C30B 29/34 — силикаты

Номер патента: 165670

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Костин, Техническдй

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: выращивания, монокристаллов, слюды

...перегреве в центре печи(1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения 25 или нагрева. Спосоо выры из расплав 0 тигля с распл одписнпя группо ЛБ 33 Известны способы выращивания монокристаллов елоды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания тигля с раснлавом сквозь зону максимального нагрева. Процесс требует много вр(меня и ведется ступенями.В предлагаемом спосоое, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разо.ретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный...

Номер патента: 168261

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C03B 11/02, C30B 29/34

Метки: 168261

...калиевый полевой шпат, содержащий примеси Ма.О до 3,5%, СаО до 0,4%, Ре 20 з до 0,3% с добавками МдО и МоГ2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллизационной способности расплава и возмещения потерь летучих, в основную шихту вводят 2,5% К 51 Г. Подписная группа М 39 Известны способы выращивания синтетической слюды из расплава шихты, состоящей из различных химически чистых компонентов, взятых в стехиометрии. Эти способы не позволяют получать кристаллы больших разме ров; кроме того, они сравнительно дороги.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что получаются более крупные кристаллы с использованием реагентов меньшей стоимости. Особенность способа заклю чается в том, что берется шихта, состоящая в...

Номер патента: 257462

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аникин, Ишбз

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: веществ, монокристаллов, особенности, тугоплавких, фтор-слюды

...конечного продукта и упрощения процесса предлагается в качестве растворителя использовать смесь обезвоженных фторидов элементов 1 и 11 групп периодической системы элементов, а в качестве растворимого - поликристаллпческий конечный продукт или смесь компонентов, образующих его в процессе реакции. При этом растворитель вводят в количестве от 3 до 80% (преимущественно 20 - 60%).П р и м е р. Химически чистые ЯР, ВаР 2 смешивают со скрапом слюды КМДзА 1 Яз 01 о 1 Р 2 фракции 0,5 - 1 мм в соотношении ЯР 30%, ВаР 37%, слюда 33%, брикетируют и загружают в тигель из мало- углеродистой стали. После этого его вакуумируют и заполняют аргоном. Внутреннюю поверхность тигля предварительно очшцают от ржавчины и для удаления механических примесей и...

Номер патента: 319319

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Бобр, Ивановский, Сердюков, Шмелев

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: 319319

...КСО 3, МдГ 2, МдО, ЯО А 1,0) добавляют один из 15 фторидных .1 Г (0,3 - 1 вес, ч.), ХаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), или одну из фторидных смесей эвтектического состава: МдГ, + .1 Г (0,3 - 10 вес. ч.), МдГ 2+ МаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), 1.1 Г + СаГ 2 (0,3 - 5 вес. ч.) и др. 20Шихту перемешивают и помещают в тигель, который герметизируется и окружается тепло- изоляционной засыпкой, Шнхту плавят при 1180 С и ниже, кристаллизацию осуществляют путем медленного охлаждения до темпе дм ет из об ния синтетнческои ва шихты, о телью увеличеанных и ограацию ведут из сверх стехиоч, фторидов в 750 в 9 С. исталлов из расплачто, с ц ренциров исталлиз ержащей - 10 вес.60 С до получения к а тениолита ийся тем ества дифф исталлов, к щихты, сод ниолита 0,2 от 1000...

Номер патента: 1021682

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Волынец, Демиденко, Денисов, Денкс, Дудельзак, Рыжиков, Терентьева

МПК: C30B 29/34

Метки: «и—или», алюмосиликата, катодохромный, материал, основе, фото, щелочногалоидного

...впределах 0,05 и0,70.В конкретных содалитах в отличиеот указанной химической формулычасть элементов (йа, А 1, 51 и Х) может быть заменена другими легирующими добавками или они могут быть введены дополнительно. В частности,для обеспечения высоких Фотохром- .ных характеристик материал можетиметь в составе добавки 50 , 55 е Те , ИОУ. 1Ионолитный материал изготовляютсогласно способу, включающему рекристаллизационное прессование исходного содалитового порошка дополучения из него монолита с плотностью не менее 99 от теоретическойплотности содалита, имеющего тождественный химический состав с изготавливаемым поликристаллическим содалитовым материалом. Условия рекристаллизационнога прессования (температура прессования 800-1200 ОС,...

