C30B 15/10 — тигли или контейнеры для поддерживания расплава

Тигель-индуктор для плавки полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 138755

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Васильев, Кочергин, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 15/10

Метки: плавки, полупроводниковых, тигель-индуктор

...устраняет загрязнения расплава примесями ма я, механически прочен и прост в изготовлении. Эти преимущества достигаются за счет того, что тигель-индуктор выполнен в виде двух соосно расположенных. витков с покрытой серебром рабочей поверхностью.Тигель представляет собой медный или танталовый посеребренный с поверхности водоохлаждаемый каоксиальный индуктор. Порошок вещества, которое требуется расплавлять, засыпают внутрь индуктора, куда вводят та же и затравку из того же материала для обеспечения первоначальног разогрева шихты,По расплавлении затравки в индукторе образуется жидкая фаза в виде кольца, расплавляющая частицы порошка. Однако, благодаря интенсивному водоохлаждению стенок тигля, слои порошка, прилегающие к ним, не плавятся...

Кварцевая ампула для выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 169064

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Изергин, Калашников, Сибирский, Черниговска

МПК: C30B 15/10, C30B 29/42

Метки: ампула, выращивания, кварцевая, монокристаллов

...б. Затравка 7 перемещается с помощью системы магнитного подъема 8. Заданное распределение температуры обеспечивают регулировкой печи 9, индукционного нагревателя 10 и холодильника б. Ампула соединена с фланцем 11 с помощью обычного вакуумного уплотнения 12. Вакуум-провод 13 Перед началом работы внутренние стенки ампулы и ее содержимое тщательно очища После сборки ампулу дополнительно очища путем прокаливания в вакууме мышьяка при 250 в 3 С в течение 2 - 4 час 1 галлия при температуре 600 в 8 С около 2 час). При этом температура стенок ампулы все время поддеркивается 700 С. Затем температуру мышьяка повышают до 608 С, Некоторое количество его конденсируется в наиболее холодной части ампулы вблизи холодильника. Мышьяк создает узкое...

В. и. ульянова

Загрузка...

Номер патента: 185492

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Васильев, Петров

МПК: C30B 15/10

Метки: ульянова

...установленного вти индуктирующегок которого имеет форнабжен отверстиямиытягивацця кристалла ивания роводчто, свойств, верти- витка, му лодля за 1 игель-цндуктор из расплава моно цых материалов, целью повышения он выполнен в в кальной плоскос нижний полувито дочки, а верхний с грузки шихты и в Известный тигель-индуктор для плавки полупроводниковых материалов в гарниссаже и вытягивания кристаллов выполнен в виде двух коаксиально расположенных цилиндров с общим дном. 5Отличием описываемого тигля-индуктора является то, что он выполнен в виде установленного в вертикальной плоскости индуктирующего витка, нижний полувиток которого имеет форму лодочки, а верхний снабжен отверстия ми для загрузки шихты и вытягивания кристалла, Это повышает...

Способ контроля чистоты кварцевых изделий

Загрузка...

Номер патента: 255209

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бакуменко, Гашенко, Зарубин, Неймарк, Осовский

МПК: C30B 15/10, G01N 27/02

Метки: кварцевых, чистоты

...це менее 1000 о,и с,и при содержац 1 ш бора це более 5 101 З атомов/сл(сз.В держателях верхнего и нижнего штоков4 и 6 укрепляют затравки 6 и 7 из зоццоочи щенного кремния р-типа проводимости судельным электросопротивлением це менее 1000 олс слс. Для стартового разогрева шайоы 3 между затравкой 7 и изделием 1 помещают шайбу 8 из кремния с удельным элек тросопротивлением менее 1 о.и слс. После разогрева шайбы 3 затравку 7 отводят вниз, и шайба 8 сбрасывается на дно вакуумной камеры. Расплав 1 сремния В изделии выдерживают в течение времени, необходимого для 25 растворения поверхностного слоя кварца, после чего из расплава ца затравку 6 вытягивают моцокристалл.Контролируемое изделие сбрасываюдуктора 2 при помощи затравки 7,30 производят...

Тигель для высокочастотной индукционной нлавки

Загрузка...

