C30B 29/40 — соединения типа A

Номер патента: 126269

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Кокошкин, Миргаловская, Скуднова, Шэнь

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: алюминия, антимоната, проводимости, типа, электросопротивления

...Нелегироваттньтй антимонид алюминиэт обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена И тентлучра несколько увеличивает сопротивлентте антимонида алюминия.В описываемом способе предлагается регулировать сопротивление и тип проводимости антимонида алпомигтття, применяемого в качестве точечных диодов, путем легирования его серой, которую вводят в определенном количестве в качестве донорнотт примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антимонид адтюмиттхтя жи-типа.Введением серы в антимонид алюминия тхтожно регулировать его сопротивление в интервале 1+1 О 4 ом. см. причем материал гт-ТиПа имеет высокое сопротивление в Широком интервале концентрации серы.На образцах, полученных из расплава с содержанием серы, 0,5...

Номер патента: 129338

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Нашельский

МПК: C30B 11/12, C30B 29/40

Метки: компонентов, летучих, полупроводниковых, содержащих

...ДЛЯ Оснсствлсн.Яописываемого способа.ерметическп закры 1 у 10 КВарцсВу 10 амп 5.1 у 1 Г 50.,ОшаОт в дв 5 ххаМСРНУО ПСЧЬ 2.,550 ДОЧКУ 3 С 5 Сталгн 5 ССКИ.5 П КОМПОПСНТамн ИИКТЫСтаН 2 ВЛИВ 2 ОТ В ОДНОМ КОНЦЕ 2 МПУЛЫ, ЛСТУЧИС КОМПОНСНТЫННХТЫ - 15ДРУГОМПроцесс синтезироВания полупрОБОдникОБОГО Всщсства НаИнГО снаГреВ 2 лодокп с мсталлпсскими 1(03 попсптами Б Отдслсн 1 и 5 псчп ДОТСЫПСР 2 ТУРЫ, НССКОЛЫ 0 ПРЕВЫШВЮЩСИ ТОЧКУ,5 ПКБИД 502 Синтсзпд 5 СМО.систсмы. Затем нагреваОт Отдслспис д псчи до полу 1 сния В ампуле даВления паров нсметаллического компонента, равного 5 аг,. При этомпроисходит синтез дашого летучего компонента с компонентам 1, находяшимися в лодочке. После некоторой выдержки времени нагрев отделения 6 печи дОВОдят до уровня,...

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 167820

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Валов, Горюнова

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: бора, монокристаллов, фосфида

...СОБ ПОЛУЧЕН НОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОР вой а 1300нии влы ф фосфичью осуи ВР из да бора 0 С, вы- темперас печью. Способ получения да бора, отгичающий ществлеия процесса раствора, шихту, состо и фосфида никеля, н держивают в течение туре, после чего охл монокристаллов я тем, что, с це кристаллизаци ящую из фосф гревают до 130 часа при этой ждают вместе ггисная группа39 С целью осуществления процесса кристал. лизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в те чение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в...

Номер патента: 185087

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, фосфидабора

...с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После...

Номер патента: 191981

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Векшина, Еланска, Кроль

МПК: C30B 29/40, C30B 33/10

Метки: выявления, неоднородностей

...конобьния неоднородностеи и расесей в монокристаллах поутем аиодного травления изплотов е че предложенного сп травление осущес стоящем из иасыще ием раствора одног иой соляной кисло в течение 8 - 10 лин- 220 а/сме, Это дае неоднородности в р кристаллах антимоеи мет 10 Способ выявления неодиородн пределении примесей в моиокрис проводников путем анодного тр личающийся тем, что, с целью неоднородностей в кристаллах 15 галлия, образцы антимонида гал гают травлению в насыщенном хл моиием растворе одного объема рованной соляной кислоты в тр воды в течение 8 - 10 лин при п20 ка 180 - 220 ла/сле. особу травлению поды антимонида галлия, и поверхностями, или окисью алюминия. Испластинку из тантала, гружали в электролит,По описываемому сп вер...

Номер патента: 1573057

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Данильцев, Иванов, Краснов

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: многослойных, структур, эпитаксиальных

...дувают в течение 5 мин Са(СН) При 600 С расход АяН устанавливают 10 (0,113 ммоль/мин) . Затем подают АяН.а на уровне 0,565 ммоль/мин и подъем (0,170 ммоль/мин) и СеН 4. (5 10 ммоль/рекращают и осуществля- /мин) и осуществляют осаждение слоя ю продувку реактора в течереактора,в течение 4 мин р -СаАя при отношении расходов АяНу Д лее в реактор подают Са(СН )с и Са(СН), равном 1,5, после чего пор сходом , ммол м 0,113 моль/мин и СеН с 15 дачу реагентов прекращают и охлажда 110 + ммоль/мин осущест- ют реактор до комнатной температуры. н е слоя и-СаАя отноше-. + +Полученная структура состоит из ние расходов АяНи Са(СН ) равно 5. р -и-р -слоев СаАя толщиной 0,1, По саждения подачу АяН и 0 3 и О Й мкм соответственно. ПротяС Н прекращают и...

