Лубе

Номер патента: 1533371

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/24

Метки: кристаллизации, процесса, расплава

...положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск...

Номер патента: 1358480

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, процесса

...в камеру 3 кристаллизации, включается вращение штока 2 вращения кристалла, реверсируется движение штока 1 перемещения кристалла, при этом начинает расти кристалл 4. Если в процессе выращивания в кристалле возникают структурные дефекты, например скопления дислокаций или трещины, они вызывают в ием акустическую змииссию - меха. нические колебания, которые передаются через затравку 5 пьезоэлектрическому преобразователю б, Сигналы акустической эмиссии, имеющие вид рздиоимпульса, с выхода преобразователя б поступают в предусилитель 7, з оттуда - - нз катушку 8 индуктивности. Преобразователь б, предусилитель 7 н катушка 8 вращаются и перемещаются вместе со штоком 2 возщения кристалла, Сигнал акустической эмиссии, проходящий через...

Номер патента: 1401937

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...ф 5 время движения катушки вдоль оси тиг" ля ее индуктивность и/или сопротивление непрерывно измеряются связанным с ней блоком 6 измерения электрических параметров. При пересечения катушкой О фронта 11 кристаллизации ее индуктивность и/или сопротивление меняются скачкообразно из"за различия н электропроводности расплава и кристалла, при этом на выходе блока 6 появляет- ;5, ся сигнал, поступающий на второй вход индикатора 7. Этот сигнал Фиксирует в индикаторе 7 текущее значение ко ордииаты катупКи 11 оступинпее с датчика 3 11 оложе 11 ия катушки н качествекоординаты Фронта кристаллизации. Вэтот момент с выхода индикатора напранл 11 ется сигнал на вход блока 5управления приводом катушки, которыйренерсирует привод и нознращает катушку н...

Номер патента: 864847

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...обеспечение контроля структурного совераенства растущего кристалла и повыщейие за счет этого выхода крупных кристаллов беэ дефектов.Цель достигается тем, что в устройстве для Выращивания монокристаллов 35 из расплава, содержащем держатель затравки, механизм. перемещения кристалла, пьезоэлектрический преобразователь, соединенный с одной стороны сзатравкой, а с другой стороны с блоком преобразования и измерения импульсов, пьезоэлектрический преобразователь соединен с затравкой или держателем затравки через волновод и.снабжен средством для охлаждения, выполненным в виде радиационных экранов . и холодильника,.и кинематицески связанным с механизмом перемещения кристалла,. Иа чертеже изображена схема устройства.Здесь нагреватель 1, расплав 2,...

Номер патента: 1675787

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Гуссак, Златкин, Лубе

МПК: G01R 13/02

Метки: дисплей, осциллографический

...трлг 6)5 разрешения счета (СЕ), которь)й сигналом1" на своем выходе разрешает работу генеоатооа 7 импульсов грацай, а так)ке рэзрегвает счетчику . фор;НГ)овать сигна;Г 1606 носа (цебг)ок О 8 Г6 Г 1;",епен оса "чет.чика 8), Импульсы с Генератс)а 7 подаотсяна вычитак)щий счетн ьл ):":;од счетчика 8., Так)то по Гриход/ количес"аа иГ)яьсов, соответствующего исходному коду градации яркости, состояние счетчика 8 становится нулевым, и на его выходе формируется сигнал переноса, Этот сигнал сбрасывает триггер 5 разрешения счета (с задержкой, определяемой быстродействием реальных элементов, кагорой вполне достаточно для практики, чтобы не вводить в функциональную схему дополнительного элемента), Одновременно слгнал пеоеноса подается на счетный...

Номер патента: 1450893

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Блощинский, Лубе, Медведев, Наймушин, Носко, Овеченко, Притоманов, Царьков

МПК: B21C 23/08

Метки: профильных, труб

...оправку и ходом пресс-штемпеля впередзаготовку вьщавливают через две последовательно расположенные матрицы(круглую и профильную) в профильнуютрубу.Эксперименты проводят на горизонтальном гидравлическом трубопрофиль.ном прессе усилием 31,5 МН с использованием заготовок из сплаваХН 40 МДТЮ-ИД, диаметром 190 мм и длиной 400 мм; Расстояние между калибрующими поясками матриц соответствовало 150 мм. Толщина стенки изготавливаемой трубы 8 мм. Скорость выдавливания 200 мм/с. Механизмом перемещения оправкодержателя устанавливаютпуть перемещения переднего конца оправки 130 мм. Скорость перемещенияпереднего конца оправки, вычисляемаяпо формуле, в этом случае 65 мм/с:200(150-2 5 8 О)- А - 65 мм/с.о 400Заготовки из выбранного материаланагревают в...

