Патенты с меткой «германата»

Номер патента: 475809

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Демьянец, Дудеров, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: германата, монокристаллов, свинца

...сегнетоэлектрического и электрооптического материала.Известен способ получения монокриствллов германата свинца состава 5 РЬО фЗОеОа по методу Чохрвльского.Однако полученные кристаллы имеютхарактерные дефекты в виде нестехиометрии состава,С целью получения монокристалдрв стехиометрического состава, проводят процесс гидротермального выращивания и охлаждения в водных растворах КГ конценчрацией 20-45 вес.%. при температурах450-550 С и давлениях 500-.1500 втмогДля стабилизации Р 1 в растворе вовремя синтеза в исходную шихту вводят2 вес. % СцО по отношению к Р О,С целью укрупнения кристаллов послев режиме проводят снижениеры до 200 С со скоростью 1 па. Температура зоЬ 1 = 30 С, время всуток, после выдерждится программноесо скоростью 1 град200...

Номер патента: 992617

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Соболев

МПК: C30B 29/22

Метки: висмута, германата, материал, монокристаллического, основе, силиката, электрооптический

...ческую пленку, состав ветствует эмпирическо В 18 СеМ 9 р 210 р, Полуво ние в полученной плен ны 633 нм на 25 меньтаваПример 4 Ан ру 3 из шихты, содерж В)0 92,896; 510 2, выращивают монокрист ку, состав которой со пирической формуле В Полуволновое напряжен монокристаллической п волны 633 нм на 22 м ,пленке состава В 2 51П р и м е р 5, Ана ру 2 из шихты, содерж В 2 03 97,886; 5 Од 2, готовят расплав и мет ского выращивают моно которого соответствуе ФОРМУЛЕ В 11 зиа 651 Вао,о волновое напряжение и нокристалла на длине меньше, чем у монокри В 12 5102 р,Как видно из приве ров, предлагаемое реш по сравнению с извест 35 снизить полуволно электрооптических мон ких материалов на осн или германата висмута венно уменьшить управ...

Номер патента: 1738878

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бунина, Гурьев

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: германата, монокристаллов, свинца, состав, травления

...комплекса, а также возможно ее выделение в коллоидном состоянии. Не исключено, что все эти процессы протекают одновременно, что определяется соотношением компонентов в растворе и условиями осуществления реакции (температурой, перемешиванием). К тому же многоатомный спирт способен адсорбироваться на поверхности, что влияет на особенности растворения кристалла.Пределы концентрации азотной кислоты определяют опытным путем. При содержании кислоты менее 1 мас,; реакция протекает с малой скоростью, и результат травления получается неудовлетворительный: поверхность становится матовой, доменные границы не видны. При содержании кислоты более 5 мас.ф реакция протекает с очень большой скоростью, поверхность образца получается блестящей,...

Номер патента: 1773870

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Иванов, Кобзарь-Зленко, Нагорная

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Метки: висмута, германата

...расплава побочного продукта синтеза - нитрата, хлорида, сульфата щелочного металла. При температуре, которая ниже точки плавления побочного продукта и времени менее 1 ч, процесс образования германата в твердой фазе протекает очень медленно, так как диффузионные процессы массообмена протекают с малой скоростью, а конвективное перемешивание отсутствует. Скорость протекания этих процессов резко увеличивается с образованием жидкой фазы - расплава побочного продукта синтеза, где перемешивание осуществляется на молекулярном уровне,Повышение температуры - выше точки плавления побочного продукта синтеза, и времени выдержки взаимодействующих компонентов в солевом расплаве побочного продукта - свыше 1,5 ч, сопряжено с непроизводительными...

Номер патента: 1603844

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина

...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...

Номер патента: 1784669

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...

Номер патента: 1789577

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты

...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...

Номер патента: 1789578

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...

Номер патента: 1700954

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...

Номер патента: 1810401

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...

Номер патента: 1828882

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...

Номер патента: 965240

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: висмута, германата, монокристаллов, полирующий, травитель

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Соляная кислота - 5 - 35Многоатомный предельный спирт - 10 - 85Вода - 5 - 85