяг 6 поднимаютпластины 5, изменяя угол их атаки и материал...

Номер патента: 1787722

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Болотько, Дыменко, Шатан

МПК: B23K 9/095, B23K 9/173

Метки: дуговой, переменным, плавящимся, сварки, током, электродом

...в отрицательную; пахгпах . УГЛЫ ф 1 И О 2 РЕГУЛИРУЮТСЯ бЛО- ком управления 15 раздельно, а поэтому ток в разные полупериоды устанавливается в соответствии со скоростью Чп плавления электрода в разные полупериоды, Это соответствие устанавливается эмпирически для каждого типа электрода или проволоки отдельно ввиду разной скорости их плавления в данный полупериод, Ввиду того, что, как отмечалось выше, напряжение на дуге прак. тицески постоянно, то, цтобы изменить мощность, подводимую в дугу в каждый полупериод, необходимо изменять величину тока, пропускаемого через дуговой промежуток в соответствующий полупериод, а ток дуги в каждый полупериод устанавливаютт ам и и рич ески углами р 1 и р 2 открытия тиристоров 12 и 13. Соотношение...

Номер патента: 1778202

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/10, C30B 7/10

Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца

...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...

Номер патента: 1768363

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Дыменко, Павлов, Шатан

МПК: B23K 9/00

Метки: дуговой, переменным, сварки, током

...(фиг,2) устройства из-за повышенного магнитного потока рассеяния и слабой магнитной связи ме)кду-первйчной 3 и вторичной 5 обмотками будет иметь максимальную крутизну (фиг.2, кривая а) и устройство обеспечит минимальный сварочный ток, При полностью открытыхтиристбрах ключа 6 питающее напряжение поступает на обе первичные обмотки 3 и 4, магнитные потоки от обеихобмоток складываются, образуя сильную магнитную связь первичной 4 и вторичной 5 обмоток, благодаря чему устройство будет иметь жесткую внешнюю характеристику (фиг,2, кривая б) и обеспечит номинальный максимальный) сварочный ток. При всех промежуточных углах открытия тиристоров ключа б получаютсъ фомежуточные значения внешЪИМ" 5 ф 3 ктеристик устройства (фиг.2, кривйе в; г,...

Номер патента: 1754806

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых

...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...

Номер патента: 1747544

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, тантала

...существенны с точки зрения достижения цели изобретения, т,е. до получения максимального выхода монокристаллов оксида тантэ ла, Значение температурного перепадатакже является существенным с точки.зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада ( ЛТ20 С) приводит к уменьшению пересыщения, не обходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристэллов оксида тантала (Ч). Увеличение значения температурного перепада ( ЛТ30 С) 35. способствует интенсивному массопереносуисходной шихты Та 205 в верхнею зону реакционного пространства реактора.Это обстоятельство приводит к сильнойскорости зародышеобразования по сравне нию с ростом криСталлов Та 205 и последниеимеют малые...

Номер патента: 1744214

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Дыменко, Одринская

МПК: E04C 3/00, E04C 3/07

Метки: балка, строительная

...болтами.1 з.п.ф-лы, 3 ил. впадины 5 расположены с переменным шагом, Балка работает следующим образом Соединение Т-образного выступа вертикальной стенки с прямоугольной впадиной полосы работает как на сдвиг, так и на отрыв. Устанавливая полосы с переменным шагом по поясам, можно получать балки Ч различной кривизны в двух плоскостях, на- фЬпример получать при сборке балку спираль-,фЪ, ного вида, ЬЭВыполнение балки из по крайней мере д двух продольных полос позволяет получить р сборно-разборную конструкцию, что приводит к упрощению технологии изготовления конструкций криволинейного профиля. Что касается расположения прямоугольных впа- ф дин для соединения с вертикальной гофрированной стенкой, то их можно устанавливать на полосах в...

Номер патента: 1739918

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Дыменко, Одринская

МПК: A01K 1/00, F24F 7/02

Метки: животноводческое, помещение

...или волокнистого материала, например минваты, соломы, значительнойтолщины, порядка 20 см, проникает внутрь 35помещения по всей его поверхности равномерно, не образуя конденсата, тумана и значительных скоростей перемещениявоздушных потоков, Более того, холодныйвоздух, проходя пористую перегородку, успевает подогреться, подсушиться тепломвоздуха помещения, который за счет воздушной конвекции поднимается вверх ипроникает в пористую перегородку, т.е, пористая перегородка служит утилизатором 45тепла.Установка вытяжной трубы 4 внутри помещения способствует созданию оптимального равномерного по всему объемупомещения поперечного воздухообмена и 50внутреннего разрежения, которое совместно с пористой поверхностью покрытия обеспечивает подсос...

Номер патента: 1726570

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, свинца, хлорида

...многочислен ные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скоро сть конвекционного движения раствора, При введении в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий 1-5 мм скорость конвективного движения раствора 15 при температуре 100-145 С, ЬТ 4-7 С изменялась от 12 до 16 см/с. Указанная величина скорости конвекционного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЬС 2 заданного выхода. Было найдено, что при ЧЧ 12 см/с ЧЧ - скорость конвекционного движения раствора) массоперенос растворенных форм хлорида свинца от границы...