Номер патента: 1433517

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Блощинский, Жуковский, Лубе, Медведев, Наймушин, Шперлин

МПК: B21C 23/08

Метки: прессования, труб

...использовали нержавеющую сталь 12 Х 18 НОТ и сплав на основе никеля ХН 78 Т, предел текучести которых при температуре деформированиясоо тнете тн енно 18 кг /мм (180 ИН/м )и 25 кг/мм (250 ИН/м"-). Заготовки извыбраннь 1 х материалов наружным диаметром 97 мм с толщиной стенки 28,5 и32,5 мм длиной 250 мм нагревали до1200 С н индукционном нагревателе,сЛиаметр основной части оправок длястали2 Х 18 Н 10 Т и ХН 78 Т составлялсоответственно 38 и 30 мм, а диаметрпереднего конца на участке 80 мм составлял 25 и 26 мм. Заготовки из вы 5 10 15 20 25 30 35 бранных материалов прессовали н трубы размерами 4 42 х 2,0 мм и 42 х 6,0 мм. Коэффициенты вытяжки при этом составили 26,73 и 10,53. В качестве технологической смазки на матрицу испольэовали диски из...

Номер патента: 1412827

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Блощинский, Жуковский, Лубе, Медведев, Наймушин, Остренко, Притоманов, Шперлин

МПК: B21C 23/08

Метки: настройки, пресса, трубопрофильного

...калибрующего участка матрицы, становилось равным рассчитанному параметру настройки Л.Для этого сечение основного участка оправки, ближнего к переднему участку, совме шают с выходным сечением калибруюшегоучастка матрицы, а затем оправку подают назад (в направлении, противоположному направлению выдавливания) на величину Л.Затем измеряют длину переднего участка оправки меньшего поперечного сечения, выдвинутого за выходное сечение калибрую- )пего участка матрицы и рабоцую длину оправки увеличивают на замеренное значение. Полученную после завершения корректировки оправку жестко закрепляют в пресс- штемпеле.Нагретую до определенной температурызаготовку помешают в контейнер трубопрофильного пресса, в нее вводят оправку и ходом пресс-штемпеля...

Номер патента: 1250941

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: G01N 29/04

Метки: акустической, предварительной, сигналов, эмиссии

...соединенс выходом формирователя 4, другой -с выходом аналого-цифрового преобразователя 3, выход - с вторым входомпикового детектора 2. Предусмотреносоединение пикового детектора 2 сФормирователем 4 через делитель 7напряжения; выполнение формирователя4 из последовательно соединенных потенциометра 8 установки уровня, сумматора.9 и компаратора 10; ныполиение измерителя 5 интервалов междуимпульсами иэ последовательно соединенных генератора 11 импульсон исчетчика 12; выполнение ключа 6 раз,ряда из последовательно соединенныхячейки 13 управления и ключа 14; соединение выхода ключа 6 разряда сзапоминающей емкостью Спикового детектора 2.Устройство предварительнои обработки сигналов акустической эмиссииработает следующим образом.В исходном...

Номер патента: 930109

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: G01N 29/04

Метки: акустико-эмиссионное, трещин

...3 .усиления и фильтрации. Устройство содержит также два дополнительных приемных 5преобразователя 5 и б, установленныхна волноводе 1 перпендикулярно другк другу и к приемному преобразователю2, блок 7 сравнения и два дополни-,тельных канала, каждый из которых щвключает в себя соединенные последовательно блоки усиления 8 и фильтрации 9 и блоки 10 и 11 измерения амплитуд сигналов, выходы которых,а также выход блока 4 измерения амплитудсигналов подключены к соответствующимвходам блока 7 сравненияУстройство работает следующим образом.,При образовании трещины в контролиоруемом объекте 12 возникают механические колебания, которые вызывают. продольные и поперечные колебанияволновода 1. Торец волновода 1 соединен,с поверхностью...

