Гилярова
Устройство для термической обработки полупроводниковых пластин
Номер патента: 1587083
Опубликовано: 23.08.1990
Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин
МПК: C30B 25/02, C30B 33/00
Метки: пластин, полупроводниковых, термической
...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...