C30B 33/02 — термообработка

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...

Номер патента: 127030

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 33/02

Метки: гомогенизации, интерметаллических, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых

...образующих. твердый. Способ гомогенизации тв герметаллических соединени получения однородных тверд водят. при температуре выше ниже температуры тугоплав раствор,ердых раствор й, отличаю ых растворов, температуры п кого компоне Существующий в настоящее время способ гомогенизации твердых растворов после закалки проводится как диффузионный отжиг при медленном повышении температуры сначала до температуры плавления легкоплавкого компонента и в дальнейшем до ее значений; соответствующих значениям, находящимся ниже линии солидуса на диаграмме состояний сплава. Для некоторых твердых растворов такая технология закалки и отжига оказывается непригодной; так как гомогенизации не удается провести (например, для системы 1 пЯ - АВЬ) даже при отжнге,...

Номер патента: 171854

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: аб, всесоюзядя, иот, латенчо, нсмя, резников, яи, •-6

...и( и )отиГ ( с(т Г) (х)) ( (бладающцхи 1) )(стал л а и ц посл. с тем, что,к( цц) тмикц)(:)- ( ) ь )(цй цр б Подпсн(л г/)(/(тп ЛГ д11 Отжиг, например моцокристаллов 1.)Р, поизвестному способу проводят в цзотермических условиях. При этом процесс требует достаточцо высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медлецного охлаждения,Предлагаемый способ быстрого цизкотемпсратурцого отжига заключаетсл в использовании цецзотермцческой релаксации прибыстром нагревании. Прц этом уровець цапряжешш искусствеццо повышается за счетцаложецил ца остаточцые цапрякеция термоупругих цапряжеций (скорость, рассеяниеостаточцых напряжений возраста(от), температура, до Которой надо нагревать моцокристалл, понижается, допустимая скорость...

Номер патента: 394457

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: 394457

...достигается тем, что цагревание, выдержку и охлаждение повторяют периодически более двух раз при давлешш 10 - 10" аг, причем нагрев ведут до температуры 0,8 - 0,9 Т пл 1 кристалла, д охлаждение- до тсопсратмры 0,4 - 0,7 Т пл К кр псталл д. Где СС - рд 3 цоце 1 с КОН- с",ццтряцИИ 3 СИСИ и КрпстЛЛС Ирп тс Мпердурах нагрев 1=0,8 - 0,9 ТилК и То=-0,4 - 0,7 Т пл К соответственно, 1. расстояние МСЖДМ ВДКДИСПОИПЫ)И ПСТОЦПКДМИ И СТОК 1. ми), возникающей ири тсраОцшлиро 3 и 3 и, ПО СраВПсцИЮ с терМОдпнМНЧЕСКОй СИЛОЙ Прп : зотероическс)1 От)киге 1 - 1 пг Где с. . РВПОВЕСИДЯ СОНЦЕЦтРДЦИЯ ВаКацсий около дефект при ,), д также избирдтельной рботой цдкднсионпых источников и стоков ц услоциях термоциклирования ири 13 ЫСОКО) ДДЦССИИИ -- ПРСИММЩССТВЕ 13...

Номер патента: 403226

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Гончаренко, Изобретени, Инский, Смушков

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: величиной, малой, монокристаллов, напряжений, остаточных

...отжпга в пзотсрмичсских условиях при температуре близкой к Т плавления.Нсдостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет процесс.С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре от Тпор до 1"Т,:, - 100 С .Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повышает его надежность и упрощает условия проведения отжига.П р и м е р. Чонокристальную булю изнатрия хлористого диаметром 140 мм вы сотой 8 б мм помещают в печь отжига.Температуру повышают со скоростью 10%ас до 450 С. При этой...

Номер патента: 1641901

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: качества, корунда, монокристаллов, профилированных

...в таблице данные имеют следующие обозначения: Т - температура отжига; Р - парциальное давление кислорода в зоне отжига; т 1 - время разогрева печи; х - время изотермической выдержки; тз - время снижения температуры; х 4 - время инерционного охлаждения; М - энергетические затраты по сравнению с прототипом; К - коэффициент скрытого брака.Печь нагревают в течение времени т 1 до температуры Т и выдерживают при этой температуре в течение времени г 2, после чего выключают нагрев, и печь инерционно остывает до комнатной температуры в течение времени гз . Затем извлекают из печи отожжейные образцы и визаульно контролируют наличие инородной фазы (помутнение кристаллов),При сравнении результатов отжига основными показателями...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...

Номер патента: 1686045

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Заславская, Чижов

МПК: C30B 29/20, C30B 31/02, C30B 33/02 ...

