Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1604870 Формула изобретения Составитель А.Лихолетов Техред Л,Олийньпс Корректор И.Эрдейи Редактор А.Шандор Тираж 348 Подписное Заказ 3435 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 кращают и охлаждают печь до комнатной температуры.В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций на 1,5 поряпка меньше по сравнению с исходным материалом и составляет 2,910 ф смП р и м е р 2. В качестве источника и подложки используют пластины, аналогичные описанным в примере 1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10 смПредлагаемый способ позволяет на порядок снизить плотность дислокаций в слоях по сравнению с прототипом,Способ получения эпитаксиальных слоев кремния, включающий формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пластинами расплава алюминия, создание градиента температуры между пластинами путем лазерного ИК-облучения композиции со стороны пластины-источника и последующую перекристаллизацию источника, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьшения структурного совершенства слоев, после введения в зазор расплава температуру композиции снижают до 600-700 С, а для облучения используют длину волны 1,06 мкм,
СмотретьЗаявка
4479371, 30.05.1988
НОВОЧЕРКАССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ
КРЫЖАНОВСКИЙ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ, БАЛЮК АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЮРЬЕВ ВИКТОР АЛЕКСЕЕВИЧ, ОВЧАРЕНКО АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ, ЛОЗОВСКИЙ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, КОВАЛЕВ НИКОЛАЙ МИФОДИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 19/00, C30B 29/06
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
Опубликовано: 07.11.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1604870-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-sloev-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных слоев кремния</a>
Способ вертикального непрерывного литья слитков и пластин из алюминия и его сплавов
Номер патента: 1178315
Опубликовано: 07.09.1985
МПК: B22D 11/01, B22D 27/02
Метки: алюминия, вертикального, литья, непрерывного, пластин, слитков, сплавов
...нижним торцом надставки и верхней границей фронта кристаллизациипостоянным эа счет перемещения фронта кристаллизации в положение, близкое к середине индуктора, котороенаиболее благоприятно для разливки,Точность регулировки указанныхр;.сстояний достигается путем подачи плоских струй воды толщиной 500,5-1,0 мм под углом 10-30 к вертикапи. Во избежание нагрева воды ееподают под давлением со скоростью1,0-5,0 м/с. Для обеспечения пол"ной кристаллизации заготовку под 55индуктором дополнительно охлаждают,.11 р и м е р 1, При помощи устройства для вертикального непрерывного литья, содержащего надставку 1 диаметром 120 мм и высотой 80 мм, устройство 5 охлаждения, подающее 3 мЧч воды в форме плоской струи толщиной 0,8 мм под углом 30 к вертикали...
Шихта для выплавки комплексного сплава кремний-марганец кальций-алюминий
Номер патента: 1700070
Опубликовано: 23.12.1991
Авторы: Васадзе, Григалашвили, Демурашвили, Журули, Капанадзе, Лежава
МПК: C22B 4/06, C22C 33/04
Метки: выплавки, кальций-алюминий, комплексного, кремний-марганец, сплава, шихта
...рост извлечения основных элементов в сплав и приводит к расстройству процесса выплавки.П р и м е р. В рудовосстановительной зл, печи мощностью 100 кВА проводят опытные плавки по получению сплава кремний-марганец-кальций-алюминий на известной и предлагаемой шихтах.При проведении плавок известная шихта для выплавки сплава кремний-марганец-.кальций-алюминий в качестве шихтовых материалов содержит кварцит, обожженный марганцевый концентрат, известняк, глиноземсодержащий материал - боксит, углеродистый восстановитель - коксик, а предлагаемая шихта содержит брикеты и кварцит, При этом брикеты содержат марганец-глиноземсодержащий материал - отходы обогащения марганцевых руд, известь и углеродистый восстановитель - концентрат...
Способ создания источника диффузии алюминияв кремний
Номер патента: 176989
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик
МПК: H01L 21/34
Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания
...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...
Фотополимеризующаяся композиция для получения предварительно очувствленных формных пластин
Номер патента: 773564
Опубликовано: 23.10.1980
Авторы: Ахсарова, Егорова, Орлов, Парийская, Паскаль, Сулакова, Сыромятников, Цепенюк
МПК: G03C 1/68
Метки: композиция, очувствленных, пластин, предварительно, формных, фотополимеризующаяся
...стабилизированный 75 бутанолао(4-Тримета- крилатпентаэритрит-ди-(диметакрилпентаэритрит адипинат)Изобутилоный эфир бензоинаРодамин 6 Ж КДМ АцетонИзопропилоный спирт 5,89 11,79 5,92 0,268,12 19,26.Сополимер стирола с метакриловой кислотой ипроизводного малеиновой кислоты, стабилизированный 30бутанолаДиметакриловый эфир этиленгликоляБутиловыйизобутиловыйэфир бензоинаРодамин бЖ КДМАцетонП р и м е р 5. Готовят 50,0580,композисостава, нес.ч.: цию П р и м е р 4. Готовят композицию состава, нес.ч.;773564 13 Сравнительные данные по оценке качества предлагаемой и известной композиций1 Угол смачивания элементов печатной формы, град. Срок ха Элементы тест-объекта, полученные на Формах Пример Времяпроявления отэкспонинения предва- рительно очу-...
Установка для сушки пластин, в частности пластин электротехнической стали
Номер патента: 133408
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: F26B 15/18
Метки: пластин, стали, сушки, частности, электротехнической
...Предмет изобретения Рсдактср О. Д. Ус Тсхрсд А, А. Кудрявицкая Корректор Г. Г, Кудрявцева Формат бум, 70 Х 108/ы Объем 0,17 н. л Тираж 950 Цена 25 коп.; с 1,1-61 г. - 3 коп,ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д, 2/6Подп. к печ, 1.Х 11-60 гЗак. 10054 Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14, Установка для сушки пластин, в частности пластин электротехнической стали, предварительно покрытых лаком с двух сторон, содержащая сушильную камеру и расположенный в ней цепной конвейер с металлической сеткой, на которую укладываются лакированные пластины, облучаемые с двух сторон трубчатыми электронагревателями,...
Предыдущий патент: Способ выращивания профилированных кристаллов
Следующий патент: Способ получения феррогранатовых структур
Случайный патент: Динамометрический башмак гусеницы трактора с составными звеньями