Номер патента: 1693137

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/34, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски, ювелирных

...ф о р мул а изобретения Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий, включающий их гамма-облучение и последующую термообработку, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью придания турмалину интенсивной красно-малиновой окраски, облучение ведут интегральной дозой (7,8-8,1) 10 Р, а термообработку проводят при 80-90 С в течение 30 - 40 мин,Составитель Ф.МамаджановТехред М. Моргентал Корректор М,Демчик Редактор Н,Яцола Заказ 4056 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 трмалина опускают в канал у-источника в Со и облучают у -излучением со средней...

Номер патента: 1754807

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Васильев, Дудкина, Каргин, Скориков, Цисарь, Чмырев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: висмута, монокристаллов, силиката

...монокристалла В 123 Ого ведут по методу Чохральского при скорости вытягивания 0,7-1,6 мм/ч и скорости вращения 30 об/мин при программном снижениитемпературы расплава, При соотношениимассовых процентов компонента А к5 В 123 Ойдо в шихте 7,5-50 мас,поглощаетсяфоточувствительность в диапазоне 0,4-0,7мкм видимой части спектра при уменьшении коэффициента оптического поглощенияс сохранением его электрооптических10 свойств. Электрооптический коэффициентдля полученных указанным выше способоммонокристаллов силиката висмута равенЧ 41=(4,4 + 0,2) пм В в видимой части спектра, что говорит о том, что он не ниже, чем у15 нелегированного В 12302 о, у которогоЧа 1=4,2 й 0,2 пм В на длине волны Л=546нм,Электрооптическая эффективность полученных...

Номер патента: 1506951

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Андреев, Дубовик, Коршикова, Коток, Лебедев, Салийчук

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: лангасита, материал, основе, пьезоэлектрический

...затравку методом Чохральского, Выращенные монокристаллы механически разрезают на ориентированные пластинки - пьезоэлементы. Введение в исходную смесь оксида алюминия или диоксида титана улучшает1506951 сыпучие свойства исходных порошков и позволяет проводить смешение не в жидкой фазе(спирт, вода), а насухо, что значительно упрощает и сокращает процесс синтеза шихты.В таблице приведены параметры пьезоэлементов, изготовленных иэ монокристаллов лангасита, модифицированных алюминием и титаном при различном соотношении замещающих ионов, в сравнении 10 с аналогичными параметрами пьезоэлементов, изготовленных из монокристаллов лангасита Все сравниваемые образцы лангасита. Все сравниваемые образцы имеют одинаковые срезы для возбуждения про...

Номер патента: 1816813

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Головей

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: калия, монокристаллов, ортосиликата, свинца

...м е р 5, Аналогично и. 2, но вырам 1свинца, При выращивании монокристаллов щивание ведут из состава с избытком,Оиз стехиометрического состава происходит мол,% окиси свинца. Полученные кристаллыобеднение расплава окисью свинца и появ- не содержат блоков трещин, твердофазныхление твердофазных включений. Добиться и газовых включений.устранения твердофазных включений уда П р и м е р 6. Аналогично и. 2, но вырается засчетдобавления небольшого избыт- щивание ведут из состава с избытком 1,2ка (0,2-1,0 мол,) окиси свинца. В этом мол. окиси свинца. Кристалл содержитслучае в течение времени, необходимого твердофазные включения.для вцращя выращивания кристалла изменение соФП р и м е р 7, Аналогично и. 2, но вытя.Пстава расплава...

Номер патента: 1175186

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Валеев, Глюк, Демина, Мироненко, Михайлов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: берилла, кристаллов, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2-x Be1+x Al2 Si6 O18 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.

Номер патента: 1450409

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 29/34, C30B 5/00

Метки: монокристаллов, цеолита

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЦЕОЛИТА (NA,LI)F, включающий образование геля из исходных растворов кремнийсодержащего реагента и алюмосиликата натрия с отношением Si Al 1 2 1,5 1, смешивание геля с раствором гидроксида лития в объемном отношении 2 1 1 2 до соотношения Li Na 1 2 1,5 1 в смеси и кристаллизацию при 80 100oС, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, в качестве кремнийсодержащего реагента используют раствор силиката натрия с содержанием 0,25 0,30 М SiO2, а исходный алюминат натрия берут с содержанием 0,25 - 0,30 MAlO-2, гидроксид лития берут в количестве, обеспечивающем в смеси 2,5 3,5 М (Na, Li) ОН и [SiO2][AlO-2] =...