Способ контроля процесса кристаллизации из расплава

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Степанов И,ВИскфлюорит. Сб. "Рост кри1957, т.1, с. 229.Авторское свидетелР 552750, кл. С 30 В Изобретение относится к выращиванию нонокристаллон из расплава и может быть ислользонано для контроляпроцессов кристаллизации поликриствллмческих и аморфных слитков методомБриджнена.Цель изобретения - повьдпение качества выращиваемых кристаллов.На чертеже представлена блок-схемаустройства для реализации предлагаемого способа.Устройство содержит тигель 1, кристалл 2 с границей 3 раздела фаз, расплав 4, диск 5, вал 6, нагреватель 7,датчик 8 крутящего момента, привод 9вращения диска, привод 10 линейногоперемещения диска и датчик 11 положения дискаУстройстяо, реаллэующее предлагаемый способ, работает следующим обратзон,В полость(54) СПОСОВ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА КРИСТАЛПИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА(57) Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава нпозволяет повысить качество вырвщиввемых кристаллов. Для этого определяютположение границы расплав-кристаллпутем погружения в расплав диска,приводимого в относительное вращениес тиглем, при этбм измеряют крутящиймомент на валу тигля или диска, позначению которого и по полоаению диска определяют положение границы раздела фаэ. 1 ил. ным кристаллон в эонной части тигля,После расплавления вихты начинаетсярост кристалла, для чего создаетсяосевой вемпературньй градиент путемперемещения тигля вниз нли изменениеммощности секций нагревателя. В начале процесса кристаллизации в расплав4 с помощью привода 10 вводится вращающийся с заданной скоростью диск 5,укрепленный не валу 6, связанном сдатчиком 8 и приводом 9. Диск устанавливают на заданном расстоянии отграницы 3 расплав-кристалл, котороеопределяется по грвдуировочной завнсиности крутящего момента в функциирасстояния между диском и границей.При этом регистрируется положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск извлекается изтигля,Градуцровочную зависимость крутят.го мом нта в функции расстояниям.жду диском и границей раздела фазоцр.лляет следующими образом, В тигельрзсллавом диаметром, например 40 мм,в водя т лис к диаметром, наприм ар, 35 мм,вращающийся со скоростью 30 об/мин, 15и опускают его до соприкосновения скристаллом, которое отмечают по скачку момцта на валу диска. Затем постеиццо подцимают диски через каждые0,5 мм измеряют крутящий момент. Устаци 1 ливают диск на заданном расстояццц 1 т границы раздела фаэ (например1 - 2) и ведут процесс кристаллизации.Лбсолютцая погрешность определения положения границы расплав-кристалл при 25использовании данного слособа составляет +0,5 мм.Вращ цие диска в плоскости, параллельной границе раздела фвз, не создает ударных волн на фронт кристаллизвциц, тем самым данный способ контроля не вносит п 3 умов п механизм кристаллизациии.формула изобретенияСпособ ионтроля процесса кристаллизации иэ расплава путем введения по осевой линии тигля в расплав зонда в виде диска, перемещения диска к границе раздела расплав-кристалл, с одновременным сообщением ему дополнительного движения относительно расплава и измерением параметра, характеризующего вязкостное действие расгвава на диск, при котором диск устанавливают на заданном минимальном расстоянии от границы раздела и поддерживают его постоянным по мере роста кристалла эа счет поддержания поа" тоянства величины избранного измеряе-, мого параметра, а о положении границы раздела судят по положению диска, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повыщения качества выращиваемых, кристаллов, дополнительное движение относительно расплава диску сообщают . путем его вращения относительно тигля, а в качестве параметра, характе риэующего вяэкостное воэдейотюие расплава на диск, измеряют крутящий мо" мент на валу привода диска или нв валу тигля