Патенты с меткой «криокристаллов»

Номер патента: 1458448

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Кальдер, Кильк, Кинк, Лыхмус, Ниэдрайс

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: криокристаллов

...нижнего тордне криостата выполнены канавки 16,. ца кристалла осуществляется с помо- заполненные металлическим индием. щью средства 1 О охлаждения, через коКриокристаллы получают следующим торое пропускают газообразный или образом. жидкий хладагент из гелиевого сосуВ ампулу 1 впускают через трубку ЗО да (не показан). Для компенсации пе газПроводят охлаждение с помощью реохлаждения проводят нагревателем средства 10 ниже температуры тройной , 11. Контроль температуры для роста точки, что ведет к ожижению газа. Вы- кристалла осуществляется датчиками ращивают криокристалл направленной 14 температур. Наружный кожух криоскристаллизацией путем дальнейшего охтата имеет вывод к каналу вакуумнолаждения. Градиент температуры полу- ультрафиолетового...

Номер патента: 1587080

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Леонтьева, Литвинов, Маринин, Прохоров

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: ампуле, газа, криокристаллов, кристаллизацией, направленной

...существенное влияние оказывает теплообменник в виде цилиндра с открытым дном (фиг.2). Он позволяет откачивать пары жидкого хладагента с части его поверхности. При откачке его из внутреннего объема теплообменника до минимальных температур охлаждается как хладагент, так и ампула 2. При откачке хладагента, находящегося снаружи теплообменника, уменьшением давления охлаждается хладагент. тогда как ампула 2 может находиться при более высоких температурах, что важно как при получении криокристаллов, так и при проведении экспериментов с ними. Если в процессе роста криокристалла давление газа настолько увеличивается, что теплообмен стал слишком большим, его можно понизить откачкой гелия из гелиевого криостата, Если на ампулу 2...