Шапурко

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1775497

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Шапурко

МПК: C25B 1/24

Метки: брома

...цезия диаметром 16 мм и длиной 15 мм. Монокристалл помещали в устройство и нагревали до 600 С. После нагрева монокристалла осуществляли его электролиз, пропуская ток 10 мА, Выделяющийся в ходе электролиза бром удаляли через отверстие в крышке, Бром после удаления из устройства конденсировали в четыреххлористом углероде. Определение брома в четыреххлористом углероде осуществляли спектрофотометрически по полосе поглощения с максимумом 415 нм, Как показали ог,ыты оптимальной температурой электролиза является температура на 20-40 С ниже температуры плавления монокристалла,П р и м е р 2. Для реализации способа был взят монокристалл КВг размером 10 х 10 х 15 мм. Получение брома проводили аналогично примеру 1 при температуре 700 С, Определение...

Номер патента: 1755127

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Шапурко

МПК: G01N 21/33, G01N 21/62

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...поглощения гидрид-ионов в течение времени, необходимого для прекращения прироста интенсивности в полосе поглощения собственных электронных центров окраски, на полосе поглощения собственных электронных центров окраски,Сущность способа иллюстрируется следующими примерами:П р и м е р 1, Для определения концентрации водородсодержащих ионов был взят монокристалл бромистого цезия с введенной в шихту при выращивании гидроокисью цезия 0,005 моль,о), Кристалл диаметром 16 мм и длиной 15 мм помещали в ячейку для электролитического окрашивания, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство, После выдержки кристалла в течение 15 мин при 550 С через него пропускали электрический ток, равный 10 мА, в...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1544752

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Жуковская, Ильин, Карась, Смиловицкий, Суворов, Шапурко, Шерман

МПК: C04B 35/04

Метки: материал, огнеупорный

...состав огнеупорного материала с различным нлполцителем и относительное изменецие скорости ультразвука. 11 з полученных данных следует, что предлагаемьгй состав огнеупорного материала позволяет повысить относительное изменение скорости ультразвука в 2,5-3,5 раза. ггое Таб,лица 1 Содержацие компонентов состава,мас,. Йтггосительцое изменение скорости ультра- звука Состав Кремний Наполнитель Связующее Углеродсодержащий материалс содержанием углерода не менее70 мас,7. (чешуйчатый графит) Вегггестг е г гьгйсостав Коли- чество 0,6 0,65 0,7 0,2 0,3 О, 0,3 3 4,5 6 5 г 2 5 7 35,582,56696 1 91 2 86 3 81 4 88,5 5 87 6 88 7 80 8 83 Из 1 агнезит КорундИагггезит Коруцд(фенолформальдегидцаясмола) 10 20 П р и м е ч а и и е: Степень...

Номер патента: 1539609

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Громов, Сигаев, Шапурко, Штанько

МПК: G01N 21/33

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...равный 10 мА, в течение 5 мин,при этом отрицательный потенциал подавали на острийный электрод. По истечении 5 мин острийный электрод заменяли на плоский и избыточныронные центры выводили из крипри визуальном наблюдении в течение130 с. Затем кристалл охлаящали до к натной температуры. Концентрацию об" , разовавшихся гидрид-ионов определяли спектрофотометрически по полосе поглощения 248 нм.Результаты определения приведенытаблице.1539609 Результаты определения концентрации ОН -ионов (кол-во ионов/смэ ) 10 Концентра- Определенция вве- ная конценденной при- трациямеси ОН" Пример Материал образца Р об- разца 1 СзВг (0,005 мольн.Ж СзОН) 6,0 5,8 6,0 2КВг 1 2 3 0,34 0,32 0,34 3 СзВг 1(0,005 моль.Е 2 СвОН и 0,001 мольн.Ж 3 ВаВг) 6,0 6,0 6,0...