G02F 1/35 — нелинейная оптика

Номер патента: 166408

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Руды

МПК: G02F 1/01, G02F 1/35

Метки: модулятор, нелинейный, потока, светового

...Заявлено 17,Х 11.1963 (Лс присоединением заявПриоритет от 28,Х 11,196Опубликовано 19,Х 1,19 Известны модуляторы светового потока, выполненные в виде плоскопараллельной стеклянной пластины. Модуляция светового потока осуществляется путем качания пластины или вращения ее вокруг оси, лежащей в плоскости пластины.В предложенном модуляторе ось вращения модулятора установлена наклонно к направлению светового потока и к нормали к плоскости пластины. В результате модуляция светового потока происходит непрерывно при сохранении высокой стабильности частоты модуляции.На фиг. 1 изображен модулятор, выполнен. ный в виде стеклянной плоскопараллельной пластины; на фиг. 2 - модулятор, выполненный в виде воздушной плоскопараллельной пластинки,...

Номер патента: 525043

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Нежевенко, Спектор

МПК: G02F 1/35

Метки: изображений, нелинейного, преобразования

...= Б К 1 Т(хрч)2 . (1)ТЛ=1Таким образом, указанный способ позволяет реализовать нелинейные преобразования изображений, описываюшиеся или аппроксимирующиеся полиномом (1), Его использование позволяет обойтись без применения нелинейных сред с труднорегулируемыми характеристиками, преобразование производится без использования каких-либо химических процессов, в результате чего достигается высокое быстродействие; путем замены светофильтров в частотной плоскости возможна оперативная смена параметров преобразования. Способ нелинейного преобразования изображений путем пространственной модуляции равномерного светового потока транспарантом, отличающийся тем,что, с целью повышения быстродействия,световой поток многократно модулируют одним и тем...

Номер патента: 725058

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Боков, Борисов, Керимбеков, Корсаков, Лаврищев, Панюков, Плавич, Полторацкий

МПК: G02F 1/35, H01G 9/22

Метки: индикаторное, электрохромное

...электрохромное индикаторное устройство,;цредставляющве собой элекпрохимичесиую я)чейку, содержащую п)роз(рачную рабоч)ий электрод,и противоэлектрод, на)песенные на проз)рачные диэлектрические пластины, пространство между)которыми разделено мембраной на рабочий и вспомогательный объемы, заполненные соответственно рабочим и ионоп)роводяпвим раст)во)рам)и 2, В качестве электродов используют прозрачные пленки окиси олова, в качестве рабочего )раство)ра применяются органичвсиие окислительйов)осстанов)итель)ные системы из кла)сса гид)роксигалоидофенилов, алкило- или арилометоксифен)илов и т. п, При приложении электр)ического )поля к электродам происходитобразование слоя оирашенных капионрадикалов на рабочем электроде.Таки)м образом,...

Номер патента: 820457

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Винецкий, Кухтарев, Марков, Одулов, Соскин

МПК: G02F 1/35

Метки: когерентных, преобразования, пучков, световых

...закону, 1-ехр(Гг), где Г - коэффициент усиления. При достаточно малых значениях Гг, разлагая экспоненту в ряд, получаем 1- + (Гг), (Гг)1. Однако последнее условие может быть достигнуто и при больших значениях коэффициента усиления Г, за счет малости г. Поэтому можно вычислить значение Г при малом усилении4Г:1 и для больших Г, рассматривая случай малого усиления при не слишком больших толщинах прохождения света. Это достигается путем разложения 1,в ряды по малому параметру О, пропорциональном Л(2) 1 ОР 0Рпмюй р и собирания членов одинакового порядкапо Й в (1).Выражение для интенсивностей и фазпрошедших пучков для общего случая произвольной модуляции весьма громоздки, ц поэтому приводятся результаты для конкретных частных случаев.1....

