Устройство для диффузионного легирования
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1588813
Авторы: Ашкинази, Войтович, Золотаревский, Потешкина, Шульга
Текст
(51)5 С 30 В 31/О Л1=,:5.1": САН О 00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Научно-исследовательский ипроектно-технологический институтсистем планирования и управленияэлектротехнической промышленностиПроизводственного объединения "Таллиннский электротехнический заводим. М.И; Калинина"(56) Патент ФРГ2642813,кл. В 01 3 7/34, 1978. Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия, а именно приборов, р-и-переход которых создается методом диффузии, и может быть использовано в полупроводниковой и электронной промышленности.Цель изобретения - повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур,На чертеже изображено устройство продольный разрез.Устройство содержит камерус крышкой 2, внутри которой размещены источники с лигатурой, выполненные в форме двух дисков 3 из графита,(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГОЛЕ ГИРО ВАНИЯ(57) Изобретение относится к техникелегирования методом диффузии полупроводниковых пластин и обеспечивает повышение выхода за счет улучшения качества поверхности получаемыхструктур. Устройство содержит камеру из графита, в нижней и верхнейчастях которой расположены источники с лигатурой, Между источникомустановлен пакет полупроводниковыхпластин. Пластины размещены парами,разделенными графитовыми прокладками. Между пакетом пластин и источниками с лигатурой имеются экраны изкварца, алунда или арсенида галлия.Выхоц годных структур повышен наЗЕ, 1 з.п. Ь-лы, 1 ил. в зазоре между которыми размещена ,лигатура 4. В камере 1 расположены защитные экраны 5, выполненные из кварца, алунда или арсенида галлия. Между экранами 5 размещены попарно полупроводниковые пластины 6 нерабочими стрронами одна к другой, Между каждой парой пластин 6 установлены прокладки 7 из графита. Камера 1 выполнена из графита с плотностью 1,72-2,05 г/Ьм.Устройство работает следующим образом.Собранную камеру размещают в кварцевом реакторе, имеющем нагреватель .и систему подачи и вывода инертного1588813 15 20 ФОрмула изобретения 1, Устройство для диффузионного леГирования, содержащее камеру сСоставитель В, Захаров-Черенкотрова Техред Л.Олийнык едакто Корректор О, Кравцов Заказ 2518 Тираж 344 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета ло изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, ЖРаушская иаб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагари газа (не показан). Легирование проводят путем диффузии легирующего вещества. Для этого камеру 1 нагревают до 600-1000 С. В источниках легирования начинает испаряться лигатура 4 - диффундирующее вещество, которым насыщаются графитовые детали: стенки камеры 1, диски 3 и прокладки 7. Эти элементы конструкции в дальнейшем являются источником диффундирувщего вещества. Экраны 5 из кварца арсенида галлия или алунда препятствуЕт прямому проникновению паров диффуйдирующего вещества к поверхности пластин 6,.Предлагаемое изобретение позволяет повысить на ЗЕ выход годных структур. крышкой, внутри которой размещен паКет полупроводниковых пластин, поторцам которого расположены защитныеэкраны, и источник с лигатурой, установленный на одном конце камеры, о т -л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью повышения выхода за счет улучшения качества поверхности получаемых структур, устройство снабженодополнительным источником, размещенным на другом конце камеры, каждыйисточник выполнен в форме двух дисковиз графита, установленных с зазоромдля размещения лигатуры, пластинырасположены попарно нерабочими сторонами одна к другой, каждая парапластин разделена прокладками изграфита, а камера выполнена из графита с плотностью 1,72-2,05 г/см ,2, Устройство по п,1, о т л и ч аю щ е е с я тем, что экраны выполне. -ны из кварца, арсенида галлия илиалунда,
СмотретьЗаявка
4381857, 07.01.1988
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ СИСТЕМ ПЛАНИРОВАНИЯ И УПРАВЛЕНИЯ В ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ОБЪЕДИНЕНИЯ "ТАЛЛИННСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ЗАВОД ИМ. М. И. КАЛИНИНА"
АШКИНАЗИ ГЕРМАН АНАТОЛЬЕВИЧ, ВОЙТОВИЧ ВИКТОР ЕВГЕНЬЕВИЧ, ЗОЛОТАРЕВСКИЙ ЛЕОНИД ЯКОВЛЕВИЧ, ПОТЕШКИНА МАРИЯ ПАВЛОВНА, ШУЛЬГА МИХАИЛ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 31/00
Метки: диффузионного, легирования
Опубликовано: 30.08.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1588813-ustrojjstvo-dlya-diffuzionnogo-legirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для диффузионного легирования</a>
Предыдущий патент: Подвеска для гальванической обработки деталей
Следующий патент: Прибор для определения опушенности хлопковых семян
Случайный патент: Способ выплавки рельсовой стали