Номер патента: 859490

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...монокристаллов из расплава,5 Устройство содержит тигель, 1 с расплавом 2, кристалл 3, преобразователь 4 аку-стической эмиссии в электрический сигнал,привод 5 перемещения кристалла, первыйнагреватель 6, второй нагреватель 7, источ 20 ники 8 и 9 питания, регуляторы О и 11мощности, подводимой к нагревателям, усилитель 12 импульсов акустической эмиссии,блок 13 измерения интенсивности имmульсов акустической эмиссии, регулятор 1425 скорости перемещения кристалла, электродвигатель5 привода кристалла,Способ осуществляется следующим обра859490 Формула изобретения 10 Составитель В. Федоров Техред А. Камышиикова Корректор Н, Федорова Редактор Л, Письман Заказ 2009 Изд.182 Гираж б 0 1 одписное1110 с 1 онск Государственного комитета...

Номер патента: 569320

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Багдасаров, Лубе

МПК: B01J 17/08

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...при малом кон расте яркостей излучения, особенно в случае кристаллизации прозрачных материалов, а также при высоком Фоновом излучении нагревателя сопротивления ро ордена Трудовоголографии им, А,В.Вубникова569320 Формула изобретения 947 Подписно Заказ 2888 и И Проектная, 4 ал ППППатент", г. Ужгород установкой фотоприемника Э, После на-,стройки и Фиксации угловых положенийисточник и приемник совместно переме-,щают вдоль направления крйсталлиэации.При переходе падающего луча с поверхности расплава на поверхность кристалла 4 отраженный луч отклоняется отвходного окВа приемника, что вызываеткрутой спад электрического сигнала наего выходе цо нулевого уровня, В этотмомент по линейной координате источника света определяют ц фронта...

Номер патента: 458747

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Вайнштейн, Гоганов, Дмитриев, Комяк, Лубе, Малахова, Миренский, Резников, Хейкер

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, многоканальный

...в заданном угловом ицтервае (илц за задацное время), вместе с цоаза. 10 25 с и Институт кристалло циальное конструкторско им. А. В. Шубникова и бюро рентгеИзооретецие относится к области рентгеновской дифрактометрии.Известны многоканальные дифрактометры, содержащие линейный детектор излучения, Однако детектор может регистрировать тольо одну слоевую линию при сьемке по методу вращающегося моцокристалла,Цель изобретения - повышение эксцрессцости сьемки (что особенно важно цри исследовании кристаллов, разрушающихся под действием излучения),Цель достигается тем, что в предлагаемом дифрактометре блок детекторов излучения выполнен в виде дискретного набора одномерных детекторов излучения, расположенных параллельно друг другу, и...

Номер патента: 320760

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Лубе, Скв, Таткин, Хейкер, Цеп

МПК: G01N 23/207

Метки: автоматический, дифрактометр, исследования, монокристаллов

...интеноивности оттражения с задансньвви индетесаяи.На чертеже,прооведена блок-схема дифрактометра,Первичный паучок,из источника излучевия 1 направлен на исследуемый кристалл 2. Дифратированное кристаллом,излучение попадает в детектвор 3. Иипульсы детектора уаизвиваются усилителем 4 и через диоцримвнатор 5 гооступают в интенсиметр б и переочепный,гцрибор 7. Число,импульоов, накопленное пересчстным прибсром 7, записьпвается системой 2реписпрации 8. Блок 9 подает стабилизнрованноо напряжение для питания детепстора т, Готииометр 10 устанавливает кристалл и детектор в положение максимума опражелпия.5 Схема сравнения ористаллапрафичес(кихиндеисов 11 сравнивает индексы очереди 1 оопо отражения, нахадящиеоя в ячейке:памяти 12, с индексаГхои...

Номер патента: 219821

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Борисов, Гуревич, Ком, Лубе, Маклаков, Миренский, Рогачев, Хейкер

МПК: G01B 9/10, G01N 23/207

Метки: автоматический, дифрактометр, исследования, монокристаллов, программным, управлением

...вр2, Дифрактоме тем, что, с целью дования кристал мени измерения ния времени изх раз по отношени 25 По основному авт. св.160866 известен автоматический дифрактометр с программным управлением для исследования монокристаллов, содержащий генераторное устройство с рентгеновской трубкой, систему автоматической регистрации и записи интенсивности рефлексов, блоки ввода программы и коммутации в гониометрическую систему, а также дискретные датчики углов поворота с циклическим кодом.П 1 редлагаемый дифрактометр отличается от известного тем, что содержит дополнительные блоки: блок памяти заданных крайних значений угловых интервалов колебаний кристалла и детектора излучения, счетчик числа этих колебаний и блок секундомера-задатчика времени...