Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 С 30 В 19/04 29/2 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ КА гии электронного приборостроения иможет быть использовано при производ стве носителей информации для запоми нающих устройств. Цель изобретения увеличение скорости движения доменных стенок в пленках. Пленки выращи вают на подложку из гадолиний-галли евого граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего Вт 0 ТвОЗ, Ге 05, СаО., БаСО э и СаО, при 865-900 С. Значение скорости дв жения доменных стенок в пленках уве личено по сравнению с известным на 1-2 порядка, 1 з.п, ф-лы, 1 табл. ературы имнок фер тела, 49-1551 о 1 Ь(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВ НЫХ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГР;(57) Изобретение от НИЯ ЭПИТАК НАТОВ ится к т но те оэлект ожет тве носител ых и магнит Исполба обесным повнок в плводит книтного соестгаемог ьзовапие предлечивает по сьппение скоросенках на 1-2 авненн и оменных сте Вей порядка, ч тродействи пр аг повьппениюматериала ителя инф ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР(56) Дудоров В.Н, Влияние темна интегральные характеристикипульсного перемагничивания плрит-гранатов,-Физика твердогЛ., 1986, т, 28, вып, 5, с. е относится к технологииного приборостроения ипользовано при производй информации для доменоптических устройств обработки и запоминания информации.Целью изобретения является увеличение скорости движения доменных стенокв пленках,П р и м е р. Пленки выращивают на установке УЭР. Гранатообразующие оксиды и растворитель общим весом 200 г, взятые в необходимых пропорциях, загружают в тигель диаметром 40 мм, помещают в печь установки, нагревают до 1050-1100 С и гомогенизируют полученный раствор-расплав в течение 2-6 ч. После этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС 7,м/с на сов СаО Коэффициентоптическогопо) лощення)см 84,0 2 82,9 Э 83,5 4 82,77 5 83,74 6 82)471800 1500" 2900 710 450" 1520 865 900 880 890 900 870 1,78 1,96 1,86 1,82 1,67 1,91 11,3611,7111,4811,9311,3611, 71 1,301,611,46 1,53 1,42 1,59 1,56 1,82 1,70 1,66 1,60 1,80 30 33 82 0,29 0,21 0,52 ЕСкорость доменных стенок при действующем магнитном поле Н350 Э,аСкорость доменных стенок при действующем магнитном поле Н250 Э. Составитель Е. ЛебедеваТехред.Л,Олийнык Корректор М. Пожо Редактор И. Дербак Заказ 3033 Тираж 343 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 ции за счет, например, снижения времени переключения ячеек магнитооптического управляемого транспаранта, повьппения частоты работы запоминающихустройств и т.д. 1. Способ выращивания зпитаксиаль О ных пленок феррит-гранатов на подлож-, ке из гадолиний-галлиевого граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего компоненты ВО, Тш 0) РеО з, Са)О и ВаСОз, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения скорости движения доменных стенок в пленках, соотношение компонентов берут равным, мол,Я: Ре О 11, 36-11, 93 аз 1, 30-1,61СадО з 1,67-1,96Иа СО 1, 56-1,82В Оа Остальноеа выращивание ведут при 865-900 оС,2, Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повьппения прозрачности пленок, в раствор-расплав дополнительно вводят СаО при следующем соотношении компонентов, мол.й:ге Оз 11136 11 в 93 Тш,О 3 1,42-1, 59 Са Оз 1, б,91 НаСО 1,60-1,80 СаО 021-0,52 В,ООстальное а выращиваниеведут при 870-900 ОС.
СмотретьЗаявка
4477971, 30.08.1988
НоАо Логинов и В. В. Рандошкин
ЛОГИНОВ НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, РАНДОШКИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 19/04, C30B 29/28
Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных
Опубликовано: 07.10.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1597401-sposob-vyrashhivaniya-ehpitaksialnykh-plenok-ferrit-granatov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов</a>
Способ стабилизации скорости движения пленки
Номер патента: 84852
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Мелик-Степанян
МПК: G03B 1/24, G03B 31/04
Метки: движения, пленки, скорости, стабилизации
...3 Очатьй Оар 1102 н 1 б дст Врашаться раГновсрио, то стол. жс раВИОмсрнО Омсст 1 рансаться звНОЗОй т 1)с 1, 3, 2 слсдоватсгН 10 ки;ОПГенка будет 1:мсть посто;:.:П.10 скорость. Ьлиянис зуОцов 3 ОЧ 2 ТОГО с 110202 на 1 1:2 Схооост. двс:11:я ЛС 1 к 1 ГС 111211 ЯСТС, Пропрсдсгснных момснто: инерции зв ко:Ого трс 2 и Гнокостгио участка плснк 1:есду звуковы 1 трско 1 , и 3 бчатым 020202 ноы 1.84802Ня фи". 2 ИЗОЙряжсея с:;с)2 Гстр 01 с 1 Б 2 д.15 Г)Й(.спс:с 315: (.т)ОГО эавиомериого БрацеЕии ЗЙ)ат(эго яраЙяиа 1.3)ЙИ 2 ТЫ 1 ОараОЯП ) С 1,ит 1 Е)аг ЯСиик)оиио 0 3 ОТО)с 6, СиЙ- меиного )сковиком 7 Чко)ик,свою оСРель, сиаЙжси и). УкцоиЫ ).)е,т П Ь) 3 К 0 и ЦО : Ь, В. О,151 Ц И 1 13 Я Г П И Т 30П О,", С И Е Г 0 311; К ИИ 0 ЗГсктРО)аг)ита 9,...
