C30B 15/02 — добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Номер патента: 50391

Опубликовано: 01.01.1937

Авторы: Егоров, Шаховцев

МПК: C30B 15/02

Метки: аппарат, искусственных, монокристаллов

...ется валиком 50 лентопротяжного механизма, в свою очередь приводимого во вращение часовым механизмом.Штоки 33 при помощи укрепленных на них поршней 35 направляются стенками неподвижных трубок 36, выходящих из кожуха кристаллизационного аппарата через его вращающуюся крышку 37, в которой они закреплены, Через эти же трубки 36 пропущены труоки 38, подводящие воду в полость свечей, и трубки 39, выводящие отработанную воду наружу и присоединенные к водопроводу при помощи гибких шлангов 40. Скорость подачи вверх свечей 26 и скорость вращения цилиндра 27 регулируются соответственно свойствам кристалли. зуемого вещества таким образом, что бы скорость подачи вверх свечи была несколько меньше возможной в данных условиях скорости роста...

Номер патента: 231821

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Государственный, Иванова, Макешин, Проектный, Прозоров, Редкометаллической, Эткин

МПК: C30B 15/02

Метки: полунепрерывной

...работы холодильника основан на понижении температуры воздуха или газа прои его адиабатическом расширении. Сжатый воздух (Рмакс=12 атм) подводится через форитовый шланг, надетый,на штуцер 27, уплотняемый прокладкой, к трубке 28. На хвостовике этой трубки закреплен шарикоподшипник. На верхний конец штока навертывается корпус 29 с отверстиями для выхода воздуха, В гнездо корпуса вставляется шарикоподшипник. Снизу на трубку 28 навинчивается микрохолодильник, центрируемый специальной гайкой внутри корпуса затравкодержателя 30. Последний уплотняется на вакуум с помощью резиновых вакуумных прокладок накидными гайками 31. Трубка 28 и микро- холодильник неподвижны, а шток с затравкодержателем обкатывается вокруг них,5 10 15 20 25 30 Д 5 40...

Номер патента: 1745779

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Бузовкина, Васильев, Викторов, Волков, Каргин, Петров, Скориков, Тале, Шульгин

МПК: C30B 15/02, C30B 29/32

Метки: висмута, монокристаллов, ортогерманата

...смешивают в стехиометрическом соотношении 2;3, помещают в платиновый тигель и и рокаливают в воздушной атмосфере в течение суток при 850 С. В известном способе не требуется дополнительной выдержки шихты в видерасплава при 1050 С, не предьявляется также дополнительных жестких требований ксохранению стехиометрии исходного состава шихты, отсутствует необходимость в обеспечении контроля шихты непосредстпарения ВгОз, так и вхождения в шихту неконтролируемых примесей из тигля.Наиболее близким к изобретению является способ выращивания кристаллов ортогерманата висмута, содержащий оксид европия, методом 4 охральского. Шихту прокаливают в платиновом тигле медленными шагами до 850 С. Возникающий в процессе нагрева при испарении соединений...

Номер патента: 1773955

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абловацкий, Бузунов, Иванов, Калугин, Куценогий, Муравицкий, Петров, Тупаев

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...так несколько циклов, при последнем выращивании вытягивают весь расплав.Предложенное решение является усовершенствованием известного способа ивыгодно отличается ат него. Так как отсутствует механизм смены затраваки последующее выращивание производится спомощью того же механизма и на ту жезатравку, то устраня 1 атся факторы, которьемогут привести к сбоя бездислакацианногароста кристалла. Вытягивание за один циклне более 2/3 расплава, содержащегося втигле, позволяет увеличить выход годного,так как при этом, как показала практика, вмонакристалл вытягивается оптимальнаядоля расплава, которая может пойти в годную продукцию, а в тигле остается достаточный остаток расплава, который послесплдвления подпитачных стержней используется повторно для...

Номер патента: 1122015

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Даниленко, Заславский, Лисовиченко, Мюлендорф

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...сечения,Внешний диаметр питателя равен 600мм(500 Х 1,2), внутренний 400 мм(500 Х 0,8),высота 200 мм, толщина стенок 1 мм,Дозатор 5, представляющий собой цилиндрический сосуд диаметром 30 мм и высотой 120 мм,. расположен с внешней стороны тигля 2 параллельно его оси на кратчайшем расстоянии и соединен с тиглем Горизонтальной переточнай трубкой 7 с внутренним диаметром 5 мм, Перетпчная трубка 7 вварена в нижних частях конического тигля 2 и дозатара 5, что дает возможность задавать л,обой исходный уровень расплава в .Тигле. Транспортнач трубка 4 диаметрам 5 мм для подачи расплава из питателя 3 в дозатор 5 введена вер 1 икальна из объема питэтеля в дозатор через ега дно, причем ось трубки 4 смещена ат оси дозато,ра 5 на четверть...

Номер патента: 1510411

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Любинский, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...обе секции б и 7 нагревателя и расплавляют сырье в тигле 2. Затем соприкасают затравку 14 с расплавом 16, разращивают кристалл 15 по диаметру и вытягивают его в вцсоту при проведении постоянной подпитки измельченным материалом через питатель 8, проходящий через отверстие 1 г экране 9, подвешенном на регулируемых Тягах 10, Подпитывающий материал расплавляется в кольцевой емкости 3, Применение экрана 9 позволяет снизить температуру перегрева расплава, который через отверстия 5 в стенке 4 перетекает в тигель 2. Поток расплава стекает вниз между стенкой тигля 2 и экраном 12 ко дну тигля 2. Преимущества устройства состоят в том, что размещение в тигле экрана позволяет направить поток расплава, текущего из кольцевой емкости, в нижнюю часть...

Номер патента: 988008

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Васильев, Дранкин, Жвирблянский

МПК: C30B 15/02

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной...

Номер патента: 1550948

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Закоморный, Кац-Ванхадло, Киреев, Науменко, Успенская, Шагаров

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста с коаксиально расположенными тиглем для расплава и нагревателем, затравкодержатель, установленный над тиглем с возможностью вращения и осевого перемещения, защитный кожух для стержня из исходного материала с механизмом осевого перемещения стержня, установленный наклонно к вертикальной оси системы вакуумирования камеры роста и подачи в нее инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет полунепрерывного режима работы, оно снабжено шлюзовой камерой для выращенного кристалла, размещенной по оси камеры роста и по крайней мере одной шлюзовой камерой для стержня из...

Номер патента: 1469918

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Гуров, Цветков

МПК: C30B 15/02, C30B 29/20

Метки: монокристаллов, основе, хризоберилла

1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов -модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.

Номер патента: 940344

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, синтеза

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.