Устройство для выращивания кристаллов

ZIP архив

Текст

где 06 - угол визирования входной грани световода к уровню расплава, град,Е - угол многократного Отражения. 40град.Угол многократного отражения устанавливается исходя из условий8 Егде Я,- угол полного внутреннего от ражения материала, использованного - для изготовления световода, и необходимости получения на отражательных параллельных гранях призмы, длину ко- торой определяет расстояние от смотрового ока до уровня расплава в тиг-.ле, четного числа отражений. Верхняя отражательная грань 23 выполнена под углом55 Второй вариант выполнения световода (фиг 3) отличается от первого внутри камеры 1 роста между боковыми экранами 3 вертикально и прикреплен к стенке 1 камеры посредством обоймы 14 так, что выходная грань 15 призмы световода 8 расположена на одном уров 5 не со смотровым оком 16. Входная грань 17 через выполненные в нагревателе 2 экранах 3 отверстия 18 визирована на1 боковую поверхность тигля 4 под уг- . лом 5-45" к уровню расплава 19. На, выходную грань 15 световода 8 визирована ось оптической системы и телеви, зионной камеры 9, которые установле-. ны с возможностью перемещения относительно смотрового ока 16. Величину угла визирования входной грани 17 по отношению к уровню расплава 19 выбирают в зависимости от конкретных раз" меров устройства, при этом нижний предел угла определен по радиусу кривизны.Предусмотрено два варианта выполнения кварцевого световода. В первом варианте (фиг. 2) световод выполнен в видепризмы многократного отражения прямоугольного сечения с двумя параллельными отражательными гранями 20 и 21, к одной из которых.под углом, равньм выбранному углу визирования (О, расположена входная грань 17, а под углом 3 к ней выполнена нижняяотражательная грань 22,при этом уголК+Я тем, что призма им ет только две отражательные грани: нижнюю 24, выполненную под углом /3 к входной грани(90 + О2где р - угол визирования входной грани световода к уровню расплава, град,и верхнюю отражательную грань 25,овыполненную под углом= 45 к боковой грани.Для расширения поля зрения входная грань 17 призмы (в обоих вариантах выполнения световода) имеет форму вогнутой сферической поверхности.Устройство работает следующим образом,Ь процессе выращивания пучок расходящихся лучей от нагретого кристалла 6 проходит через флюс 7 и стенкукварцевого тигля 4 и попадает на вогнутую сферическую поверхность входнойграни 17 световода 8, визированногона фронт кристаллизации, отражаетсяот задней отражательной грани 22 имногократно отражаясь под углом отбоковых граней 20 и 21 выходит изсветовода, проходит через смотровоеоко 16 камеры 1 роста и передаетсяв оптическую систему телевизионнойкамеры 9. Изображение кристалла нафронте кристаллизации формируетсяобъективом 12 телевизионной камеры 9в плоскости светочувствительного элемента видикона, где происходит преобразование светового излучения вэлектрический сигнал, который передается на телевизионный приемник 13.В зависимости от параметров выбранного объектива 12, черно-белоеили цветное изображение на экране телевизионного приемника 13 может бытьполучено с различной кратностью увеличения. Регулировка масштаба изображения производится перемещением телевизионной камеры 9 вдоль оптической оси и соответствующей фокусиров-кой объектива 12. Регулировка яркости и контрастности изображения производится регулировочными элементами,выведенными на лицевую панель телевизионного приемника 13. Согласованиесветотехнических характеристик видикона передающей телевизионной камеры9 и нагретого кристалла осуществляется с помощью поляризационных 11 итеплового 10 фильтров оптической системы.5Дистанционное включение телевизионной камеры 9 и формирование видеосигнала от передающей камеры на входе телевизионного приемника 13 может осуществляться с помощью пульта управления (не показан), подключенного к передающей камере 9 и телевизионному приемнику 13.Техническим преимуществом предлагаемого устройства является возможность наблюдения за ростом кристалла на фронте кристаллизации вне зависимости от размеров тигля, в частности когда глубина его значительно превышает диаметр. 1:роме того, наблюдение вдоль фронта кристаллизации позволяет получать изображение кристалла без оптических искажений. Формула изобретения 604867 6новленной прямой призмы, входнаягрань которой визирована на боковуюповерхность тигля под углом к уровню5расплава, а в экранах и нагревателевыполнены отверстия.2. Устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что световодвыполнен в виде прямой призмы прямоугольного сечения с двумя параллель-ными боковыми гранями с четным чис.лом отражений, входная грань выполнена к одной иэ боковых граней подуглом, равным углу визирования к15 .уровню расплава, верхняя отражательная грань выполнена под углом 90+ Е321, Устройство для выращивания кристаллов, включающее камеру роста, коаксиально установленные внутри нее кварцевый тигель для расплава и нагреватель с тепловыми экранами, и средства контроля за ростом кристалла, содержащие световод, размещенный внутри камеры, выходная грань которого через смотровое око, расположенное в верхней части камеры, и оптическую систему сопряжено с объективом телевизионной камеры, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью обеспечения контроля за ростом кристалла из-под слоя флюса в глубоком тигле, световод выполнен в виде вертикально уста 25 к боковым граням световода,где 0 - угол визирования к уровнюрасплава;б - угол отражения,3. Устройство по п. 1, о т л и 30,ч а ю щ е е с я тем, что световод,выполнен в виде прямой призмы прямоугольного сечения, входная граньвыполнена под углом О(, верхняя отраФожательная грань - под углом 45, а35а 90+нижняя - под углом=2к боковым граням световода..Эрцейи Заказ 3435 347 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 1 ВНИИПИ Государственного комитет 113035, Москва, о изобретения35, Раушская Подписноеоткрытиям при ГКНТ СССР д. 4/5

Смотреть

Заявка

4453754, 04.07.1988

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНЫЙ ИНСТИТУТ РЕДКОМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ "ГИРЕДМЕТ"

ГУСЕВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЗАБЕЛЫШЕНСКИЙ ВЛАДИМИР ИСААКОВИЧ, ЛЕВАНДОВСКИЙ АНДРЕЙ БОРИСОВИЧ, ОБРЫВКОВ СЕРГЕЙ СЕРАФИМОВИЧ, ГУРЕЕВ ВЯЧЕСЛАВ АЛЕКСЕЕВИЧ, ВАСИЛЬЕВ АНАТОЛИЙ ПЕТРОВИЧ, ГЛАЗУНОВ ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов

Опубликовано: 07.11.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-1604867-ustrojjstvo-dlya-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для выращивания кристаллов</a>

Похожие патенты