C30B 9/12 — солевые растворители, например выращивание из флюсов

Номер патента: 13194

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкий

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...сплао п. 1, авляют кислоту выполнения способ я тем, что в массу пр ением вольфрамовуТип. Гидрогр. Упр. Управл. В.-Ы, Сил РККА, Ленинград, здание Гл, Адмиралтейст Наилучшие кристаллы Галена получаются лишь тогда, когда окончание сплавления устанавливается точно, так как переплавка дает недетектирующий материал, что сильно повышает процент брака; недоплавленные же кристаллы Галена очень неустойчивы к внешним реагентам идетектирующие свойства их быстро теряются при работе, Предлагаемый способ имеет целью получать сплав, не боящийся переплавки и дающий устойчивые детектирующие кристаллы путем сплавления массы, состоящей из серы, глета, азотно-кислого серебра и буры, в которую перед плавкой прибавляют вольфрамовую кислоту.Способ состоит в...

Номер патента: 13378

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкая

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...дополнительного патента простирается на срок до 81 марта1945 года.Предмет патента,Тип, Гидрогр. Упр. Управл. В.еМ. Сил РККА. Ленинград, здание Гд, Адмиралтейства. В патенте М 13194 описан способ получения сернистого свинца.для радиодетекторов нагреванием смеси окиси свинца, серы, азотнокислого серебра и буры. Получаемые этим способом кристаллы быстро изнашиваются и темнеют. С целью устранения этого недостатка, по вредлагаемому способу получения сплавадля кристаллических детекторов к указанным компонентам добавдяют металлического мышьякаилимышьяковистого ангидрида.Предлагаемый способ состоит в следующем:На 100 весовых частей свинцового глета берут 20 - 25 в. ч. серы, 5 - 20 в, ч, азотно-кислого серебра (ляпис), 10 - 20 в, ч....

Номер патента: 164016

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Обуховский, Сысоев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: л10нокристаллов, окислов, тугоплавких

...и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводить. ся при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрпческого состава; благодаря без.градиентномр принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической 5 решетки; возможно выращивание монокрпсталлов сложных соедшенпп; отсутствуют принципиальные затруднения в получении мопокристаллов больших размеров; растворитель пе вносит существенных искажений в 10 физические и оптические свойства кристаллов; легнрующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного...

Номер патента: 167820

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Валов, Горюнова

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: бора, монокристаллов, фосфида

...СОБ ПОЛУЧЕН НОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОР вой а 1300нии влы ф фосфичью осуи ВР из да бора 0 С, вы- темперас печью. Способ получения да бора, отгичающий ществлеия процесса раствора, шихту, состо и фосфида никеля, н держивают в течение туре, после чего охл монокристаллов я тем, что, с це кристаллизаци ящую из фосф гревают до 130 часа при этой ждают вместе ггисная группа39 С целью осуществления процесса кристал. лизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в те чение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в...

Номер патента: 173421

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Буслаев, Козлова, Рез, Роде, Сафронов, Сперанска

МПК: C30B 29/32, C30B 9/12

Метки: выращивания, луч, монокристаллов

...кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для...

Номер патента: 185087

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, фосфидабора

...с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После...

Номер патента: 257462

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аникин, Ишбз

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: веществ, монокристаллов, особенности, тугоплавких, фтор-слюды

...конечного продукта и упрощения процесса предлагается в качестве растворителя использовать смесь обезвоженных фторидов элементов 1 и 11 групп периодической системы элементов, а в качестве растворимого - поликристаллпческий конечный продукт или смесь компонентов, образующих его в процессе реакции. При этом растворитель вводят в количестве от 3 до 80% (преимущественно 20 - 60%).П р и м е р. Химически чистые ЯР, ВаР 2 смешивают со скрапом слюды КМДзА 1 Яз 01 о 1 Р 2 фракции 0,5 - 1 мм в соотношении ЯР 30%, ВаР 37%, слюда 33%, брикетируют и загружают в тигель из мало- углеродистой стали. После этого его вакуумируют и заполняют аргоном. Внутреннюю поверхность тигля предварительно очшцают от ржавчины и для удаления механических примесей и...

Номер патента: 240688

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Жевноватый, Плеханов, Шенберг

МПК: B03B 5/68, C22B 3/04, C30B 9/12 ...

Метки: выщелачивания, мелкодисперсной, промывки, твердой, фазы

...вытеснена рение легкоизой фазы пульг осадок будж:т, близком Способ выщелачивания и промывки дисперсной твердой фазы, отгичагощий 20 что, с целью интенсификации процесса,риал в виде пульпы пропускают под нпем через кольцевую полость, образо двумя коакспально расположенными тр и подагот через перфорированную стен 25 ружной трубы промывную жидкость с нием, прсвышающивг давление пульпы,чего отводят концентрированную жи через пористую стенку внутренней трумелкося тем,мате- давлеванную убами, ку нада влепосле дкость бы. Известен способ промывки осадка промывной жидкостью с вытеснением концентрированной жидкости, используемый в глиноземном производстве.Предложенный способ отличается от известного тем, что материал в виде пульпы пропускают под...

