C30B 29/14 — фосфаты

Номер патента: 95747

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата

...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...

Номер патента: 100988

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, затравок, кристаллов

...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...

Номер патента: 292888

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: 292888

...,001 пзо;шруют :; т ттц т ыцение-псреохла/птдеццеПосле 22 дне.", роста Рт,П/ЦО ОДПСРОДОй Ц .тО. Поверхности роста прп помощи ьакуумной рсдмет изобретения Изобретене относится к способам разра:циВяция 32 трявок для ВырящиВяц 1 я .рсталлов однсзамсшецпого фосфата калия (КДР) .1/ЗВССТСт. СПОСОО р 2302 ЩИВЯПИя 32 ТраВОК д,1 яОристал;10 В ОДнозаъ 1 ецснного фссфата калия 5(КДР) кристаллизацией из водных раствсровпри знаешш рН раствора, равном 7 - 8.ОСЦОВЦ,тР НЕДОСТЯТКЯМИ ИЗВССТНОГО СПОСООЯявляются большая длительность процесса ислоткцость получения качественных затравок. 10ДЛЯ УСКОРЕНИЯ ПРОЦЕССЯ И 110 ГУтЕт;и КЯЧЕСТвенных 3;травок большого сечения В направлении 1001 процесс ведут при величине рН,равной -1,5 - -4,7, пересьпцеции -...

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына

МПК: C30B 29/14, C30B 33/04

Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Номер патента: 932853

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Меликсетян, Тобелко, Урусов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/06

Метки: двухвалентного, европия, фторфосфата

...цель достигается тем, что в спбсббе получения ФторфосФата двухвалентного европия путем м1Редактор О.Филиппова Техред М,Моргентал Корректор И.Эрдейи Заказ 2436 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета но изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Проиэводстненно-издательский комбинат "Патент" г.ужгород, ул. Гагарина, 101 932валентного европия при нагревании,Фторид европия берут в 11-15-кратномизбытке по отношению к ФосФату ев"ропия и нагревание ведут до 13001350 С с последующим охлаждением соскоростью 8-12 С/ц,Способ позволяет получать.монокристаллы в виде гексагональных призмразмером 6-8 мм.Оптимальной температурой, процесса получения монокристаллов ФторФосФата двухвалентного европия...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1773953

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Димитрова, Пополитов, Стрелкова, Ярославский

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: гидротермальным, группы, методом, фосфатов, элементов

...и перехода ее в раствор. При Снз го 450 мас.% скорость растворения 1 а(ОН)з мала, что лимитирует образование насыщенного раствора. При Снз ро 460 мас,% происходит образование побочной фазы, что снижает выход основного продукта. Давление жидкой фазы в системе 1 а(ОН)з - НзРО 4 - НгО точно соответствует "граничному" давлению, при котором образуется только ортофосфат лантана, а не его метафосфат. При давлении ниже 0,8 МПа наряду с ортофосфатом лантана происходит кристаллизацияа(ОН)з, что снижает выход основного продукта.Превышение давления 1,5 МПа ведет к смещению реакции образования ортофосфата лантана в сторону кристаллизации метафосфата лантана. Отношение жидкой и твердой фазы необходимо для полноты протекания реакции взаимодействия...

Номер патента: 1801993

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Коновалова, Цветков

МПК: C30B 29/14, C30B 33/10

Метки: калия, кристаллов, кт, оро, титания, травления, фосфата, химического

...фиг,1). На обоих рисунках (см. фиг.2 и фиг.З) область 11 относится к сектору роста грани (110), о чем говорит расположение ростовых полос, параллельных этой грани. Таким же образом определяется, что область 1 - сектор роста грани (10). Помимо этого, поверхности делятся на два участка, между которыми обозначивается довольно четкая граница (А и Б). Один из них (Б) покрыт частыми и тонкими полосками(штриховкой). На другом (А) ростовые полосы шире и расположены с большими промежутками либо совсем отсутствуют. Поверхность 11,Б кроме того имеет ямки и борозды травления (фиг,4). Бороздки и направление, трассируемое ямками, параллельны полосам. Приурочен- ность борозд и ямок травления к ростовым полосам свидетельствует, что они являются...

