Способ травления кристаллов танталата лития
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1583478
Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина
Текст
(57) ботк обретение отно ристаллов тант методом травления, висследованию реальной структуры кристаллов мческой и электронной миСпособ позволяет удешетить время процесса. Мобрабатывают расплавомпри 360+0,2 С в течениТемпература травления360 С, т.е. травление псразу после образованияСпособ дает возможностчеткие и высококонтрасния структуры кристалл ые изобра игель и нагревают до 360 С, Даннаемпература контролируется с погреостью 0,2 С. Затем в расплав опо Изобретение от анию кристаллов бработке методом ости к исследова ится последующеи ихравления, в частю реальной и уск ют предварительно подогретые надэлектроплиткой образцы. После трления образцы помещают в кипящуютиллированную воду на 1 мин идают вместе с водой до комнатнтемпературы.П р и м е р 1. Травление полдоменных образцов известным (фиги предлагаемым (фиг.1 б) способамиСравнение свидетельствует, чтструктура поверхности кристаллавыявлена достаточно выявлена дос кристаллов методамиронной микроскопииния является удешев доменной структур оптической и элекЦелью изобрете ления процесса и охлаж -ой ение его време четко и контрастно,р и м е р 2, Сравнение снимкхности образцов показывает,онтрастные картины травленияполучить при выдержке образч П в чтоможн ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТиЯмПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛТАНТАЛАТА ЛИТИЯ На фиг. 1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при 360 С в течение 7 с. 10На полидоменных образцах (фиг,Зб) а грани (0001) отчетливо видны нтипараллельные домены и четкие раницы доменов, а на монодоменных бразцах (фиг.За) на грани (0001) - 15 ысококонтрастные ямки травления.Использование предлагаемого спооба по сравнению с известными позоляет сократить время травлениясэкономить энергию, Это обеспечиается тем, что согласно предлагамому способу травление приводят ри более низкой температуре за боее короткое время. Данная техноло -гия травления является удешевленнойи с большими возможностями ее использования, в частности, для контролямонодоменности кристаллов при выращивании,Травление кристаллов танталаталития в расплаве едкого кали по предлагаемому способу осуществляетсяпри 360 С в течение 5-7 с, по известному способу - нри 400 С в течение 15-60 с, что позволяет существенно ( 60 Х) повысить производительность труда,Формула изобретенияСпособ травления кристаллов танталата лития путем обработки их расплавом едкого кали, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью удешевления процесса и сокращения его времени, обработку ведут при температуре 360 +0,2 С в течение 5-7 с.1583478 Тираж 34 Подписно тиям при ГКНТ СС омитета по изобретениям и отк осква, Ж, Раушская наб д Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 1 дакт ор Н . Р огуликаз 2233 НИИПИ Государственног 113035
СмотретьЗаявка
4457217, 07.07.1988
КАЛИНИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ М-5273
БОЛЬШАКОВА НАТАЛЬЯ НИКОЛАЕВНА, СОРОКИНА ИРИНА ИВАНОВНА, КОЗЛОВ ВЛАДИМИР АНАТОЛЬЕВИЧ, МАСЛЕННИКОВ ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ, ЕЛКИН ОЛЕГ КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/30, C30B 33/00
Метки: кристаллов, лития, танталата, травления
Опубликовано: 07.08.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1583478-sposob-travleniya-kristallov-tantalata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления кристаллов танталата лития</a>
Способ контроля процессов травления покрытий
Номер патента: 905619
Опубликовано: 15.02.1982
Авторы: Бизюков, Ивановский, Маишев, Микулин, Фареник
МПК: G01B 7/06
Метки: покрытий, процессов, травления
...точности контроля.Эта цель достигается тем, что устанавливают одиночный ленгмюровский зонд по отношению к контролируемой поверхности на расстоянии где Ь - величина дебаевского слоя;Т - температура электронов;е - заряд электронов;и - плотность электронов, и осуществляют контроль по изменению тока насыщения зонда, соответствующему изменению химического состава покрытий.На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, реализующего способ; на фиг. 2 - график изменения тока насыщения зонда в процессе травления.Устройство содержит вакуумную камеру 1, ленгмюровский зонд 2, источник 3 ионов миллиамперметр 4, источник 5 питания, контролируемый образец 6.Устройство работает следующим образом.905619 Форлу,го изобретения фиг.1 Р,2 Л агнии...
