C30B 15/24 — с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений

Номер патента: 1707089

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Васильев, Лифшиц, Севастьянов, Семенков, Станишевский, Чиркин

МПК: C30B 15/24, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...преобрэзоеэте,.ь 8 регу 1 руемого электроприесдэ Заданная скоппс ь тягиьания кристалла о,еспечиеа-; ся при помощи преобразователя 10 котос. й сравнивает два сигнала - сигнач задания и сигнал тахогенерэтора 9,,с;э овленного нэ еэлу злектподеигателя 8"1 рл нэл чии рассогласпьания скоростьэчектродеи этеля 8 аетс.этическ 11 коррек суется Погрешность поддержэ я скоро:ти вытягивания при этсм не превышает0,5.Для поддержания постоянства диаметра еыращиеаемого кристалла екчючаетсядатчик 5 массы тиля 4 с блоком 15 регулирования мощности нагревателя 3 (при схемеработы устройства с контролел массы растущего кристалла включается датчик 17 массы кристалла), При появлении сигналарэссоласоеания датчиков 5 или 17 массы5101520 25 КР 1 С аЛЛЭ ИЛИ ГИГгЯ С...

Номер патента: 1533371

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/24

Метки: кристаллизации, процесса, расплава

...положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск...