Емельченко

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения:

Номер патента: 946266

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Ильин

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты выемки с цилиндрической формой, а торец второго стакана выполнен с выступом, имеющим форму, соответствующую выемке первого стакана.

Номер патента: 850765

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Емельченко, Ушаковский

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.

Номер патента: 1762198

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Вакарова, Емельченко, Кравченко, Макарова

МПК: G01L 23/10, G01N 21/70

Метки: давления, датчика, чувствительный, элемент

...(1) б 55 К- 6,146 + 18,421 1 .7 1 10 (м),1,16 108 При этом значении толщины знамена тель в (1) равен 1, а отношение 1 прош/пад =и ош 1 - Е е2 - о, С и считая, что выполнение соотношения пРактически равен единице, поэтому формулу (1) можно записать в виде(1 - й) е = С, (3)Откуда нижняя граница для толщины метал лического слоя определяется из условия,,ФС другой стороны установлено, что сувеличением толщины металлического слоя15падает чувствительность триболюминофорак механическому возбуждению, Проведенные исследования показали, что для целогоряда металлов, например А 1, Сц, чувствительность люминофора к механическому20воздействию уменьшается в 2 раза при толщине металла - 1 10 м. Поэтому в каче стве верхней границы необходимо братьтолщину...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...

Номер патента: 447092

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Демьянец, Емельченко, Лобачев, Шульгин

МПК: G01T 1/11

Метки: вещество, дозиметра, термолюминисцентного

...состав натрово-лантаноидногогерманата Ыа - 1. и Ое О,4где 1.п - СтдУ 1.05 в,ЕЮа 09,3 12,5; 1.беО 31,3 - 42,02) обладает,основными) пиками термовысвечивания при температурах 130, 160, 180и 260 К;3) характеризуется повышенной термкой стойкостью;4) имеет более высокую твердость (55,5 по шкале Мооса).Рабочее вещество используется в видемонокристаллов,; Г 1 р и м е р 1, Рабочее вещрентгеновского излучения на ровофсамариевого германата. Сост Ого447092 Составитель А. БалашовРедактор Б. Нанкина Техред Н. Андрейчук Корректор И. Микита Заказ 3618/363 Тираж 1029 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо долам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4...