Способ определения температуры насыщения

сооэ советснихсоцидлистич усниРаспуБлик Сзо ВПОО ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ чени пом вып. Пре ера оро зионныи м ры насьпце Сб, рост 1. 1957,А,Н.я темп раствф Наук с лов ПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРА(57) Иэобреванно крист 1 ил,суда ственнцй комитет сссрпо делдм изов кткний и откр ыт Бюл. У 351-26ал АН СССРи А.И.Асхабов 92(088,8).Г. Установка для изуисталлов под микроско рафия, 957, т. 2,(46) 23. 09, 90.(56) Петров Тя роста крКристаллог6, с.28.Ковалевскийтод определениния прозрачных ение относится к выращиллов из растворов с использованием растворителей являющих ся жидкими при обычных температурах, и позволяет повысить точность .определения температуры насыщения В про- . зрачную кювету с неперемешиваемым раствором для выращивания кристаллов помещают кристалл. Теневым методом на" блюдают изображение дворика кристаллизации вокруг кристалла, Одновременно изменяют и измеряют температуру раствора. Измерения проводят на уровне центра кристалла, Регистрируют температуры, соответствующие исчезнове" нию изображения дворика кристаллизации у нижней и у верхней граней кристалла и вычисляют их среднее арифме)Ж тическое значение. Достигнута точО ность определения в О, 1 С1412378 Изобретение относится к выращива- нию кристаллов иэ растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре.Целью изобретения является повьппение точности определения.На чертеже представлена оптическаясхема устройства, позволяющего теневым методом наблюдать изображе ние дворика кристаллизации вокруг кристалла в растворе.Работу на установке проводят следующим образом.Расходящийся световой пучок от ис точника света 1 преобразуется коллиматором 2 в плоскопараллельньй, который просвечивает кювету 3 с раство-. ром.,Все неотклоннвшиеся параллельные лучи собираются объективом 4 в фокаль 20 ной точке, где расположена поглощающая диафрагма 5. Лучи, прошедшие че" реэ дворик кристаллизации и отклонейные от первоначального направления, беспрепятственно собираются на экране 6.П р и м е р 1. В кювету.З налива.ют заведомо перегретый водный раствор, алюмо-калиевых квасцов, примерно на 5-10 С относительно предполагаемой 30 точки насьпцения и опускают кристалл алюмо.-калиевых квасцов размером 5 мм в диаметре, укрепленный на проволочном кристаллоносце, Спай регистрирующей медь-константановой термопары ус танавливают на уровне центра кристалла. Холодный спай устанавливают в дьюаре с тающим льдом, ТермоЭДС медьконгтантановой термопары составляет 40 мкВ/град. Объектив 4 диаметром 4 см имеет фокусное расстояние 18 см. В фокусе объектива устанавливают круг., лую черную диафрагму 5 диаметром ., . 0,5 мм. 1 а экране 6 появляется яркое .изображение дворика кристаллизации во 5 круг растворяющегося кристалла. Тем" пературу раствора понижают в режиме естественной конвекции, По мере охлаждения регистрируют температуру, соответствующую исчезовеню изобра 50 жения дворика кристаллизации у нижней грани кристалла 33,49 С, а через 5 сФ у верхней грани кристалла - 33,47 С. Таким .образом, температура насьпцения 2раствора составляет 33,48 Ю,01 С, При этой температуре растворимость алюмокалиевых сквасцов 23 г на 100 мп во- ды П р и м е р 2. Водный раствор сульфата магния, предварительно перегретый, наливают в кювету 3, Кристалл сульфата магния размерами 1 х 1 ххЗ мм и медь-константановую термопару погружают в раствор, В фокусе объ"ектива 4 диаметром 3 см и фокуснымрасстоянием 12 см помещают круглуючерную диафрагму 5 диаметром 0,5 мм.По показателю термопары регистрируют температуру, соответствующую исчезновению дворика кристаллизации у иж- .ней грани кристалла 14,53 С, а через3 с у верхней грани кристалЛа 14,51 С. Таким образом, температура насьпцения раствора составляет 14,52-0,0 С. Растворимость сульфата магния при этойтемпературе 104 г на 100 мл воды.Как видно из приведенных примеров,способ по изобретению позволяет измерять температуру насьпцения растворас высокой точностью, учитывая физические процессы, проходящие в растворе.При этом сохраняется удобство наблюдения,Формула изобр ет ения Способ определения температуры насьпцения раствора для выращивания кристаллов, включающий наблюдение тене" вым методом изображения дворика кристаллизации вокруг кристалла, погруженного в неперемешиваемый раствор, при одновременном изменении и измерении его температуры и регистрацию температуры, соответствующей исчезновению изображения дворика кристаллизации, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения температуру измеряют на уровне центра кристалла, регистрируют температуры, соответствующие исчезновению изображения дворика у ижних и у верхних граней кристалла, а температуру насыщения раствора вычисляют как среднее арифметическое значение.34 32378Составитель В,Беэобородова Редактор.А.Кондрахнна Техред Л.Сердюкова Корректор М.Шароши Заказ 3328Тираж 339 Подписное ВПИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий )13035,. Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4