Номер патента: 240689

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Михальченков, Урсул

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: монокристаллов

...1 ез Это позволяет расширить границу кальцийванадиевых феррогранатов коротковолновую область приме 10 си. ри. рот росого сталл ос н 0 гс в сд Ъ,з примев ы со- амагместоОнь еня более8 -10 едмет пзобретени альмонокрпсталловго феррограната, например алюзиз раствора в распто, с целью упрощсвойств конечногов тигле пз окиси получе 51дЙ-всзутовоых добавкамсталлизацииссйсл тем, чи улучшенияроцесс ведутэлемента. Способ ццй-вана гированн путем кр отгссчасос процесса дукта, п рующего паве,енияпропегиНастоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната Вз 2 з Са 2, 1.ез Ч,. О,в, легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации...

Номер патента: 253953

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 342661

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ордена, Павликов, Патг, Тресв

МПК: C30B 29/12, C30B 29/62, C30B 9/12 ...

Метки: монокристаллов, соединений

...с атомным номером, большим трех.Отличием предлагаемого способа является осуществление кристаллизации охлаждением нагретого до температуры 1200 - 1250 С раствора, содержащего 5 - 15 вес. % фтористого магния, со скоростью 300 - 800 С/мин. Это дает возможность получать манокристаллы фтористого магния игольчатой формы.По описываемому способу исходные компоненты смешивают, смесь плавят при температуре 1200 - 1250 С и после гомогенизации расплава охлаждают, Полученный твердый сплав обрабатывают горячей водой до полного растворения хлорида (или хлоридов), после чего осадок промывают и высушивают. Размеры игольчатых монокристаллов регулируют, изменяя скорость кристаллизации в диапазоне 300 - 800 С/мин,П р и м е р, Навески фтористого магния...

Номер патента: 391847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петров, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г:...

Номер патента: 394315

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Сапожников, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, граната, иттрий-железного, монокристаллов, шихта

...путем кристаллизаиз раствора компонентов УзОз, 1.-е,Оз, з в распл авс РЬО - РЬГз - ВзОз. Отлилсч тем, что, с целью увеличения коэфепта использования окиси иттрия и поии 51 Выходя крупных кристяллОВ, В шиходят двуокись свшша, а исходные комты берут в следующем соотношешш, %: иттрицииСаСОчаюафицивышету ввПЕНЕ 1вес. УзОз 1 езОз РЬО РЬ) В 20 з РЬОз СаСО 5,4 - 10,811,42 - 17,5530,9 - 34,1833,62 - 37,62,36 - 2,77,25 - 7,650,01 - 0,05 Опубликовано 22.7111.1973. Бю Изобретение относится к области хими 11 еской технологии и касается получения моно- кристаллов магнитных полупроводниковых материалов.Известна шихта для выращивания моно- Б кристаллов иттрий-железного граната (ИКГ) следующего состава (вес. %): 11,03 УзОз15,65 1;"е,Оз39,3 РЬО...

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 319319

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Бобр, Ивановский, Сердюков, Шмелев

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: 319319

...КСО 3, МдГ 2, МдО, ЯО А 1,0) добавляют один из 15 фторидных .1 Г (0,3 - 1 вес, ч.), ХаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), или одну из фторидных смесей эвтектического состава: МдГ, + .1 Г (0,3 - 10 вес. ч.), МдГ 2+ МаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), 1.1 Г + СаГ 2 (0,3 - 5 вес. ч.) и др. 20Шихту перемешивают и помещают в тигель, который герметизируется и окружается тепло- изоляционной засыпкой, Шнхту плавят при 1180 С и ниже, кристаллизацию осуществляют путем медленного охлаждения до темпе дм ет из об ния синтетнческои ва шихты, о телью увеличеанных и ограацию ведут из сверх стехиоч, фторидов в 750 в 9 С. исталлов из расплачто, с ц ренциров исталлиз ержащей - 10 вес.60 С до получения к а тениолита ийся тем ества дифф исталлов, к щихты, сод ниолита 0,2 от 1000...

Номер патента: 422449

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Афанасьев, Изобретени, Мащенко, Шварцман

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: бор-бариевомрасплаве, приготовления, раствора

...после наплавления. Преимущественно взвешивание тигля с раствор-расплавом ведут при температуре 1100 - 1300 С. Разработанный способ приготовления раст. вора в бор-бариевом расплаве позволяет выдерживать соотношение между компонентами с точностью не менее 0,1 вес,о/ что обеспечивает его преимущество по сравнению с известным,Пример. Реактивы ВгОз, ВаО, ГегОз, ЪгОз последовательно взвешивают и загружают в платиновый тигель, который помещают в силитовую печь и выдерживают в ней 0,5 - 1 час. После паплавления каждого компонента тигель охлаждают, взвешивают и, если не хватает некоторого количества вещества, убыль восполняют.Порядок загрузки, квалификация реактива, температура аплавления и примерный вес порции порошка для приготовления...

