C30B 9/06 — с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 252289

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горюнова, Орлов, Соколова, Цветкова, Шпеньков

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: меди, монокристаллов, основе

...и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С....

Номер патента: 875890

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович

МПК: C30B 9/06

Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических

...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...

Номер патента: 932853

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Меликсетян, Тобелко, Урусов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/06

Метки: двухвалентного, европия, фторфосфата

...цель достигается тем, что в спбсббе получения ФторфосФата двухвалентного европия путем м1Редактор О.Филиппова Техред М,Моргентал Корректор И.Эрдейи Заказ 2436 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета но изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Проиэводстненно-издательский комбинат "Патент" г.ужгород, ул. Гагарина, 101 932валентного европия при нагревании,Фторид европия берут в 11-15-кратномизбытке по отношению к ФосФату ев"ропия и нагревание ведут до 13001350 С с последующим охлаждением соскоростью 8-12 С/ц,Способ позволяет получать.монокристаллы в виде гексагональных призмразмером 6-8 мм.Оптимальной температурой, процесса получения монокристаллов ФторФосФата двухвалентного европия...

Номер патента: 1737034

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Леонюк, Меликсетян, Урусов

МПК: C30B 29/32, C30B 9/06

Метки: бария, выращивания, монокристаллов, титаната

...скоростью 20-30 С/ч, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают до температуры 800 С со скоростью 1-3 С/ч.В таблице представлены экспериментально найденные параметры процесса кристаллизацииПри других соотношениях исходных компонентов и температурных режимах и ложительный эффект отсутствует,П р и м е р 1. Смесь ВаТЮз, В 20 з, КГ, взятую в соотношенг и 10,6 и 84 мас.0 ь соотСостав смеси, мас.ВаТОз ВгОз КР 80-65 8 - 10 20-30 1 - 3 Качест, не- сдвойникованные, объемные монокристал- . лы кубической формы толщиной в несколько миллимет ов Составитель Н,МеликсетянТехред М,Моргентал Корректор М.Пожо Редактор М.Петрова Заказ 1871 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР...

Номер патента: 1838457

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента

...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Номер патента: 1526290

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 813979

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Кузнецов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: рубидия, тетраиндида

1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт помещают в жидкий галлий, находящийся под слоем трансформаторного масла, извлекают кристаллы и очищают их от расплава.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кристаллы очищают с помощью резиновых пластин и пластилина.

Номер патента: 1110222

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Орлов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: индия, металла, монокристаллов, соединения, щелочного

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17oC/ч вытягиванием ампулы вверх.