Способ легирования полупроводниковых соединений типа ав

(5)5 Н ано 17/34 ОЛУПРОПА АВ упровод- ользоваованных никовых лучений, полупроов. Цель н ще со св во ис по ти из из СИ ки (АГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗС)Б К А 8 ТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬС(72) В. В. Зубрицкий (56) Патент ФРГ ч. 2214224, кл. В О 1 1972, (54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ П ВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИ (57) Изобретение относится к пол никовой технике и может быть исп но при создании на основе легир щелочными металлами полупровод соединений детекторе в ядерных из светоизлучающих структур, других водниковых устройств и прибор зобретение относится к полупроводковой технике и может быть использовапри создании на основе легированныхлочными металлами полупроводниковыхединений детекторов ядерных излучений,етоизлучающих структур, других полупродниковых устройств и приборов,Цель изобретения - упрощение способаокращение его времени,Способ предназначен для легированиялупооводниковьх пластин из соединенийпа А В, А В щелочными металламипаровой фазы и обеспечивает предотврание возникновения на поверхности кра- .ров, выступов, других макродефектов,На чертеже показано схематическоеображение ампулы 1, источника 2 примеи полупроводниковой пластины 3 с маррованной поверхностью . 4поверхностью). 1756393 А изобретения - упрощение способа и сокращение его времени, Для предотвращения появления кратеров и вьступов на поверхности полупроводника диффузию примеси из паровой фазы проводят через защитный слой, в качестве которого используют атомно-плотно упакованный слой ионов металла самого полупроводнйкового соединения.Для этого ориентируют пластину по полярным кристаллографическим плоскостям, С помощью иглового электрода импульсами напряжения отрицательной полярностиГ;возбуждают в пластине приповерхностный стримерный разряд и диффузию проводят через ту поверхность, на которой наблюдался приповерхностный стримерный разряд, 1 ил. П р и м е р. Химически или химикомеха-, нически отполированную пластину (0001) СОЯ устанавливают во фторопластовый держатель-прижим (либо укрепляют на стеклянной подложке либо др,) и опускают в стеклянную (кварцевую) плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 роизводственно-иэдательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101(запоминают) поверхность, на которой наблюдался приповерхностный стримерный разряд, Эта поверхность при данных условиях соответствует А-поверхности полупроводника - плоскости атомов кадмия, (Противоположная поверхность кристалла 5 соответствует при этом В-поверхности полупроводникаа - плоскости атомов металлоида - серы). Помещают пластину маркированной поверхностью вверх в ампулу вместе с источником примеси - металли ческим литием в молибденовой лодочке. (В случае загрузки большого количества пластин их целесообразно устанавливать вертикально попарно, соприкасаясь немаркированными поверхностями), Вакуу мируют ампулу, помещают в печь. Нагревают до температуры диффузии, при этом диффузию проводят со стороны маркированной поверхности полупроводника (плоскости атомов металла). Варьируя 20 температуру диффузии в пределах 300- 600 С, получают концентрацию лития в пластинах без нарушения плоскостности поверхности 10 - 10 см . Роль защитногослоя выполняет атомно-плотйо упакован ный слой ионов металла(кадмия) самого полупроводникового соединения. Продолжительность операций по возбуждению стримерного разряда и маркированию поверхности составляет 10-15 с, в то время как по известному способу для формирования защитного слоя требуется от 1 до 5-ти часов.Формула изобретения Способ легирования полупроводниковых соединений типа АВ путем диффузии примесей из паровой фазы в пластину в закрытой системе с предварительной обработкой пластины для предотвращения разрушения ее поверхности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, чт о, с целью упрощения процесса и сокращения его времени, предварительную обработку ведут путем ориентации поверхности пластины по кристаллографическим плоскостям, имеющим наружный слой из атомов А или 8 и последующего воздействия на пластину импульсами напряжения отрицательной полярности и иглового электрода в диэлектрической среде до возникновения приповерхностного стримерного разряда, а диффузию ведут в ту поверхность пластины, на которой возникает стримерный разряд,