Номер патента: 1059029

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Безматерных, Близняков, Мащенко, Чихачев

МПК: C30B 9/12

Метки: монокристаллов, раствора-расплава

...сокращается температурный интервал кристаллизации, рост идет при более низкой температуре, где раствор-расплав более вязок и, .следовательно, скорости роста ниже.П р и м е р 1. Исходные компоненты берут при следующих соотношениях, вес.Ъ; Ре 0 4,87 ф, В 203 50,77, РЬ.О 763 РЪР 36,73, и наплавляют в платиновйй тигель емкостью 800 см, Тигель с приготовленным раствором-расплавом помещают в печь для выращивания кристаллов. Температуру в печи повышают до 950 С.При этой температуре в раствор-расплав загружают кольцевой кристаллоносец и вращают его со скоростью 60-80 об//мин. Перемешивание ускоряет процесс растворения кристаллообразующих окислов. Растворение длится 12-16 ч. Затем температуру понижают до 835-845 С,о что соответствует...

Номер патента: 1687649

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Кузьмина, Мошкин, Нардов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллов

...по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патен", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Те, Пеоатурц В 3 сЗС 3 воре, ОдиНВКОВОИ для Всех о,ьггов являлась "акже методика обрабп ки зксга-,име-п.ащ нцх результатов, котора."; заключалась в следующем. Из ка 3 кдого Опыта отбиралось 30 наиболее ;.) пнь 1 х кристаллов.,Салее с испОльзовднием микроскопа МИН-б с гониометрической гол Овкой, на котОрой закреплялись кристацлц, для каждОГО к)3 исталла В отраженном свете Определялось нличие взаимно О-, кло- НЯЮЩИХСЯ УЧВСТКОВ ПОВ 8 РХНОСТИ, ПРИнслдлеиащим разным блокам, и измерялся размер Оло;ОВ, Затсм подсчитывалось суммарное число моноблоков размером более 1 х 1 х 0,1 мм для Всех...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12 ...

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1738876

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Карасик, Качарава, Тогонидзе, Цинцадзе

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...малую площадь контакта с шихтой, что исключает растрескивание кристаллов за счет разности температурных коэффициентов расширения,Целью изобретения является увеличение размеров, повышение выхода кристаллов и облегчение их извлечения из шихты.Поставленная цель достигается тем, что приготовленную смесь из ВаО, СцО и У 1 ВагСозО-х нагревают в алундовом тигле до 970 - 990 С и выдерживают в течение 24 - 30 ч, после чего тигель перемещают через градиент температуры1,5 С/мм со скоростью 1 - 2 мм/ч, при этом в температурной области 700 - 600 С охлаждение производят со скоростью 15 - 20 С. Весь процесс роста происходит в атмосфере воздуха.На фиг. 1 дача установка зонной плавки; на фиг. 2 - температурный профиль установки.Сущность изобретения...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...

Номер патента: 1740505

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Безматерных, Васильева, Жгун, Темеров

МПК: C30B 15/00, C30B 9/12

Метки: выращивания, гематита, монокристаллов

...затравочным кристаллом раствора-расплава при температурах, на 510 С выше температуры насыщения, ипоследующее охлаждение раствора-расплава до начальных температур раэращивания в течение 15 - 20 мин позволяетрастворить нарушенный поверхностныйслой затравки и избежать спонтанного зарождения на начальной стадии. С повышением температур и времени охлажденияиз-эа сильного оплавления затравок ухудшается качество наращиваемого слоя,Начальная температура роста Т = Тнас --(5 - 10) С выбирается в середине зоны метастабильности. Процесс роста завершаютпри температурах 800 - 850 С, так как ниже800 С кристаллизуются фазы, содержащиекомпоненты растворителя.При скоростях охлаждения растворарасплава менее 0,7 С/сут не обеспечивается необходимый...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1775509

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Водолазская, Воронкова, Леонтьева, Петровская, Яновский

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: монодоменных, монокристаллов, сверхпроводниковых, типа

...до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7...

Номер патента: 609230

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: неорганический, растворитель

...необходима либо выращивать, либо отжигать В атмосфере кислородадля окисления двухвалентнога железа втрехвалентное. Выращивание в атмоСферекислорода 800 - 1300 С) вызывает разрушение платиновых изделий,Перечисленные недостатки существен, но уст ожняют процесс получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием растворителя, содержащего окислы свинца. бора и фтористый свинец, Наиболее близким к изобретению по технической 5 сущности и достигаемому эффекту являетсярастворитель для получения монокристаллав из раствора-расплава - феррит натрия.Однако выращивание феррограната вданном растворителе не позволяет пол учить высококачественные манокристаллыиз-за высокой температуры кристаллиза- ЦИИ,Цель изобретения - повышение качества...

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.