C30B 29/04 — алмаз

Номер патента: 117544

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Сизов, Шубников

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: кристаллизации, углерода

...затр ов проей.верды хиваемомере и,нных в себя устройс ью индукто ой в форме х с катода а распыляе енным с вые ествления в кой частоы для фокусиктромагнитной иц, с целью их ответствующеи осущысо тво для ра токов полусфе 2) с эл 1 ых час мками с способа заключается в том, что по- твердые модификации кристаллов и мет изооретен 1.Гпособ к твердый углер вакуумной или сталлизуют пар ре, на аноде. 2. Устройст с я тем, что, с тода, применяющийся тем, что ливаемый катод в мере, и далее криных в той же камеристаллизации углерода, о т л и ч а ю од распыляюг, помещая его на нак заполненной нейтральным газом к ы углерода на затравках, расположе во для о целью ф т катод ществления способа по п. 1, отл и ч а ю щ ееусирования потока частиц, распыляемых...

Номер патента: 1644996

Опубликовано: 30.04.1991

Автор: Истомин

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: алмазов

...этотвзрыв усилен ускорением процесса в тысячураэ, за счет многоцентровой объемной детонации, вызванной ультразвуком; Оболочкакапсулы под воздействием кумулятивноговзрыва сжимается (схлопывается) внутрь сбольшой начальной скоростью, производясжатие предварительно нагретого электрическим током углеродсодержащего сырья.В целях безопасности обслуживающегоперсонала, а также для усиления еще болеевзрывного воздействия. на капсулу стакан13 с его содержимым помещают в емкость18 (фиг. 5), заполненную диэлектрическойжидкостью 19, например минеральным маслом или водой, Жидкость препятствует разлету продуктов взрыва взрывчатоговещества, тем самым усиливая их воздействие. на сжимаемую капсулу (увеличивает,время удеожания давления и температуры);а...

Номер патента: 1737035

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Дмитрик, Мизяк, Момот, Патон, Притула, Пузиков, Семенов, Семиноженко

МПК: B23K 10/02, C30B 23/02, C30B 29/04 ...

Метки: покрытие, термостойкое

...гексагональных алмазов,имеющих форму эллипсоидов вращения с30 осями 9 - 10 А и 5 - 6 А. Граничные участкимежду ними представляют собой совокупность одиночных тетраэдров. Причем объемграничных участков в 1,4 - 1.6 раза превышает объем упорядоченной области,35 Кроме того, структура кристаллитов является текстурированной - большие оси эллипсоидов ориентированы в направлении0001. Учитывая, что ориентация выделенных направлений связана, видимо, с на 40 правлением передачи энергии и импульсаиона пленке, ориентация больших осей кристаллов 0001 нормальна поверхностипленки, Структура пленки содержит высокую концентрацию дефектов ввиду того, что45 тетраэдры граничных областей не взаимодействуют друг с другом, и степень заполнения ими...

Номер патента: 1813126

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Калинин, Сипягин

МПК: C30B 29/04, C30B 33/04

Метки: кристаллов, упрочнения

...к упрбчнениюкриСталлбв в результате быстрого обжигайапряжений в областях, прилегающих к указаннь 1 м микродефектам,Облучение осуществляют с плотностьюмощнбсти излучения В импульсе определяемой из зависимости;ом-КБВеличина коэффициента К изменяется в диапазоне 2,5 - 4,2 и его изменение обратно пропорцйональнс изменению линейного размера кристалла. Для малых размеров Я = 0,2, К=4,0-4,2, адля 8=2,0-2,8 и К=2.5 - 2,6.Следует Отметить, что если даже принять прямую линейную завйсимость 3 = 0,2 - -К=4,2; Я =2;8 - К= 2,6, для нахождения по известной величине, значений К и псдстановки их в экспериментальную зависимость, то полученная величина р обеспечит эффект упроцнения, но не максимальновозможный, В действительности же зависимость К- Я...

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмаза, выращивания, слоев

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Номер патента: 1610949

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Тарасенко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмазоподобных, пленок

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.

Номер патента: 1137788

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Банеева, Гордеев, Николаенко, Самсонов, Шаталин

МПК: C30B 29/04, C30B 31/20

Метки: алмаза, электропроводного

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1010 Па и температуре 300...