Номер патента: 1323999

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Воропай, Гусенков, Саечников, Торпачев

МПК: G02F 1/35

Метки: волны, двухфотонного, длины, зависимости, излучения, измерений, поглощения, сечения

...сечейия двух 40л (аЪфотонного поглощения о , Регистрируют сигнал М опорного детектора 5, на который посгупает излучение,1РоТраженное от светоделителя 4 , и,сигнал Мизмерительного детекто 45ра 6, на кОторый поступает излучение,Иотраженное от светоделителя 4 . Затем ослабитель 3 из положения А, когда он ослабляет поступающее на объект50излучение, переводят в положение В,когда ослабляется только поступающеенепосредственно на детекторы излучение, Регистрируют сигнал М, (1) опорного детектора 5 и сигнал М( М )измерительного детектора 6. Затемустанавливают следующее значениедлины волны излучения, возвращаютослабитель 3 в положение А и повто ряют. указанную последовательностьопераций. Зависимость сечения двухфотонного поглощения от длины...

Номер патента: 1403006

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Корниенко, Ларченко, Малый, Понежа, Федорченко

МПК: G02F 1/35

Метки: длины, излучения, лазерного, области, самофокусировки, фокальной

...происходит самофокусировка лазерного пучка и возбуждается процессвынужденного комбинационного рассея"ния (ВКР ). ВКР сопровождается возник,1403006 А 11403006 высить точность ее определения, поскольку базируется на обладающих большой точностью измерениях длины волны,а также поскольку результаты измере"ний не зависят от движения фокапьнойобласти самофокусировки,Формула изобретения Лс Лл (Лс Лд) у;л 1 ь,( -)-ль- Ц где и, и, п ": показатели преломления вещества на длинах волн Л , Л,1 Лс Лл гл,-Л.соответственно. Составитель А.ЮепелевРедактор А.Лежнина Техред Л.Сердюкова 1(орректор М.Максимишинец Заказ 2856/37 Тираж 533 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д....

Номер патента: 1299326

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Лесник, Соскин, Хижняк

МПК: G02F 1/35

Метки: волнового, обращения, фронта

...сигнальный пучок эаписыцают.в нелицейцой среде голограммы,обеспечивающие возникновение пучка 4с ОБФ по отношению к волновому фронту сигнального пучка 3. Например,пучок 4 возникает при записи голо-. 35граммы пучками: 1 и 3 и дифракции цаней пучка накачки 2 отраженного отзеркала, 2 и 3 и дифракции на нейпучка 1, отраженного от зеркала 1 и3, отраженного от зеркала, и дифракции на ней пучка 2, 2 и 3, отраженного от зеркала, и дифракции на Йейпучка 1, 1 и 3 дифракции пучка 2 отражении, возникающего при этом пучкаот зеркала. 45Предлагаемый способ позволяет припрочих равных условиях примерно в 7раэ увеличить интенсивность обращенной волны о сравнению со способом -прототипом при сохранении основного 50преимущества способа -...

Номер патента: 1483421

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Бурцев, Коротков

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, импульсного, оптического, фокусирования

...вариацией параметров активной среды источника А, Так, для источника в области Х=9,4 - 10,6 мкм - лазера на угпекислом газе, увеличение концентрации М в рабочей смеси от 5 Я до 25 О," приводит к увеличению длительности импульса 3 от - 100 до 500 - 600 нс. Получение импульсов ИК-излучения меньшей длительности (1 - 10 нс) возможно при использовании других методов, в частности метода синхронизации мод.Таким образом, возможное изменение длительности фронта нарастания импульса т находится в пределах от 10 " до 10с.Создав в газовой среде (кювета 2) градиент степени возбуждения, характер которого определяется видом распределения в пучке 1, получают в случае использования гауссова пучка возбуждения А=ЗоехрХ )( ( - рК) распределение...