Способ управления процессом литья микропровода
Номер патента: 1088076
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Бугаков, Заборовский, Зотов, Иойшер, Ланда, Леонтович, Любер, Михайлов, Резник, Шаргородский, Шербелис, Шихман
МПК: H01B 13/06
Метки: литья, микропровода, процессом
...в стеклянной трубке, согласованных по амплитуде с величиной отклонения погонного сопротивления от заданного значения, что позволяет коррелировать погонное сопротивление в процессе литья микропровода и устранять его колебания практически во всем частотном диапазоне, а также постепенные уходы погонного сопротивления от заданного значения.10880 Кроме того, одновременное независимое регулирующее воздействие на микрованну электромагнитного поля индуктора и разрежения в трубке, согласно предложенному способу, приво дит к существенному сокращению ло" кальных выбросов погонного сопротивления (а значит и диаметра жилы), что объясняется стабилизацией формы конуса растягивания микрованны и в це лом процесса литья микропровода.На чертеже представлен...
Способ управления процессом вытягивания кристалла из расплава и устройство для его осуществления
Номер патента: 1122014
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Заславский, Соломаха, Стадник
МПК: C30B 15/00
Метки: вытягивания, кристалла, процессом, расплава
...Расплав при этом вытекает по трубке 9 вдозатор 5 да восстановления контакта щупрасплав,В момент касания поверхностью расплава кончика щупа клапан 11 закрываетсяи подпитка прекращается. Расплав из дозатора б через переточное отверстие перетекает в тигель 5, но контакт щуп - расплав приэтом сохраняется за счет образования нового предельно вытянутого мениска и т,д. Таким образом, величина дозы подпитки, аследовательно, и точность поддержанияуровня расплава, определяется диаметромдоэатора 6 (оптимал ьный диаметр 25-30 мм)и величиной предельно вытянутого мениска(порядка 1 - 1,5 мм), При регулированииуровня расплава в тигле 5 подпиткойпосигналу датчика уровня расплава, работаюьц го на предельно вытянутом мениске, легка дас гигае 1 ся...
Способ начала процесса горизонтального непрерывного литья
Номер патента: 1159717
Опубликовано: 07.06.1985
Авторы: Купершток, Офенгенден, Учакин, Фридман
МПК: B22D 11/00
Метки: горизонтального, литья, начала, непрерывного, процесса
...литья, опускание металлоприемника в рабочее положение и вытягивание слитка из кристаллизатора, одновременно с возвращением металлоприемника в рабочее положение в кристаллизатор подают расплав другого сплава, имеющий при температуре литья жидкотекучесть, превышающую,жидкотекучесть разливаемого металла, плотность, меньшую плотности отливаемого металла, и смешивающийся с отливаемым металлом,При этом жидкотекучесть расплава, подаваемого в кристаллиэатор, в 2,0- 2,5 раза превьппает жидкотекучесть разливаемого, а плотность в 1,05-1,1 раз меньше плотности разливаемого металла.На чертеже изображена схема осуществления способа. Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Металлоприемник 1 с кристаллизатором 2 наклоняют на угол...
Способ начала процесса непрерывного горизонтального литья
Номер патента: 1222402
Опубликовано: 07.04.1986
Авторы: Авербух, Барсуков, Галак, Томкина, Царев, Шицман
МПК: B22D 11/00
Метки: горизонтального, литья, начала, непрерывного, процесса
...А.МасловРедактор И.ДербакТехред Л.ОлейникКорректор О.Луговая Заказ 1645/10 Тираж 757 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул,Проектная, 4 Изобретение относится к металлургии, конкретнее к непрерывному горизонтальному литью заготовок в графитовые кристаллизаторы.Цель изобретения - исключение обрыва заготовки и устранение задиров кристаллизатора в начале процесса вытягивания.Способ осуществляют на установке непрерывного горизонтального литья при вытягивании чугунной заготовки квадратного сечения.со стороной 72 мм.Заглушку изготавливают из безусадочной смеси на основе графита формовкой непосредственно на...
Предыдущий патент: Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр
Следующий патент: Способ травления монокристаллов ниобата лития
Случайный патент: Электромагнитный сепаратор