Метки: лейкосапфира, окраски

...оксид никеля, для получения синей окраски - оксид кобальта, для получения оранжевой окраски - оксид стронция, 3 з,п,ф-лы,части спектра с координатами цвеХ=0,238; У=0,278. П р и м е р 2. Образец аналогичен образцу предыдущего примера; условия эксперимента и используемое оборудование - те же, но нагрев производят до 1400 С, а выдержку уменьшают до 2 ч. Полученный (окрашенный) образец имеет окраску в пределах голубой части спектра с координатами цвета Х= 0,200; У.=0,241,П р и м е р 3, Образец аналогичен образцам предыдущих примеров, но помещен в порошок окиси кобальта, Нагрев до 1150 С, а выдержка - 8 ч. Окрашенный образец имеет окраску в пределах синей части спектра с координатами цвета Х= =0,201; У= 0,165,П р и м е р 4. Образец...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1717677

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Миронова, Назарова, Остащенко

МПК: C30B 33/02, C30B 33/04

Метки: облагораживания, пренита

...10-20 мин при 170-190 С.П р и и е р.1. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 5 10 эл/см, после чего он приобретает коричневато-розовый цвет, затем помещают в му1717677 Таблица 1 Таблица 2 фельную печь и выдерживают при 150 С в течение 10 мин, Кристалл приобретает телесный цвет, ювелирной прозрачности добиться не удается, При увеличении времени термообработки происходит обесцвечивание образцов.П р и м е р 2. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 10 эл/см,16 2 после чего он приобретает коричневато- желтый цвет, затем помещают в муфельную печьи в течение 15 мин выдерживают при 170 С, Кристалл приобретает красивый лимонный цвет, При увеличении времени термообработки происходит посветление окраски и полное...

Номер патента: 1733516

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Бойков, Грибанова

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: пленок, системы

...обогащенной20 висмутом, а также пленка становится неоднократной по толщине. Отклонения составапрослоек между кристаллами от стехиометрического проявляются, таким образом, привыходе времени отжига как за верхнюю, так25 и за нижнюю границы заявляемого диапазона, что влечет за собой снижение критического тока,. Также необходимым признаком предлагаемого способа является величина пар 30 циального давления активных компонентоватмосферы, в которой производится обработка, Парциальные давления кислорода -Ро и паров В 1-Рв должно находится в интервалах 1,5 - 15 и 0,1 - 1,5 Па соответствен-35 но. При величинах Ро1,5 Па происходитобеднение приповерхностного слоя пленкии областей вблизи границ кристаллитов кислородом и вследствие этого падение 1 кр,...

Номер патента: 1603863

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов

...После начала плавления изделия под действием грузов 7 начинают линейно перемещать нагреватель сквозь изделие со скоростью, определяемой весом грузов 7. Благодаря этому происходит пооплавление эоны, содержащей напряжения. При этом нагреватель последовательно занимает позиции А, В и С (фиг. 1 и 3). Одновременно с проплавлением (фиг. 4 поз, 9 - расплав) в зоне 8, в 3 - 5 раэ превышающей толщину нагревателя 5, происходит пластическое течение, После пройлавления и пластического деформирования в зоне с напряжениями резко понижается плотность пор уменьшается протяженность границ блоков. После прохождения этой зоны снижают температуру нагревателя и упрочняемого изделия до комнатной.Сапфировый стоматологический имплантант ИС - 105 (фиг, 2)....

Номер патента: 1784669

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1818364

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кадмия, кристаллов, теллурида

...Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение...

Номер патента: 1828882

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...

Номер патента: 1476982

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов, Сирота

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов, термообработки

...металлической струны в рабочем пространстве электроэрозионного станка, Возникающее придвижении струны трение приводит к износутела направляющей вставки и из-за ее разрушения к поломке станка, Условия работынаправляющей вставки напонимают шлифование корунда закрепленным абразивом.Целью изобретения является увеличение срока службы изделий иэ монокристаллов корунда,П р и м е р. Корундовые направляющиевставки помещают в закрытый молибденовый контейнер и загружают в печь СШВЛ1:3,2/25. Рабочее пространство печи откачивают до давления 5 105 мм рт.ст, Печьнагревают со скоростью 500 град/ч до температуры Т 1 (см.табл.), выдерживают приэтой температуре в течение времени т 1,снижают температуру со скоростью 500 25град/ч до температуры Т 2,...

Номер патента: 1440098

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Атрощенко, Васильчук, Колыбаева, Сало, Селин

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов, термообработки

...м е р, Монокристаллы дигидрофосфата калия КДР) в количестве 4 шт. размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями 001) помещают в печь при комнатной температуре и нагревают со скоростью 25 град/ч до 120 С, со скоростью 4 град/ч до 150 ОС, со скоростью 0,7 ОС/ч до 170 С и скоростью 0,3 С/ч до достижения температуры 195 С; выдерживают при этой температуре 15 сут, а затем охлаждают с такой же скоростью, как и при нагреве, в тех же температурных интервалах.До и после отжига определяют величину внутренних напряжений, лазерную и механическую прочность. Величину внутренних напряжений определяют по измеренным Формула изобретенияСПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО- КРИСТАЛЛОВ ДИГИДРОФОС ФАТА КАЛИЯ, включающий нагрев, выдержку и охлаждение,...

Номер патента: 1345688

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки

...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Номер патента: 1752023

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 623298

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин, Симонов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/02

Метки: кремния

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.