C30B 29/02 — элементы

Номер патента: 151473

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вигдорович, Черномордин

МПК: C30B 13/24, C30B 15/18, C30B 29/02 ...

Метки: кристаллизаций, металлов, направленной

...тока вдоль слитка в течение всего процесса.Исходным материалом служил алюминий марки АВ 0000.Длина слитка 240 мм, длина расплавленной зоны 30 - 40 мм. Скорость движения зоны 1,25 мм(мин. Число проходов равно 5. Лодочка изготовлялась из графита .высокой чистоты, прошедшего специальную химико-термическую обработку. Лодочка помещалась в кварцевую ампулу. Зона перекристаллизации создавалась нагревателем электросопротивления. Процесс проводился в вакууме (1.10 з мм рт. ст.) при непрерывной откачке..% 151473 Таблица Сравнение чистоты алюминия, полученного в опытах без пропускания и с пропусканием переменного токаАлюминий после зонной перекристаллизации с пропусканием переменного токаАлюминий после зонной перекристаллизацииИсходный алюминий...

Номер патента: 282298

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лобода, Чайковский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: монокристаллических, олова, пленок

...осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10- 10мм рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса,Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку Описываемый с для получения п следований в облИзвестные спос лических пленок на монокристалл ют получать плен условиях остаточ - 10 9 мл рт, ст. одложку из хлористого катемпературы 320 - 350 К, давлении газа 5 10- -размером 20 Х 20 люле устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 - 55 лм от испарителя исходного материала, Во время разогрева исходного олова подложку экра нируют,...

Номер патента: 394457

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: 394457

...достигается тем, что цагревание, выдержку и охлаждение повторяют периодически более двух раз при давлешш 10 - 10" аг, причем нагрев ведут до температуры 0,8 - 0,9 Т пл 1 кристалла, д охлаждение- до тсопсратмры 0,4 - 0,7 Т пл К кр псталл д. Где СС - рд 3 цоце 1 с КОН- с",ццтряцИИ 3 СИСИ и КрпстЛЛС Ирп тс Мпердурах нагрев 1=0,8 - 0,9 ТилК и То=-0,4 - 0,7 Т пл К соответственно, 1. расстояние МСЖДМ ВДКДИСПОИПЫ)И ПСТОЦПКДМИ И СТОК 1. ми), возникающей ири тсраОцшлиро 3 и 3 и, ПО СраВПсцИЮ с терМОдпнМНЧЕСКОй СИЛОЙ Прп : зотероическс)1 От)киге 1 - 1 пг Где с. . РВПОВЕСИДЯ СОНЦЕЦтРДЦИЯ ВаКацсий около дефект при ,), д также избирдтельной рботой цдкднсионпых источников и стоков ц услоциях термоциклирования ири 13 ЫСОКО) ДДЦССИИИ -- ПРСИММЩССТВЕ 13...

Номер патента: 1142532

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель

...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...

Номер патента: 1175977

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, травления

...вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре...

Номер патента: 1301878

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Дембовский, Илизаров, Подкопаев, Чечеткина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/02

Метки: селена, стеклообразного

...Затем материал нагревают выше температуры плавления и подвергают 20 охлаждению (закалке) в магнитном поле, создаваемом электромагнитом объемом 70 см, напряженностью 470 Э со скоростью 1 град/с до затвердения25 стеклообразного селена, который в процессе закалки подвергают обработке в магнитном поле напряженностью 250-700 Э, составляет 1,5"-2 года (пример 1 Ь,и д ) при отсутствии последующей обработки в процессе эксплуатации и хранения, Т; стекло образного селена, не подвергнутого обработке магнитным полем в процессе 78 2о(ДО 30 С), При этом доля кристалли ческой фазы в затвердевшем стеклообразном селене ниже чем 10 . При охлаждении без магнитной обработки доля кристаллической фазы в стеклообразном селене в указанных условиях составляет...