Номер патента: 291736

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бел, Некрасов, Родионов

МПК: C30B 11/00, C30B 15/10

Метки: высокочастотной, индукционной, нлавки, тигель

...соед)шснпй могут быть использованы тшли изкварца, питрида бора, нитрида а;)юминия, окиси а,помпнпя, окиси мапшя, окиси циркоппя,окиси бериллия, крбида кремния и дрм) их Высокотемпературных соедппсшп. ласти мсталлур ние относится к ободикоВ.тигли для высокочастотной индукавки, материал в которых расплав)ет разогрева токами высокой частовой подставки для тигля. Недостатиглей является то, что в них невозавать большое электрическое сопротсм самым получить необходимое ния количество тепла. Изобрстс.гии полупро Извсстпь циоппой пл, )яетс 5 За с ты графито ком таких т можно созд тивлснис и для плавлеасмый тиге;сть нагреваиэлектричсскотличается тзазор мсткдпорошком.теже изобраи ь позволяет уве,.шчить эфи использовать его для их...

Установка для вытягивания из расплава слитков по способу чохральского

Загрузка...

Номер патента: 297389

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вельский, Гин, Государственный, Иванова, Новиков, Проектный

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, расплава, слитков, способу, чохральского

...только одного слитка.В предложенной установке нижняя камера и тигель имеют форму кольца, по окружности которого неподвижно установлены верхние камеры, что позволяет повысить ее производительность.На чертеже изображена предложенная установка в плане и разрезе.Установка включает нижнюю кольцевую камеру 1 с тиглем 2 и несколько установленных неподвижно по окружности тигля верхних камер 3, снабженных тянущими штоками 4. Камеры 3 отделены от нижней камеры герметичными затворами 5. Для перемешивания расплавленного материала установка сиабжена электромагнитным насосом б, смонтиро.ванным на тигле.При использовании установки для получения слитков легкоплавких металлов, напри мер галлия, нагрев расплава в тигле производится при помощи...

Способ получения изделий из двуокиси кремния

Загрузка...

Номер патента: 962340

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Кивенко, Пометун, Шварцман

МПК: C30B 15/10

Метки: двуокиси, кремния

...градиенте вдольформообразователя меньше 0,2 град/ммплотность заготовки выравниваетсянастолько, что усадка будет происходить равномерно по всей заготовке ине удается сгладить те шероховатости, которые возникают в заготовкевследствие вращения формообраэователя, При термической обработке вдольвсей высоты тигля образуются наплаэы материала или волнообразная поверхность.При температурном градиенте Ьольше 1,35 град/мм происходит неравномерная усадка при термической обработке этой заготовки, Неравномернаяусадка ведет к тому, что в нижнейцасти заготовки у кромок тигля толщина становится значительно меньше,эта часть отрезается, причем чембольше отличается температурный градиент от 1,35 град/мм тем большебрак, тем большую .долю...

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 1424379

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Бочкарев, Булаев, Гранковский, Зыкова, Леонтьев, Раскутина

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...Затем сверху напы- ляется слой кварца, толщиной 3 мм.Устройство работает следуюарам 35 образом.После загрузки тигля 1 кремнием, герметизации и создания вакуума в камере печи электрический ток подают на нагреватель 5, разогревая его до ф рабочей температуры (1600-1750 С). Загрузка (16 кг и более) состоит обычно иэ кусков поликристаллического кремния весом до 2 кг, Плавление загрузки начинается через 30 мин после выхода нагревателя на 1700 С, причем вначале низней ее части. После расплавления загрузки производФт эат" равливание и вытягивание кристалла из расплава.В данном устройстве тигель 1 в процессе работы не меняет своей фор- ию, так как сетка 2, размещенная внутри стенки и дна тигля 1, повышает его механическую прочность....

Способ плавления оксидов и тигель для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1713995

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Башмаков, Викторов, Матвеев, Новиков

МПК: C30B 15/10, C30B 29/16

Метки: оксидов, плавления, тигель

...не возникает отрицательных обратных связей: случайное перекрытие участка пористой поверхности жидкостью не вызывает нарастания под ней давления, а приводит лишь к перераспределению потока газа в соседние участки поверхности,Заявляемое техническое решение основывается на явлении устойчивости жидкости над газовой прослойкой, образованной электрохимическим переносом газа.Отличие заявляемого тигля от известного состоит в том, что заявляемый тигель,выполнен с дополнительным внутренним покрытием из электродного материала.В известном тигле расплав. выполняет одновременно роль внутреннего электрода, поэтому контакт между расплавом и стенками тигля необходим, т.е, образование сплошной газовой прослойки между ними невозможно; Реализовать...

