Способ выращивания эпитаксиальных слоев

КГИАЛЬ м т ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ И РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 1(71) Московский институт тонкой химической .технологии(56) Няз.еЬ Т.1. тЬ 1 с 1 пеяя апй яцг- Гасе пог 5 оТору оГ ГаАз Т,РЕ 1 ауегя ргочп Ьу яцрегсоо 11 пр ягер-соо 11 пр ели 1 Ь г жщ соо 11 пя апй гчорЬая е яо 1 пГдоп ГесЬпцея. - Т.СгуяГ.ГгодГЬ, 1974 ф ч. 27, Р 1 ю р. 49-61(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТА НИХ ГПОЕВ(57) Изобретение относится к технолоИзобретение относится к технологии полупроводниковых материалов иможет бить использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методомжидкоФазной эпитаксни,Цель изобретения - сокращение вреени выращивания и повьппение эдЖекивности осаждения.П р и м е р. Исходную шихту".массой 12 г, .содержащую 98,5 мол.й1 п и 1,5 мол,7. 1 пАя, помещают вячейку граФитового контейнера пенального типа. Контейнер имеет наборслайдеров, позволяющих разделятьраствор-расплав на равные порции,Две подложки ТпАя, ориентированныев направлении /111/, располагаютв граФитовом слайдере, Слайдер вставляют в контейнер, который помещают .в горизонтальный кварцевый реактор,(51)5 Г 30 В 19/04, 29/40 гии полупроводниковых материалов иможет быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методомжидкоФазной эпитаксии. Цель изобретения - сокращение времени выращивания и повьпзение эФФективности осажде-,ния. Способ включает приготовление насыщенного раствора-расплава, разделение его на порции, переохлаждениераствора-расплава на 1-15 С и последовательное приведение подложки в контакт с каждой порцией раствора-расплава. Предлагаемый способ по сравнениюс прототипом позволяет не менее чемв 4 раза сократить время выращиванияслоев и более чем в 2 раза повыситьэФФективность осажцения, 2 табл. Реактор герметизируют, продувают очищенным водородом и нагревают до температуры 823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество орцийаствораасплава,шт личина ера- нареохждения створа сплаК выращенного ениятвораплава,Кслоя,мкм,2 ,0 1 5 Табл Количество порций раствора- расплава,Время выра- щиваиия, иии Величина переохлаждения раст"вора-расплава,ы, мол ффекивость лщи мпера"ра на"ыщениястворасплаваК рии лоя,ики пАв 4,/м ф 100, 9 (про".тоти п) 10 11 (прототип) 75 12 75 73 10 73 10 73 1 О 73 10 2 3,2 5 7,7 0 0 98,5 98,5 7,5 3,9 8 ф 0 9,Р 4 2 10 Затем снижают температуру до комнатной, разгружают реактор и определяюттолщину выросшего слоя 1 пАе, котораясоставляет 9 мкм.Толщины и зААективность осажденияслоев, полученных при различных условиях .выращивания, представлены втабл. 1 и 2 соответственно.Эдйективность осаждения определяют 10по соотношениюа/а , 1ОХ,где д- толщина выращенного слоя,мкм;д , - максимально возможная 15расчетная толщина слоя приполном снятии пересыщения,мкм,Как видно из табл,1 и 2, предлагаемый способ по сравнению с прототипом 2 Опозволяет не менее чем в 4 раза сокра 1 тить время выращивания слоев и болеечем в 2 раза повысить эААективностьосаждения.Формула изобретения Способ выращивания зпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, переохлаждение его относительно температуры равновесной кристаллизации на 1-15 С и последующее приведение в контакт с подложкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения времени выращивания и повышения эААективности осаждения, после приготовления раствора-расплава его разделяют на порции и контакт осуществляют последовательно . с каждой порцией раствора-расплава.1599448 Составитель А. ЛихолетовТехред Редактор Л. Веселовская Корректор Н, Королью Г Заказ 3123 Тираж 345 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. ч/5 Ф