Номер патента: 1458448

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Кальдер, Кильк, Кинк, Лыхмус, Ниэдрайс

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: криокристаллов

...нижнего тордне криостата выполнены канавки 16,. ца кристалла осуществляется с помо- заполненные металлическим индием. щью средства 1 О охлаждения, через коКриокристаллы получают следующим торое пропускают газообразный или образом. жидкий хладагент из гелиевого сосуВ ампулу 1 впускают через трубку ЗО да (не показан). Для компенсации пе газПроводят охлаждение с помощью реохлаждения проводят нагревателем средства 10 ниже температуры тройной , 11. Контроль температуры для роста точки, что ведет к ожижению газа. Вы- кристалла осуществляется датчиками ращивают криокристалл направленной 14 температур. Наружный кожух криоскристаллизацией путем дальнейшего охтата имеет вывод к каналу вакуумнолаждения. Градиент температуры полу- ультрафиолетового...

Номер патента: 1562364

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/02, C30B 7/10

Метки: висмута, выращивания, монокристаллов

...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...

Номер патента: 1587080

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Леонтьева, Литвинов, Маринин, Прохоров

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: ампуле, газа, криокристаллов, кристаллизацией, направленной

...существенное влияние оказывает теплообменник в виде цилиндра с открытым дном (фиг.2). Он позволяет откачивать пары жидкого хладагента с части его поверхности. При откачке его из внутреннего объема теплообменника до минимальных температур охлаждается как хладагент, так и ампула 2. При откачке хладагента, находящегося снаружи теплообменника, уменьшением давления охлаждается хладагент. тогда как ампула 2 может находиться при более высоких температурах, что важно как при получении криокристаллов, так и при проведении экспериментов с ними. Если в процессе роста криокристалла давление газа настолько увеличивается, что теплообмен стал слишком большим, его можно понизить откачкой гелия из гелиевого криостата, Если на ампулу 2...

Номер патента: 1594220

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Владимиров, Губернаторов, Кетов, Соколов

МПК: C30B 1/04, C30B 29/02

Метки: выращивания, кристаллов, металлических

...и первичнойрекристаллизации.После,проведенных обработок получают заготовку с градиентом движущей. силы вторичной рекристаллизации подлине,На. конце заготовки,. где деформацню определяют равной 40%, устанавливают, что вторичная рекристаллизация при часовой выдержке начинаетсяпри Т 1,940 С, а скорость ростакристаллов при этой температуре равна 9 мм/ч, а на другом конце заготовки при Тк = 1020 С, а скорость .ростакристаллитов 15 мм/ч, По определенньм значениям температур и наименьшей скорости роста кристаллитов вычисляют скорость изменения температуры.При окончательном рекристаллиэационном отжиге Чн 12 .град/ч. Заготовку нагревают до 1020 С со скоростью 12 град/ч. По окончании от"жига фиксируют, что заготовка приобрела...

Номер патента: 1767049

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: пленок, теллура

...не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей...

Номер патента: 1819922

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 29/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...Но в отличие от предыдущего случая,процесс проводили при температуре1900 Сдавлении ЗО М 1 а в среде Й 2 в течение 60 мин. Ширина полученного слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)1-х(ЕгС)х 40составила 10 мкм.П р и м е р 3. В этом случае кристаллыкарбида кремния и карбида циркония, обра-ботанные так же, как и в примерах 1 и 2,прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью 5 мкм. Процесс проводили притемпературе 1700 С, давлении 20 МПа в среде Мг в течение 60 мин. Ширина слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)-х(ЕгС)х 50составила 5-7 мкм. Во всех трех случаяхполучались гомовалентные твердые растворы (31 С)1-х(2 гС) во всем диапазоне изменения состава (0 х 1),...

Номер патента: 1752023

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.

Номер патента: 1450428

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Голов, Матвеев, Молгачев

МПК: C30B 15/36, C30B 29/02

Метки: алюминия, выращивания, кристаллов

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.