Безрукавников
Способ выращивания монокристаллов l с о
Номер патента: 1738877
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов
МПК: C30B 29/22, C30B 9/12
Метки: выращивания, монокристаллов
...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...
Устройство для измерения температуры
Номер патента: 1326906
Опубликовано: 30.07.1987
Авторы: Антонов, Безрукавников, Терехов, Яковлев
МПК: G01K 7/00
Метки: температуры
...состояния устройства. Пусть, 1 ап ример, сигнал, снимаемый с ПредзрительОго ус. лителя 2, больше, чем сигнал, кс)горй сц - мается с Выхода электронной модели 4 )ср моцреобрезовете.)я. 10.Де) Вьхо,с бОка 3 сравнения будет по;ожитсльцьй сиг:.1. Этот сигнал действует чесз усилитель 5 коррск 1), Два усилителя 9 и 11 и лва ицтсгратора 1 О и 13 таким образом, чго ца Вхолс электроццой модели 4 термопрео)ра)зова.гсл 5 появляеся сигнал, процорциоцальцый оциб ке уст 1)ойства и царас ге 10)цей вс Врсмсцц, В общем случас это 1 сигце 11 при постоянной ошибк, снимаемой вь.хода блока 3 срацнеци 5) ОПРСЫВаетс 51 ка;1 ратичной фуцкцпеЙ вида а+(а)1+а)1-, г(1 е коэф:рициснты а, ОЛ- страиван)тся через уилители 5, 9 ., 11. .,ив на;1 ца е)ход....