Номер патента: 1613993

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Мамаев, Шкунов

МПК: G02F 1/35, G03H 1/00

Метки: волнового, самообращения, фронта

...гелий-кадмиевый лазер 1 (=0,44 мкм), набор ослабляющих Фильтров 2, полупрозрачное зеркало (В, 80 Х) 3, фокусирующая линза 4 с Фокусным расстоянием Г 8 см, неоднородная по толщине стеклянная Фазовая плас;инка 5, объектив 6 с Фокусным расстоянием Й.в 5 см, фоторефрактивный кристалл 7 ВаНОизмеритель 8 мощности падающего лазерного излучения и измеритель 9 мощности обращенного излучения., Излучение гелий-кадмиевого лазера 1 мощностью м 60 мВт после прохожде-. ния ослабляющих фильтров 2 отражается полупрозрачным зеркалом 3. Далее излучение проходит через линзу 4, через вносящую в пучок спекл-структуру фазовую .пластинку 5 (стакдартную для экспериментов по обращению волнового фронта) и фокусируется объективом 6 в Фоторефрактивный кристалл 7...

Номер патента: 1635157

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Мамаев, Шкунов

МПК: G02F 1/35, G03H 1/00

Метки: волнового, самообращения, фронта

...пластинку 7, двулучепреломляющий клин 8 из исландского 40 шпата, фокусирующий объектив 9 с Г: 5 сл.фоторефрактивный кристалл 10 БаТО- измерители мощности 11, 12 и 13, клин 11 з плавленного кварца.Излучение гелий-кадмиевого лазера 1 45 мощностью б 0 МВТ пропускалось через набор ослабляющих фильтров 3, позволяв-, ших менять интенсивность лазерногозлучения, отражалось от зеркала 5, проходило через линзу б, через вносящую в лазерный -0п пучок спекл-структуру неоднородную по тодщине стеклянную фазовуп пластку 7, стандарт ную для эксгерим. то в по обращению волнового фронта, через клин 8 фокусировалось объективол 9 в фотореф рактивный кристалл 10 ВаТОз. Кристалл 10 ориентировался до получения нелинейного отражения лазерного излучения в его...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1484132

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Андреев, Батурина, Воеводин, Грибенюков, Калеева

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...1486132цаллГ.ь цл лцо фторопиястоВОГР стока ца 6 с внутреццчм Зиаметром РВ стакан заливали свежеприготовлецный раствор гцлохлорита натрия ИаОС 1, После отклонения оси стакана0 1 ц пт вертикали ца угол 40-50 стакан 1 приводился во вращение со скоростьюУ, (об/мин). Вращение стакана вокруг своей осн вызывает вра шецце шайбы со скоростью ОШУ 1), /Пы, об/мин. Химико-динамическая полировка рабочих поверхностей ППЧОИ из монокристалла ЕпСеР в водном растворе гипохлорита натрий 15 проводилась при различных значенияхО, и Пщ, при этом характеристика ППЧОИ зависит от обобщенного параметра ЧмаОсб - скорости потока водного раствора гипохлорита натрия 20 относительно ППЧОИ (см/с), которая равна скорости линейного перемещений НПЧОИ относительно...

Номер патента: 1793417

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Белогуров, Долгов, Захарьевский, Лебедев, Пастушенко, Соколов

МПК: G02F 1/35

Метки: амплитудной, излучения, модуляции

...пример конструктивного исполнения элемента амплитудной модуляции;где показаны источник 1 ойтйческого излучения с несущей частотой 11, источник 2 оп тического излучения для передаваемого сигнала, ответвители 3-5, элемент 6 амплитудной модуляции, волоконные световоды 7 и 8 с эффектом обратимого фотообесцвечивания (световоды с беспримесной серд цевиной из кварца длиной 10-40 м, . предварительно облученный, до дозы 50- 5000 рад)источник 9 оптического излучения с несущей частотой Ь, источник 10 оптического излучения для передаваемого 25 сигнала, соединители 11 и 12 оптические, световодная линия 13 связи, фотоприемный блок 14, блок 15 электронного усиления и разделения сигналов по частоте, корпус контейнера элемента 16, источник 17 ф-из...

