Способ травления монокристаллов ниобата лития
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(56) Иаяяац К 1,ечдпяг.1,адасопо С,М. Реггое 1 ес МдоЬае. 1. СгочЬ доше с 1 дв 1 осаСдопв апй есЬдп СЬетп, Бо 1 дг.в, 1966, р, 985. Тдд дцшцсцгеРЬуя6/7,дп Ндсяи я 7,РАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ аль(54) СПОСОБ НИОБАТА ЛИТ (57) Из обредованию дом лития путем ится к исслетуры ниобатао травления,ние отн ной стр ил. химич е 7 г засыпают в коичеств Форовый тиг 00,2 С ают обр ретые н5 - 7 с атр оИзобретению крист аютасплав ь и нагр луч енный до оп В п азцы, ад эл травл исследованиниобата литтравления,редваритель ктроплчтко о ения образцы опусПосл кают ользовано кипящую дистиллиров через 1 мин стаканч труктуры к Целью из и о плитки и охлаждают ние темп щение вре е четких На черте месте с об разцы отб кроскопом зцами доают и ис -нную воду С. Затем едуют под вл ени траст ньшение времен) ности криленные вП р иедкий кал не позволяет получить к ямки травления и выяви структуру, а увеличение ечение 3, 5, 7 и 10 с.е р. Гранулированныйи кристаллический едкий оменну ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ние относится к исслед аллов, в частности к ю доменной структуры ия путем химического а также может быть испри изучении реальной ристаллов ниобата лития. обретения является пони- ературы травления, сокмени травления и получеФигур травления,же представлены поверх- алла ниобата лития,потравможет быть использовано при изученииреальной структуры монокристаллов.Способ позволяет существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет сократить температуру и время травления, Предлагаемый способ расширяет диапазон используемых 10 травит елей для кристалла ниобата лития. По сравнению с известным способом температура травления снижена в 2,5 раза, время травления в 3 раза.15Учитывая высокие требования современной лазерной техники к кристаллам па качеству и оптической однородности, предлагаемый способ может иметь практическое применение как 20 экспрессметод контроля монодоменности образцов при выращивании кристаллов ниобата лития. При добавлении в расплав КОН меньшего или большего количества ИаОН травление на происходит,Предлагаемый способ дает возможность получить большую информацию о реальной структуре, а также выявить доменную структуру отрицательного и положительного знаков поляризованности.Формула изобретенияСпособ травления монокристаллов ниобата лития, включающий обработку кристалла расплавом КОН, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения контрастности фигур травления, понижения температуры и сокращения времени травления, в расплав КОН вводят добавку ИаОН в количестве 35 мас,Е, и травление ве - дут при 150+0,2 С в течение 5-7 с,"В Тираж 3 аз 2233 сн ГКНТ СССР ИИПИ Государственного коми 113035, Моска по из Ж, етениям и открытия шская наб., д. 4/5 Ужгород, ул, Гагарина,101 роизводственно-издательский комбинат Патент Составит ел ь Е, Писар еваедактор Н.Рогулич Техрсд Л,Сердокова Корректор С.Черни
СмотретьЗаявка
4457223, 07.07.1988
КАЛИНИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СОРОКИНА ИРИНА ИВАНОВНА, ПЕДЬКО БОРИС БОРИСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления
Опубликовано: 07.08.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1583479-sposob-travleniya-monokristallov-niobata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления монокристаллов ниобата лития</a>
Способ травления монокристаллов метаниобата лития
Номер патента: 990892
Опубликовано: 23.01.1983
Автор: Евланова
МПК: C30B 33/00
Метки: лития, метаниобата, монокристаллов, травления
...иазотной кислот, при этом процесс ве"дут в смеси, содержащей 1 об.ч. пла;15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислотпри комнатной температуре в течение18-20 ч.Травление в течение времени менее18 ч дает менее четкую картину травления, а при травлении более 20 ччеткость картины травления также падает из-за появления вуалирующегослоя. П р и м е р 1. Образецс полированными поверхностями размером5 х 5 х 2 мм погружают в травнтель состава 1 об.ч. НР н 3,2 об.ч. ННОпри комнатной температуре на 18 ч. З 0 По окончании процесса образец про- Составитель А. Коломийцев .Редактор Н. Рогулич ТехредЙ.Гергель Корректор М. Шароши Р Заказ 67/41 Тираж 368 Подпи сиое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,...
Способ обработки монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 568309
Опубликовано: 15.11.1978
МПК: G03H 1/18
Метки: лития, монокристаллов, ниобата
...возникающей в кристал ле, измерялась с использованием излучения Не - йелаэера (633 нм).Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (дпинаволны 488 нм, плотность мощности21 Бт/см ), Кривая 2 изображает процессстирания голограммы излучением того желазераКривые, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8,9 и 10 изображают соответственно второй,третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том жеместе кристалла.Как видно иэ фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладаетсимметрией. Воспроизводимость характеристики отсутствует,На фиг. 2 показана реверсивная характеристика шести последовательных цикловзапись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая...
Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития
Номер патента: 1468025
Опубликовано: 15.03.1993
Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата
...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...
Способ сухого травления ниобата лития
Номер патента: 1638222
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков
МПК: C30B 29/30, C30B 33/12
Метки: лития, ниобата, сухого, травления
...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...
Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лития
Номер патента: 585753
Опубликовано: 15.11.1978
Авторы: Айрапетян, Баркан, Ибрагимова, Маренников, Пестряков
МПК: G03H 1/18
Метки: голографической, кристалла, лития, ниобата, регистрирующей, среды
...сред путем термообработки (11. Голограммы, зарегистрированные на кристаллах ниобата лития, являются нестабильными, что позволяет использовать нх в указанных разработках. 1 ОПри разработке голографического запоминающего устройства (ГЗУ), содержащего в качестве регистрирующей среды монокристалла ниобата лития с концентрацией железа 0,3-1,0 весЛ, было установ лено, что регистрирующая среда обладает свойствами самостирания голограмм; процесс самостирания голограммы подчиняет ся экспоненциальному закону от времени, т, е, дифракционная эффективность запи санной голограммы экспоненциально убывает со временем; характерное время экспоненты T (время самостирания) резко убывает с ростом концентрации железа. Например, для кристалла с...
Предыдущий патент: Способ травления кристаллов танталата лития
Следующий патент: Устройство для калибрования коконов
Случайный патент: Патрон для двухступенчатого сверла