Номер патента: 1723211

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: висмута, монокристаллов, оксида

...висмута, Значение температурного перепада также является существенным с точки зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада (ЬТ 20 С) приводит к уменьшению пересыщения, необходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристаллов оксида висмута. Увеличение же значения температурного перепада ( ЬТ30 С) способствует интенсивному массопереносу исходной шихты(В 20 з) в верхнюю зону реакционного пространства автоклава. Это обстоятельство приводит к высокой скорости зародыше- образования по сравнению с ростом кристаллов ВгОз, которые имеют малые размеры, Так, например, при ЬТ = 32 С и при прочих равных параметрах размер монокристалловоксида висмута составляет не...

Номер патента: 1719168

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Болотько, Дыменко, Пентегов, Шатан

МПК: B23K 9/095

Метки: дуговой, сварки

...16, переключатель 17 с клеммами 18-21, клеммы 22 и 23 сети и тиристорный ключ 24.На фиг.2 показаны шпонки 25, фигурные прижимы 26, стягивающие болты 27 и трубчатые заклепки 28.Устройство работает следующим образом.Пусть на клеммы 22 и 23 подано сетевое напряжение по.цепи; клемма 22 - секция 5 первичной обмотки, расположенной на стержне 6 магнитопровода 2 - секция 3 первичной обмотки расположенной на стержне 4, - дополнительная обмотка 13, расположенная на ярме 10, - дополнительная обмотка 9, расположенной на ярме 12, - клемма 20 переключателя 17 - обмотка 14 - обмотка 10 - клемма 19 - обмотка 15. - обмотка 11 - клемма 18 - клемма 23, Прохождение тока по частям 3 и 5 первичной обмотки способствует наведению во вторичной обмотке 7 ЭДС, так...

Номер патента: 1710603

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: йодида, монокристаллов, свинца

...скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЫ 2 заданного вы хода. Было найдено, что при В/ 14 см/с(Я - скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта -40 45 50 55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ 2.смПри И/ 17 выход монокристалловсРЫ 2, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Такимобразом, интервал 14 И/ 17 - являетсмсся оптимальнымдля получения монокристаллов иодида свинца с заданнымвыходом. Концентрация водного раствораСНзСООН составляет 16-20 мас,%, что всочетании с другими параметрами процессавполне достаточно для растворения шихтыРЫ 2 и образования насыщенного...

Номер патента: 1710602

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, ортотанталата, основе, растворов, сурьмы, твердых

...отношение жидкой и твердой фаз являетсясущественным для поддержания длитель-.ного пересыщения в зоне синтеза, Если,например, взять количество твердой фазы45 по объему равной жидкой, то практическиполучается вязкий раствор, который затрудняет массоперенос и снижает подвижность растворенных компонентов, Этообстоятельство лимитирует синтез и вы 50 ход монокристаллов твердых растворов(ЯЬ 1-, Вх) Та 04,Таким образом, все отличительныепризнаки способа причинно связаны сцелью изобретения и достаточны для его55 осуществления. Нарушение того или иногопараметра приводит к невоспроизводимости предложенного способа. Разработанный способ позволяет синтезироватьмонокристаллы (ЯЬ 1-, Вх) Та 04 с выходом80 - 93 мас.от исходной шихты с содержанием 0,1...

Номер патента: 1710245

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Болотько, Дыменко, Пентегов, Шатан

МПК: B23K 9/095

Метки: сварки, электродуговой

...импульс и этоттириблока 14 управления, первый 15 и второй стор откроется с некоторым углом р(фиг,2) симисторы 16, закорачивающие первичную запаздывания и сварочный ток увеличивает- обмотку 17 вспомогательного трансформа- ся, так как на этом интервале полупериода тора 6 и состоящую из двух полуобмоток 18 35 питание дуги осуществляется только от и 19, при этом точка 20 соединения полуоб- трансформатора 1, имеющего малое внут- моток 18 и 19 соединена с выходом 21 вто- реннее сопротивление (жесткую внешнюю ричной обмотки 5 вспомогательного. характеристику), а трансформатор 6 с его трансформатора 6, другие выводы полуоб-большим внутренним сопротивлением стал моток 18 и 19 соединены через симисторы 40 закороченным тиристором 8...

Номер патента: 1709957

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Одринская, Страхов

МПК: A01G 9/14, A01G 9/24

Метки: выращивания, растений

...каркаса 11 с уложенным на него листовым материалом 12, например 25рубероидом, с образованием полости 13,Емкость 14 для воды установлена в нижнейчасти трубы 4 и обернута герметичным материалом 15, например пленкой, В емкости14 для воды установлен поплавок 16 с расположенным на нем электронагревателем17; поплавок 16 имеет в дне отверстие, Внижней части трубы 4 выше уровня водырасположен клапан 18.Устройство работает следующим образом,При поднятом укрытии 1 в полости 13,образованные внешней поверхностью трубы 4 и поверхностью полок емкостей 5, укладывают субстрат 10, в емкость 14 40наливают воду, в субстрат 10 высаживаютрассаду, клубни или семена и опускают уквых полках, закрепленных ярусами на трубе. Избыток пара выходит через клапаны...