Номер патента: 1831710

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Зубарев, Игнатенко

МПК: G02F 1/35

Метки: плотности, поля, реализации, статистических, флуктуации, характеристик

...электромагнитной волны со средой, зкспоненциальный множитель в (3) остается неизменным. Поэтому принято обозначение комплексной амплитудыаоехр(а 1+ дЪ)=но.После двойного пропускания зондирующей волны через среду 4 и, с учетом того, что, во-первых, на ветви оптической. схемы АВС происходит переворот изображения вокруг оси Е на 180 о, во-вторых, на отражателе 14 происходит отражение с обращением волнового фронта, комплексная амплитуда волны будет иметь вид 1ц=С 1+Сгехр( ф(х,-у, т). р (х,у, т, (4)где введены обозначениЯ: С 1=цо(т 112+Р 1 Р 2); С 2=20 оЫгР 1 Р 2; т 1, 12, Р 1, Р 2- соответственно коэффициенты пропускания и отражения зеркал 5 и 7, причем, 1+р=1. Будем считать для простоты, что для зеркал 6, 912 и для ОВФ зеркала 14...

Номер патента: 1440193

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Иншаков, Пономарев, Хулугуров

МПК: G02F 1/35

Метки: волнового, волны, материал, нелинейный, обращения, фронта, электромагнитной

НЕЛИНЕЙНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ путем создания в нем динамической дифракционной решетки на основе кристалла флорида лития, содержащего поглощающие центры окраски, включая F2 - центры, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности, затрачиваемой на создание в нем динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний, рабочих центров и расширения спектрального диапазона обращения волнового фронта, в материале дополнительно создают F+3 и F+3* центры в концентрациях, определяемых следующими выражениями:

Номер патента: 1220475

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич

МПК: G02F 1/35

Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.

Номер патента: 1215506

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Куликов, Николаев, Сухарев

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, импульса, лазерного, профилирования

Устройство для профилирования импульса лазерного излучения, содержащее систему светоделительных зеркал, отличающееся тем, что, с целью повышения энергосъема в каскадах усиления путем увеличения спектрального состава профилированного импульса, оно дополнительно содержит по крайней мере два возвратных зеркала, расположенных на выходах системы светоделительных зеркал и выполненных в виде ВРМБ-кювет с нелинейными средами, причем нелинейные среды выбраны с учетом соотношениягде Vзв - скорость гиперзвука в нелинейной среде;n - показатель преломления нелинейной среды;с - скорость света в...

Номер патента: 1365932

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Агапов, Дерюгин, Сотин, Шевцов

МПК: G02F 1/35

Метки: волновод, нелинейный, оптический

Нелинейный оптический волновод для параметрического преобразования оптических излучений, состоящий из диэлектрического волноводного слоя, содержащего нелинейную поликристаллическую пленку с преимущественной ориентацией кристаллитов, на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности параметрического преобразования, диэлектрический волноводный слой дополнительно содержит по крайней мере одну нелинейную поликристаллическую пленку и одну аморфную пленку, при этом аморфные и нелинейные поликристаллические пленки чередуются между собой, а толщины нелинейных поликристаллических пленок не превышает среднего размера кристаллита.

Номер патента: 1380476

Опубликовано: 27.04.2004

Автор: Меньших

МПК: G02F 1/35

Метки: генерирования, колебаний, электрических

Способ генерирования электрических колебаний, основанный на возбуждении электромагнитных волн с широким спектром частот в анизотропной среде под действием поля импульсного источника света, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности колебаний СВЧ-диапазона, электромагнитные волны возбуждают в анизотропной среде, помещенной осесимметрично в круглый волновод, параметры которого и двулучепреломление анизотропной среды выбирают из условиягде - длина световой волны в вакууме;