Способ выплавления остатков расплава тугоплавких оксидов

Загрузка...

Номер патента: 1740506

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Губарев, Проскочило, Рахманин, Стрелов

МПК: C30B 15/10

Метки: выплавления, оксидов, остатков, расплава, тугоплавких

...р. Тигель из иридия Ф 80 мм с остатками расплава граната ббзба 5012 весом 1500 г, Контейнер для выплавления изготовлен из нержавеющей стали с размерами: Н =ф= 160 мм, На внутренней стенке контейнера на высоте 20 мм от верх-него основания на двух перпендикулярных диаметрах приварены 4 держателя. На держателях собран. тепловой блок с тиглем, расположенным таким образом, что его верхнее основание находится в центре индуктора. Блок выплавления стандартный (Яе 0.025.938 ТК в комплекте Яе 0.025.035(54) СПОСОБ ВЫПЛАВЛЕНИЯ РАСПЛАВА ТУГОПЛАВКИХ ОК (57) Изобретение относится к плавления остатков расплава оксидов и позволяет исключит ние выплавляемых остатков рас риалом контейнера. Дно конте переливанием расплава выклад оксидного материала.КТД). На...

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Загрузка...

Номер патента: 1253182

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...водоохлаждаемого индуктора 5 с помощьютраверс 8 устанавливают тигель 7, боковая часть которого выполнена в виде многогранной призмы, грани кото"рой представляют собой набор из нескольких пластин, установленных сзазором параллельно друг другу ипоследовательно соединенных, а донная его часть выполнена иэ секций,установленгак с зазором относителнно друг друга, Тигель 7 устанавливают так, чтобы его кромка находи"лась на одном уровне с кромкой верхнего витка индуктара 5. Объем тигля7 и дополнительный объем между,тиглем и индуктором 5 заполняется ис"ходным порошкообразным сырьем, Ьункер 9 заполняется сырьем тогО жесостава. Увеличением мощности, под3водимой от источника б индукционного нагрева к индуктору 5, повышает ся температура тигля 7...

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Загрузка...

Номер патента: 1496332

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между...

Устройство для выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1123326

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов

...электромагнитного поля в придонной части тигля, как 25и в приведенном аналоге, значительноослабляется путем взаимодействияэлектромагнитных полей, создаваемыхтоками, протекающими в индукторе идне тигля, Величина индукционноготока, протекающего в верхней частитигля, по сравнению с нижней, будетзначительно выше, что и приводит кее перегреву и, как следствие, куменьшению эффективности конвекциив расплаве. Это влечет за собойуменьшение передачи тепла от тигляк расплаву за счет конвективного механизма и разрушения тигля в процессе выращивания, начинающееся в еговерхней части.Целью изобретения является повышение надежности устройства за счетувеличения срока службы тигля.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для выращивания...

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Номер патента: 1261328

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Розенман, Шутова

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель для расплава, размещенный в подставке, повторяющей его форму и установленной на плите, закрепленной на штоке, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов за счет снижения вибрации расплава, подставка снабжена основанием, установленным на шаровых опорах в виде вкладышей со сферическими рабочими поверхностями и взаимодействующим с ними шара, размещенных в проточках, выполненных в основании и плите, а отношение радиуса сферы вкладыша к радиусу шара составляет 10 - 100.

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Тигель для выращивания монокристаллов

Номер патента: 811884

Опубликовано: 27.07.2004

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/10

Метки: выращивания, монокристаллов, тигель

Тигель для выращивания монокристаллов, содержащий сосуд для подпитывающего материала с отверстием в дне, установленный в верхней части тигля, и поплавок, снабженный направляющим стержнем, расположенным в отверстии сосуда, отличающийся тем, что, с целью предотвращения проливания подпитывающего расплава при приготовлении исходного раствор-расплава, поплавок снабжен тарелкой, закрепленной на направляющем стержне и размещенной в сосуде для подпитывающего материала.

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон

Загрузка...

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...