C30B 25/02 — выращивание эпитаксиальных слоев

Номер патента: 107450

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием

...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...

Номер патента: 161707

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/02, C30B 29/42

Метки: 161707

...1 мссей.Предлагаемый способ получения пе. ок арсеила галлия отличается от известных тем, что возгонку производят в атмосфере паров йода (перенссчнк вещества) при температуре в области источника от 750 до 1000 оС и в области подло)кки - от 600 до 800 С.Кварцевую откачанную и запаянную ампулу (длина 200 119 и диаметр 20 11,1) с источником арсенида галлия произвольных размеров, подложкой, выбираемой в зависимости от поставленной задачи, и 1 1 г/сла йода помещают в печь. Температура в области источника может колебаться от 750 до 1000 С, в области подложкиот 600 до 800 С, разность температур ме)кду источником и подложкон дол)1:.а Оыть не )1 енее 100 С,Исто 1.Пко.;1 может сл) жить нолик)нсталлпческнй арссннд Галлия, легнрованнь 1 Й нужной...

Номер патента: 272964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Устинова, Шварцман, Юшков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: монокристаллических, слоевкремния

...слоя мелкодисперсн нием из газовой фазы происходит б номерное наращивание по площади и вания. В ропсходп порп тымструктуи загрязым кремолее рав- одложки особу в состав паролористый водород. Этов газовой фазе у почкодисперсного кремедм е изобретения Способ получ слоев кремния эпи 15 из паро-газовой лан и водород, на ператх ры 1000 -что, с целью пред зовой фазе мелко 20 став паро-газовой верхности подлон род.Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из парс-газовой фазы, по которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 - 1200 С, включает моносилан и водород.По предлагаемому спгазовой смеси вводят хпредотвратит появлениеверхности подложки ме.ния.По этому споссоу...

Номер патента: 408509

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Вервыка, Кузнецов, Левинзон

МПК: C30B 25/02, C30B 29/08

Метки: изобретения(ц)408509, хтги

...эпитаксиального слоя толщиной 0,1 - 1 мкм не по зволяет возвитать бугоркам, запечатывая дефекты подложки, и препятствует образованиео микросплавов, возевикающих до начала эпитаксиального роста при взаимодействии с запрязнениями подложки, газов и применяе мых материалов.Пример 1. Способ испытан на опытно- промышленных установках.При испытаниях наракцивают слои толщиной 150 мкм со скоростью 0,7 мкм/мин на 30 германиевых подложках р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,75 ом см, ориентированных в направлении 111 Ц, диаметром 28 мм. Окончательная обработка поверхности подложек - алмазная полировка. Перед наращиванием подложками травят газообразным хлористым водородом.Наращивают:слой толщиной 1,0 мкм при 780 С, а затем...

Номер патента: 427557

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов

МПК: C30B 25/02

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...

Номер патента: 1573057

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Данильцев, Иванов, Краснов

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: многослойных, структур, эпитаксиальных

...дувают в течение 5 мин Са(СН) При 600 С расход АяН устанавливают 10 (0,113 ммоль/мин) . Затем подают АяН.а на уровне 0,565 ммоль/мин и подъем (0,170 ммоль/мин) и СеН 4. (5 10 ммоль/рекращают и осуществля- /мин) и осуществляют осаждение слоя ю продувку реактора в течереактора,в течение 4 мин р -СаАя при отношении расходов АяНу Д лее в реактор подают Са(СН )с и Са(СН), равном 1,5, после чего пор сходом , ммол м 0,113 моль/мин и СеН с 15 дачу реагентов прекращают и охлажда 110 + ммоль/мин осущест- ют реактор до комнатной температуры. н е слоя и-СаАя отноше-. + +Полученная структура состоит из ние расходов АяНи Са(СН ) равно 5. р -и-р -слоев СаАя толщиной 0,1, По саждения подачу АяН и 0 3 и О Й мкм соответственно. ПротяС Н прекращают и...

Номер патента: 1587083

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин

МПК: C30B 25/02, C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 706994

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Максимов, Сидоров

МПК: C30B 25/02

Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Номер патента: 987912

Опубликовано: 10.03.2013

Авторы: Смольянинов, Спицын

МПК: C01B 31/06, C30B 25/02

Метки: алмаза, выращивания, слоев

1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 103-107 град/см.