Способ обработки монокристаллов кубической симметрии

(Р 1)з С 30 В 33/00 ПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕН В 30инститчт ядернь Добровольская, В.П.Перелыгин етельетво СССРП 5/00, 1968,гия кристаллов161 в 1,оов 2 ры ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Лвторское сви1 281241, кл, В 28Бонд В.П.ТехнолИ.; Недра, 1980, с 54) СПОСОБ ОБРЛБОТКИ МОНОКРИСТЛПОВ 1 ОБИЧЕСКОЙ СИИ 1 БТРИИ Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и может быть использовано в областях науки и техники, в которых производится серийное изготовление из монокристаллов р-п-переходов, Фильтров, магнитных головок, оптических линз и т.д.Целью изобретения является повышение выхода изделий с однородными физико-химическими свойствами иэ монокристаллов, имеющих двойниковые дефекты. П р и м е р 1. Распиливают моно кристаллы кремния, удлиненные (выр щенные) вдоль оси ,111),В табл,1 приведены координаты пл скостей сверхструктуры для кристалл кубической симметрии, ориентирован ных в направлении с111а в табл координаты плоскостей сверхструкту(57) Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов длянужд приборостроения и позволяет по"Высить Выход изделий с однороднымиФизико-химическими свойствами из монокристаллов, имеющих двойниковые де-,Фекты, Монокристаллы кубического класса симметрии, содержащие двойники,ориентируют и разрезают по кристаллографическим плоскостям сверхструктуры, занимающим одинаковое положениен матричной и двойниковой частях монокристалла, При резке кристалловкремния, выращенных вдоль направления ( 111 ), выход годных приборовувеличивается иа 30%, 2 табл,для кристаллов кубической симметрии, ориентированных в направлении (110).Значения углов Ч и р отсчитывают-.ся от положения плоскости (011), перперпендикуляр к этой грани соответствует оси Х; осью У является перпенди- фф куляр к плоскости (211) ось Е совпа- фф дает либо с направлением (111)(табл.1) либо с направлением (011)(табл.2),эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал. - лов Криста лы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота у = 90, широта= 1928, боковые стороны раз3 365756 4резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота с= 99 о 28, широтанатами; долгота= 6600,:широта= 6446.ое 90 00 ,ф о р м у л а из о б р е т е н и яАналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло5врезыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты плоскостей сверх- пиливание, о т л и ч а ю щ и й с ястуктуры берут из табл,2. тем, что, с целью повышения выходаП р и м е р 2. Исходный кристалл иэделий с однородными физико-химичесгермания .выращен (удлинен) по оси О кими свойствами из монокристаллов,.(011), Координаты для распиловки нод- имеющих двойниковые дефекты, распибирают из табл,2. Верх и низ заготов- ливание проводят по кристаллографически разрезают по плоскостям (211) с ким плоскостям сверхструктуры, заниокоординатами: долгота 1 = 90 ОО , ши-мающим одинаковое положение в матричОрота54 44, боковые грани раэре" 5 ном монокристалле и двойниковом деэают .по плоскостям (113) с координа- фекте,1 Таблица 1 Координаты плоскостей сверхструктуры длявсех кристаллов кубического класса симметрии. Ориентация матрицы по. (11) Координаты Символы Номер нлос- кости долгота широта Матрица Двойник 1 011 011 00 оОО 2 О 1 011 3 1 11 4 211 211 5 110 110 6 10 1017 121 1211365756 Т а б л и ц а 2 Координаты плоскостей сверхструктурыдля всех кристаллов кубического классасимметрии, Ориентировка матрицы по с 011Номер Символы Координаты Матрица Двойник долгота широта 1 011 2 011 3 111 4 211 5 110 б 101 7 121 8 12 9 113 10 131 11 31 12 31 ООоООф 9000 011 90 00 35 6 5444 60 00 60 00 О 180 ОО 270 оОО 9 ООО54 44 211 125 1625 14154 46 101 73 13 73 13 31 29 31 29 90 00 90 00 64 46 64 46 90 0090 00 12 12 144 4 ч35 16 31 1 5 1464 46340 3219928244"46295 14 1 3 3 13 131 31 4 13 15 311 1631131 31 П р и м е ч а н и е: Знак "-" в символе имеет принципиальное значение для идентификацииконкретной кристаллограФической плоскости: так,форма с тремя одинаковымн индексами 11составлена восемью гранями - 111, 11, 111, 111,в3 Э111, 11, 111, 111, аФорма 112 - двадцатьючетырьмя, т.к может быть24 перестановками индексов и минусов. Формас 123 составлена 48 гранями, т.к. есть 48 .перестановок 123 с минусами.