C30B 15/28 — с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами

Номер патента: 469285

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Батюков, Жадан, Кузьминов, Лейбович, Нагорнов, Сухарев

МПК: C30B 15/28, C30B 15/30

Метки: вертикального, взвешивания, вращения, вытягиваемого, перемещения, расплава, слитка, способу, чохральского

...подвешен на тяге, проходящей в полости штока и передающей усилие 1 О на тензоэлементы, Тензоэлементы вра щаются вместе со штоком и соединены с контрольно-регистрирующей аппаратурой через вращающиеся контакты, поэтому полезные сйгналы значитель но зашумйены помехами (до 257. по амплитуде) ог термо-ЭДС, наводимой в результате трения неподвижных контактов о вращающиеся контактные кольца. 26 Целью изобретения является разработка устройства, позволяющего устранить указанные выше помехи контроля и регулирования технологических параметров за счет исключения применения скользящих контактов для передачи сигналов с устройства на тенэоэлементы.Для этого тяга, на которой подвешен держатель слитка, выполнена в виде упругой нити, шарнирно связанной...

Номер патента: 406402

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Батюков, Воронов, Казимиров, Ктиторов, Лейбович, Макеев, Рогожин, Смирнов, Ульянов, Хлус

МПК: C30B 15/28

Метки: вытягивания, расплава, слитков

...передается с мембраны на консольнуюбалку 6 с тенэоэлементами 7 посред ством скобы 8.Для возможности ликвидации перепада давления по сторонам мембраны,консольная балка с тензоэлементамиустановлена в полости герметичного 15 корпуса 9.Изобретение относится к вытягиванию и расплаву слитков, преимуще"ственно монокристаллов полупроводников по способу Чохральского.В известном устройстве для вытя"гивания слитков из расплава на затравку, включающее введенный сверху в полость камеры полый шток сзатравкодержателем, прикрепленнымк нему при помощи тяги, передающей,соответствующее весу слитка усилиена тензоэлементы,С целью повышения точности контроля веса вытягиваемого слитка впредлагаемом устройстве тяга с длиной, превышающей длину штока, подвешена...

Номер патента: 1745780

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонов, Леонов, Рыбинцев, Сатункин

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: выращивания, жидкостью, защитной, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...запас устойчивости замкнутой системы в обычном способе Чохральского, Повышение степени астатиэма впервую очередь требуется для обеспеченияточного отслеживания нелинейного программного задания в режиме формирова-.ния конусов. Очевидно, что задача синтезауправления для обычного способа Чохральского практически совпадает для способаЧохральского с жидкостной герметизацией, 25если формирование конуса происходит полностью под флюсом. В этом случае уравнение наблюдения (21) упрощается иопределяется в видеУ(1) = У 1(1) = С(1)Х(1) + Ю (1) Й(1). (22) 30В уравнениях (21) и (22) в отличие отобычного способа Чохральского появляетсяизвестный заранее множитель (1 - , ), Прианализе замкнутого состояния вектор входных воздействий 0 (1) необходимо...

Номер патента: 1798396

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин, Россоленко

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: автоматическом, выращивания, кристаллов, расплава, режиме

...следуюьцие размеры: диаметр - 50 мм, высота - 50 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия, также использовался платиновый конический экран, Расплав находился при температуре 1160 С, В расплав опускали платиновую пластину диаметром 30 мм и толщиной 1 мм на глубину 2 мм от поверхности расплава. Температуру Тп пластины измеряли при помощи Рс-РЯтермопэры. После затравливания и формирования перетяжки выращивание проводили в автоматическом режиме. При этом перемещение пластины при выращивании кристалла осуществляли таким образом, чтобы расстояние между пластиной и поверхностью расплава сохранялось постоянным. Выращивание проводили при скорости вытягивания 5 мм/час и скорости вращения...

Номер патента: 570237

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Сухарев, Фрейман

МПК: C30B 15/28

Метки: взвешивания, вытягивания, диаметра, кристаллов, методом, расплава, регулированием

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава с регулирование его диаметра методом взвешивания, включающее герметичную камеру с тиглем и нагревателем, установленную над ней подвижную в вертикальной плоскости каретку, связанную с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, расположенного в емкости с жидкостью, и датчик веса, электрически соединенный с системой управления процессом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования диаметра кристалла и упрощения устройства, оно снабжено рычагом, опора которого установлена на каретке, а противоположные концы плеч соединены с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, и датчик веса соединен с одним из плеч.2....