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1686043

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кемарский, Кульчицкий, Надирашвили

МПК: C30B 23/08, C30B 29/40

Метки: методом, многокомпонентных, молекулярно-лучевой, структур, эпитаксии

...атомов и молекул, полностью осаждается криопанелями сверхвы соковакуумной технологической камеры.На чертеже приведены зависимости интенсивности молекулярных пучков от времени, где 1 - зависимость для первичных молекулярных пучков, 2 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при непрерывном осаждении компо 10 20 25 30 35 40 45 50 55 нентов, 3 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при импульсном осаждении (по предлагаемомуспособу),Площадь, ограниченная кривыми 2 и 3 иосью времени, отображает число десорбированных атомов или молекул за время 1, При непрерывном осаждении в течение достаточно длительного периода почти всеатомы или молекулы, попадающие на поверхность подложки, оказываются десорбированы...

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1756392

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Векшина, Нагибин, Пепик, Попков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: антимонида, индия, монокристаллов

...эффективного коэФФициейта распределенияпримесей от величинымагнитного поля,воздействующего на расплав, При этом легирование проводят на концентрации носителей заряда (3 - 6)10" см . В работе сиспользованием критериев тепломассопереноса объясняются причины возрастаниякоэффициентов распределения указанныхвыше примесей, 8 данном случае исследования по влиянию магнитного поля на электрофизические параметры получаемогоматериала не проводились,Целью изобретения является увеличениявыхода монокристаллов с подвижностью носителей заряда более 5 10 см /В с ч,э 2Поставленная цель достигается с помощью МГД устройства "поперечйого магнитного поля, позволяющего получать в"центре тигля магнйтное поле с индукциейдо 0,3 Тл.После наложения...

Номер патента: 1809847

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Антонов, Булеков, Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, кристаллического

...кристаллизацией.При скорости охлаждения менее 300град/ч эффективность очистки ниже, чем в предлагаемом оптимальном диапазоне, скорость охлаждения более 320 град/ч труднодостижима технически и не повышает эффективность ояистки по таким примесям как кремний и марганец,Охлаждение расплава с целью кристаллйзации со скоростью менее 70 град/ч снижает чистоту арсенида галлия и производительность процесса, а охлаждение со скоростью выше 100 град/ч приводит к мелкокристаллической структуре слитков и большей вероятности спонтанной кристаллизации со снижением степени чистоты арсенида галлия.Полнота окисления примесей влагой определяется концентрацией остаточной воды в оксиде бора и его массой, температурой расплава, временем контакта расплава...

Номер патента: 1774673

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Гоголадзе, Долгинов, Малькова, Мильвидский, Пшеничная, Соловьева

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ In0,53Ga0,47 As / InP методом жидкофазной эпитаксии, включающий отжиг подложки InP сначала при 300 10oС, затем при температуре выше или равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP и выращивание слоя In0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 1 1015 см-3 из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности структуры в спектральном диапазоне 1,85 - 2,1 мкм, выращивание слоя ведут при 710 ...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1621562

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/40

Метки: монокристаллических, полупроводниковых, соединений

...ОаАз легируют 1 п с концентрацией 210 см . В раствор дополнительно19 -3вводят Сд и 1 п в концентрациях соответственно 510 , 10 см и 610 , 510 см18 19 -3 19 20 -3 В таких же условиях выращивают пленки ОаАз из растворов, содержащих Сй - 5 1017 и 1 п - 410 см (запредельная концент 2 -3рация). Соотношения концентрации Сб и 1 п в предыдущем случае 1:12 и 1:15.П р и м е р 4. Выращивают эпитаксиальные пленки баАз из раствора Оа с растворенным баАз (Аз - 5 ат,о/,) и Бе с концентрацией 1,210 см . В раствор до 19 -3полнительно вводят РЬ с концентрациями 610 , 5 а 10 см и и: 910 , 2,510 см (соотношение концентраций РЬ:и = 1:15 и 1:12). Выращивают в идентичных условиях, но с концентрациями дополнительных элементов РЬ и п 10 и 810 см18 20 -3...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 1566814

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Константинов, Новиков, Тюнькова, Шуляковский

МПК: C30B 29/40, C30B 33/04

Метки: пластин, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения:Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.

Номер патента: 1825537

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Гамазов

МПК: C30B 11/06, C30B 29/40

Метки: гамазова, монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут на затравочный кристалл с дополнительным теплоотводом и подпиткой раствора-расплава компонентами из жидкой фазы при его конвективном перемешивании и диффузии компонентов к фронту кристаллизации при двукратном увеличении прямого градиента температуры в диффузионном слое, получаемом за счет двухслойного...