Устройство для регулирования скорости движения ленточного носителя информации
Номер патента: 1704162
Опубликовано: 07.01.1992
МПК: G11B 15/46
Метки: движения, информации, ленточного, носителя, скорости
...вывод делителя 17 напряжения, а с его крайних выводов на неинвертирующий и инвертирующий входы дифференциального усилителя 10, где будет суммироваться с уже поступившими напряжениями с делителей 19 и 20 напряжений, Соотношение резисторов в делителе 17 выбирается таким, чтобы наклон получаемой передаточной характеристики (кривая 5) на участке ВС совпал с наклоном нужной характеристики (кривая 4).Когда выходное напряжение на делителе 16 напряжения станет равным Овх.2 соотношение резисторов в делителе 16 выбирается таким, чтобы открылся второй ключевой транзистор 23. При увеличении входного напряжения на делителе 16 более значения Овх.2 напряжение с эмиттера транзистора 23 через дели-ель 18 напряжения будет пост пать на входы...
Способ измерения колебаний скорости движения пленок в лентопротяжных трактах копировальных аппаратов непрерывной печати
Номер патента: 657393
Опубликовано: 15.04.1979
Авторы: Ишуткин, Лапшина, Цифринович, Эзрох
МПК: G03B 43/00
Метки: аппаратов, движения, колебаний, копировальных, лентопротяжных, непрерывной, печати, пленок, скорости, трактах
...и фотодиода 1 1 с протцвопоножвойстороны и нентопротяжного тракта испытываемой (печатаемой) пленки 1". сфипьмовым каналом 13, ведущим барабаном 14 с прижимным роликом 15, объектива 16, В финьмовом канапе 13 выполнены допоннитеньные окна, перед которымц с одной стороны установленаоптическая система 17 с источникомсвета 18 и обтюратор 19, закрепненныйна вану энектродвцгатепя 20, а с противононожной стороны - фотодиод 21.В копировальном аппарате имеются такжеусинитенц 22 и 23 и дифференциальныйусинитень 24 с регистрирующим прибором 25,Способ осуществляется следующим образом,Заряжают оба лентопротяжных трактааппарата .неэкспонированной паепкой,включают источники света 8 и 18 иформируют оптическими системами 7 и17 на пноскости пленки. 1 в...
Стабилизатор скорости движения ленточного носителя информации
Номер патента: 705513
Опубликовано: 25.12.1979
Автор: Народецкий
МПК: G11B 15/46
Метки: движения, информации, ленточного, носителя, скорости, стабилизатор
...барабана 1 (фиг 2) выполнен запрессованным кольцом 10, может свободно вращаться на валу и удерживается винтом 11 и кольцом 12. В кольце 12 установлены два упора 13, между которыми находится штифт 14, запрессованный в корпус барабана. Таким образом, барабан 1 может поворачиваться на валу на угол, определяемый касанием штифта 14 в упоры 13. Вал 15 вращается в корпусе 16 и удерживается в нем кольцами 12 и 20 и винтом 17. На свободном конце вала укреплен блок шестерни, кинематически связанный с механизмом передач. На корпусе 16 установлен также щн ток 18 с фрикционом из фетра 19, который соприкасается с корпусом барабана 1 (на левой проекции фиг. 2 не показаны).При нажатии на кнопку автозарядка рычаги 5 и 6 перемещаются тягой вниз,...
Фотоэлектрический датчик скорости движения нитки со скрученными прядями
Номер патента: 1024842
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Врублевский, Гусев, Добронравова
МПК: G01P 3/36
Метки: датчик, движения, нитки, прядями, скорости, скрученными, фотоэлектрический
...показана состоящей из трех отдельных и скрученных между собой прядей,а направление движения нитки 3 показано стрелкой) расположена в пространстве между диафрагмой 2 и плоскостью фотоприемника 3. Плоскости диафрагма 2 и фотоприемника 3 установлены параллельно меридиональной плоскости 5 поверхности нитки 4, Угол .направления щели диафрагмы 2 совпадает с углом подъемаповерхности пряди нитки 4.Датчик работает следуюшим образом, Продольно движущаяся нитка 4 пеОднако использование известного датчика для получения максимального перепада сигнала от поверхности нитки, скрученной из различного количе ства прядей, не представляется,возмскным ввиду конструктивных недостат-, ков Форма и направление, светового потока не определены в зависимости от...
Предыдущий патент: Раствор для фосфатирования стали и оцинкованной металлической поверхности
Следующий патент: Способ приготовления сброженного мелассного сусла при производстве этанола
Случайный патент: Рычажная подвеска для гусеничного движителя,