Номер патента: 1690987

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Болотько, Геленидзе, Дыменко, Пентегов, Тадумадзе, Шатан

МПК: B23K 9/06

Метки: переменным, сварки, током

...дуговой промежуток пройдет ток импульса (в интервале 2 - з) стабилизации горен)ия дуги и ток дуги (в интервале 2 - р), определяемый сварочной обмоткой 4 трансформатора 1. Одновременно с прохождением тока через дуговой промежуток, в зазоре 2 магнитопровода накапливается энергия, которая поддерживает дуговой ток в интервале времени 12, когда тиристоры в первичной цепи закрыты.Зазор и вся магнитная система сварочного трансформатора 1 рассчитываются таким образом, чтобы наког)ленной энергии б)ыло достаточно для поддержания сварочного тока, вплоть до открытия другого тиристора ключа б. Конденсатор 8, зарядившись в один полупериод и создав тем самым стабилизирующий горение дуги импульс, остается заряженньгм до открытия второго тиристора...

Номер патента: 1668496

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: nво, где, монокристаллов

...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...

Номер патента: 1660886

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Береговский, Болотько, Дыменко, Конобеев, Пентегов, Стемковский, Шатан

МПК: B23K 9/067

Метки: сварки, электродуговой

...сварки по сигналу датчика б тока и датчика 7 напряжения блок 5 управления прекращает подачу импульсов коммутаторам 3 и 4 и сварочный трансформатор 1 отключается,Нижний предел сварочного тока устройства определяется главным образом величиной индуктивности рассеяния вспомогательного трансформатора 2 (коммутатор 3 полностью закрыт) и задается конкретными технологическими требованиями, Этот предел обычно устанавливается величиной 5 - 10 А (минимально возможный ток существования сварочной дуги). Поэтому вспомогательный трансформатор 2 рассчитывается на сравнительно небольшую мощность (не более 0,5 кВт) и имеет малые массогабаритные показатели. Обмотка питания блока управления выполняется поверх первичной обмотки вспомогательного...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 1656013

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Холов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллического, меди, моноиодида

...трубкой. В свою очередь трубка отведена в кварцевую емкость с водой, Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления, где его40 нагревают до 80 С. Температурный пео . репад поддерживают равным 1 , время выдержки в стационарном режиме 4 сут. Исходная шихта растворяется и конвекционным движением раствора, вызванным45 температурным перепадом, тран спортируется в объем раствора. В результате реакции взаимодействия с водным раствором НВг и за счет суммарного действия температурного перепада и испарения растворителя через капилляр и резиновую трубку происходит быстрее пересыщение раствора растворенными формами монойодида меди с последуюющей его кристаллизацией по всему объему реактора. Выход кристалличес кого монойодида составляет 95,8 Е...

Номер патента: 1643457

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: оксихлорида, теллура

...примере 1,П р и м е р 3. Процесс получениякристаллического оксихлорида теллураосуществляют по примеру 1. Технологические параметры кристаллизации:температура 90 С,. температурный перепад 25 С, концентрация водных растворов НС 1 и КС 10 17 и 2 мас.Х соответственно соотношение жидкой итвердой фаз 3,0;1, а жидких фазУВц ф 1 кСщ= 45:1, Время выдержкив режиме 5 сут. В результате описанного технологического процесса происходит образование кристаллического оксихлорида теллура, выход кото. рого составляет практически 99,6 Хгот массы загрузки.1В таблице приведены .основные технологические параметры получения кристаллического оксихпорида теллура. Вследствие достаточной величины растворимости диоксида теллура в смешанном водном растворе соляной...

Номер патента: 1641900

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы

...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1562364

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/02, C30B 7/10

Метки: висмута, выращивания, монокристаллов

...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...

Номер патента: 1562363

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...

Номер патента: 1491809

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, перекристаллизации, теллура

...до температуры 80 С с температурным перепадом 10 С.Время выдержки кварцевого реактора в стационарном режиме составляет 3 сут. Исходная шихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движением переносится в объем раствора, где эа счет температурного перепада и испарения растворителя происходит кристаллизация диоксида теллура. Выход диоксида теллура составляет 977. от веса исходнойзагрузки. Чистота кристаллов диоксида теллура аналогична той, что в примере 1.П р и м е р 3. Процесс получения кристаллического диоксида теллура осуществляют аналогично примерам1 и 2. Технологические параметрыкристаллизации: температура 100 С,оо,температурный перепад 20 С, концент 35 40 45 50 55 рация водных растворов НС 1 и Н 0соответственно 6 и...