Патенты с меткой «ампуле»
Способ получения криокристаллов направленной кристаллизацией газа в ампуле
Номер патента: 1587080
Опубликовано: 23.08.1990
Авторы: Леонтьева, Литвинов, Маринин, Прохоров
МПК: C30B 11/00, C30B 29/02
Метки: ампуле, газа, криокристаллов, кристаллизацией, направленной
...существенное влияние оказывает теплообменник в виде цилиндра с открытым дном (фиг.2). Он позволяет откачивать пары жидкого хладагента с части его поверхности. При откачке его из внутреннего объема теплообменника до минимальных температур охлаждается как хладагент, так и ампула 2. При откачке хладагента, находящегося снаружи теплообменника, уменьшением давления охлаждается хладагент. тогда как ампула 2 может находиться при более высоких температурах, что важно как при получении криокристаллов, так и при проведении экспериментов с ними. Если в процессе роста криокристалла давление газа настолько увеличивается, что теплообмен стал слишком большим, его можно понизить откачкой гелия из гелиевого криостата, Если на ампулу 2...
Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле
Номер патента: 1061533
Опубликовано: 20.01.1997
Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник
МПК: C30B 35/00
Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава
Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле
Номер патента: 989912
Опубликовано: 27.01.1997
МПК: C30B 11/00
Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...