Номер патента: 1819921

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/08

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов

...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...

Номер патента: 1440098

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Атрощенко, Васильчук, Колыбаева, Сало, Селин

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов, термообработки

...м е р, Монокристаллы дигидрофосфата калия КДР) в количестве 4 шт. размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями 001) помещают в печь при комнатной температуре и нагревают со скоростью 25 град/ч до 120 С, со скоростью 4 град/ч до 150 ОС, со скоростью 0,7 ОС/ч до 170 С и скоростью 0,3 С/ч до достижения температуры 195 С; выдерживают при этой температуре 15 сут, а затем охлаждают с такой же скоростью, как и при нагреве, в тех же температурных интервалах.До и после отжига определяют величину внутренних напряжений, лазерную и механическую прочность. Величину внутренних напряжений определяют по измеренным Формула изобретенияСПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО- КРИСТАЛЛОВ ДИГИДРОФОС ФАТА КАЛИЯ, включающий нагрев, выдержку и охлаждение,...

Номер патента: 1345688

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки

...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...

Номер патента: 1732701

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ершов, Зильберберг, Кацман, Потапенко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: затравочной, пластины

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАТРАВОЧНОЙ ПЛАСТИНЫ для выращивания кристаллов типа КДР, включающий моносекториальное выращивание кристалла в направлении [101] из водного раствора в стакане, размеры дна которого совпадают с размерами в направлении [010] и и последующее вырезание из кристалла пластины прямоугольного сечения ортогонально направлению [101], отличающийся тем, что, с целью увеличения апертуры затравочной пластины при сохранении оптической стойкости выращиваемых кристаллов, вырезанную пластину помещают в стакан прямоугольного сечения, размеры сторон которого совпадают с размерами пластины в направлениях [101] и ...

Номер патента: 1771214

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Потапенко, Рубаха

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани, отличающийся тем, что, с целью снижения отходов, в качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в начале процесса визуально контролируют возникновение в растущем кристалле источника центра образования дефектов, который удаляют на всю толщину затравки.

Номер патента: 955741

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ершов, Кацман

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.

Номер патента: 1619750

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Зайцева, Пономарев, Рашкович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, кдр, монокристаллов, типа

...кристалла, г;У - объем кристалла, см ; р - плотность кристалла г/см ;з,Рр и Рс - исходные веса раствора и солисоответственно, г;СО=а+ЬТ - разновесная концентрация притемпературе Т, г соли/г раствора.Для КДР а=0,799 гс/гр-ра Ь 0,00335гс/гр-рфК; р = 2,338 г/см3Для ДКДР (Х=0,9) а=0,844 гс/гр-ра,Ь=0,0037 гс/гр рафК; р = 2,356 г/смзОбъем кристалла в момент измерения 1вычисляется по его размерам, определяемымс помощью ортогональной сетки на платформе и катетометра. На следующий отрезоквремени Л 1 (например, сутки), зная скоростьроста 2., можно вычислить предполагаемыйобьем У и из уравненияА ехр(В/Т )-(Р -Ч р)Г(а+ЬТ )(Р -Ч р)+1 = О,(3)получить температуру Т, до которой нужно снизить температуру для роста кристалла с Копз 1 за время Л 1,...

Номер патента: 1473378

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Бобков, Вшивкова, Маслов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/12

Метки: калия, монокристаллов, титанила, фосфата

Способ получения монокристаллов фосфата калия - титанила KTiOPO4, включающий кристаллизацию на затравку из расплава раствора на основе K6P4O13 и вытягивание монокристалла при охлаждении расплава раствора, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста и улучшения качества монокристаллов, вытягивание производят со скоростью 0,075-0,09 мм/ч при вращении монокристалла со скоростью не менее 30 об/мин, при этом температура расплава раствора понижается от температуры 1050-1080oC с начальной скоростью охлаждения 1,0-1,25 град/сут, которую увеличивают на 0,2 - 0,5 град/сут, до температуры не ниже 980oC.