Бодячевский

Номер патента: 1282582

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Ассанович, Бодячевский, Ковалева, Лингарт, Симонов, Чередниченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его...

Номер патента: 1366016

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Аввакумова, Бессонова, Бодячевский, Минаев, Севастьянов

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе монокристалла оксида алюминия с добавкой титана, отличающееся тем, что, с целью увеличения энергии генерации, долговечности и радиационной устойчивости, оно имеет следующую структурную формулу:(Al2-x-y Tix) AlgO3-05y,где x = 0,0002 - 0,003;y = 0,0005 - 0,001.

Номер патента: 1771720

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Аввакумова, Агафонова, Бессонова, Бодячевский, Глазко, Заикин, Ивашина, Пивоваров, Попов, Федоров, Фомин

МПК: A61F 2/16

Метки: интраокулярных, линз, монокристалла

...ния хрусталика глаза, Сущ изобретения: в состав лейкосапфира ванадий, кобальт и А 120 з следующих соотношениях компон уз+-8 10 -2,4 10 мас.0(,;СО 2 5 10 мас.%, А 120 з - остальное, а затем к лический материал подвергают унию дозой 10 - 10 Р. 1 ил. Поставленная цель состав материала ввод и А 120 з при следующих понентов: Ч - 80 10 - 23 СО - 50 10 - 1 А 120 з - остальное атем кристалличес двергают у-облучению ен.Введение лишь одного из легирующих ингредиентов не оказывает влияния на спектральное пропускание лейкосапфира.Одновременное же введение легируюз+ щих добавок в количествах меньших Ч чем 8 10 мас,%, Со меньше. чем 5 10 мас, "открывает" кристалл нв длинах волн порядка 200-220 нм.инаф,Большее одновременное введение легирующих...

Номер патента: 1599447

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...

Номер патента: 445462

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кристаллов

...устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный...