C30B 15/20 — управление или регулирование

Номер патента: 132410

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беленова, Малышев

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, печь

...2 кварцевого кожуха 3. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевыйшток 4, Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик, Проникновение сквозь зазор 2 - 3 мг)час летучего компонентакомпенсируется из его запаса, находящегося в холодном конце5 печи.Разогрев тигляб осуществляют при помощи индкционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава, Для уравновешиваниявнутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 прилленена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 - 207 опревышает силу давления паров.Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего...

Номер патента: 212235

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андрианов, Бронштейн, Жвирбл, Кагановский, Максимов, Прокофьев, Сиваков, Синчук, Шендерович, Шубский

МПК: C30B 15/20

...количеству ступеней прог,раммы.Это позволяет получать монокристаллы более правильной геометрической формы.На фиг, 1 изображена печь вытягивания с задающим и программирующим устройствами; на фиг. 2 - задающее устройство; на фиг, 3 - программирующее устройство.Задающее устройство состоит из фиксированных на направляющей 1 колонны 2 печи 3 кулачков 4, число которых соответствует количеству ступеней программы, и подвижного по вертикали переключателя о, устано акаретке 6 привода перемещения шравки 8.После расплавления металла в тигле 9 и затравления переключатель подводят к нижнемукулачку при помощи винта 10; при срабатывании переключателя шаговый искатель 11 программирующего устройства включает первуюступень программного изменения...

Номер патента: 240681

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Дмитриев, Кроль, Кузьмин, Матвеев, Нашельский, Проектный

МПК: C30B 15/20

Метки: наблюдения, нагретыми, телами

...окно из оптического кварца. При,нагреве тел до температур, превы,шающих 500 С, в условиях избыточного давления газа в камере между нагретым телом и окном возникают конвекционные потоки, мешающие наблюдению.Описываемое устройство отличается от известного тем, что оно онабжено, входящей в полость патрубка трубкой, торцы которой закрыты пластинами из оптически прозрачного материала. Полость трубки сообщается с полостью камеры, Коаксиально трубке установлен нагреватель, При таком выполнении устройства устраняется конвекция газа между смотровым окном и нагретым телом и вследствие этого улучшаются условия наблюдения.На чертеже схематически изображена камера высокого давления с описываемым устройством. В камере 1 установлен тигель 2 с...

Номер патента: 899739

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Кременчугский, Лингарт, Скляренко

МПК: C30B 15/20

Метки: температуры

...расположен узкий электрод 7, на не,облучаемой - узкие электроды 8 и 9,У асположенные под углом к электроду 7,исследуемый объект 10, с фронтом 11кристаллизации и точками А и В, излучение от которых падает на пироактивныеучастки образованные электроаами,Устройство работает следующим образом.Излучение от двух точек вблизи фронта кристаллизации с помощью фикусирующей системы 2 проектируется на заземленный облучаемый электрод 7 приемника 3. Снимаемые с необлучаемых электродов 8 и 9 сигналы поступают на сумматор 4 и блок 5 вычитания, а затемна блок 6 умножения, где происходитумножение сигнала на постоянную величину - половинное значение температуры кристаллизации.Сущность способа заключается вследующем,В процессе кристаллизации, осуществляемом...

Номер патента: 968106

Опубликовано: 23.10.1982

Автор: Крамаренко

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизатора, программного, температуры

...цель достигается тем,что задатчик температуры снабжен функциональным кулачком кинематически связанным с регистратором сигнала, при этомразвертка кодируюшего цилиндра представляет собой прямоугольный треугольник.На чертеже представлена схема устройства для программного регулирования температуры кристаллизаторов.,Устройство содержит электродвигатель1, редуктор 2, маску З,.функциональныйкулачок 4, регистратор 5, усилитель 6,реле 7, электродвигатель 8, редуктор .9,муфту 10, контактный термометр 11, ролик 12, рычаг 13 и шкалу 14.Устройство работает следующим обра 40зом.На выходном валу электродвигателя 1находится редуктор 2, имеющий два выходных вала. Один вал вращает полый цилиндр, на поверхостп которого укрепленамаска...

Номер патента: 1125305

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Атаманенко, Богословская, Казимиров, Макеев, Розенталь, Розин, Соболева, Ульянов, Шишкова, Щегляева, Юшкин

МПК: C30B 15/20

Метки: исходного, легирования, монокристаллов, производстве, процессом, сырья

...следующие данные,С устройства 1 индикации данныхвводятся параметры сырья, лигатуры изадается марка кристалла.Посредством устройства 5 межпроцессорной связи передаются величинызамеров удельного сопротивления выращенного монокристалла, полученныес вычислительного комплекса 2,В вычислительном комплексе 2 производятся следующие расчеты.Расчет массы лигатуры на следующую плавку по формулеММ Йр 1- ) Р;3 11253 производится с использованием параметров сырья и лигатуры, а также величины замеров удельных сопротивлений монокристаллов.Обработка величины замеров по 5 удельному сопротивлению монокристалла по разработанному алгоритму: отбраковка недостоверных измерений по удельному сопротивлению; отбраковка по нарушению технологии выращи вания,...

Номер патента: 1442566

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Алимпиев, Матросов, Матросова, Старцев

МПК: C30B 15/20

Метки: индукционных, поддержания, ростовых, температуры, установках

...рабочую температуру цилиндра и атмосФеру, в которой проводится процесс выращивания кристаллов молибден, титан, никель и т.д.). Оптимальныеразмеры цилиндра 12: диаметр 20- 40 мм, высота,40-60 им, толщина стенки 0,3-1,0 мм, обеспечивают необходимую для регулирования ЭДС термопары 9.Керамический стакан 10 может бытьвыполнен из Ы Оэ, МБО, БхО и другихматериалов, выдерживающих рабочиетемпературы цилиндра 12. Размеры ста"кана 10 должны быть таковы, чтобы между стенками цилиндра и стакана 10 образовался зазор 5"О мм.В качестве теплоизолирующего порошка 11 может быть использован любойтеплоизолирующий порошок, выдерживающий рабочую температуру цилиндра 12600-1000 С.В качестве термопары может применяться любая термопара, работающаястабильно...

Номер патента: 1474184

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Аветисян, Аракелян

МПК: C30B 15/20, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, периодической, структурой

...с периодической структурой. Способ реализуетсяпутем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплаваультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлениюкристаллизации, при этом поверхностирастущего кристалла и источникаультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волныобеспечивают движение поверхностирастущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковойрезонатор, причем одной из стенокрезонатора служит поверхность растущего кристалла, По мере ростакристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь,приводит...

Номер патента: 1527331

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Башаров, Лебедев

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом

...фазового перехода репер- ного материала 5, то сигнал логической единицы на выходе элемента 14 задержки с помощью элемента ИЛИ 12 "замораживается" и при поступлении сигчнала логическои единицы с выхода второго элемента 15 задержки на выходмультиплексора 16 проходит сигнал свыхода сумматора 6, который формируется путем сравнения сигнала с задат.чика 9 эталонного сигнала и сигналадатчика 1 температуры в период Фиксации фазового перехода реперного материала 5. Сигнал с выхода мультиплекстора 16 попадает на его первый аналоговый вход и "замораживается".После окончания фазового переходапоказания датчика 1 температуры вновьначинают изменяться, поэтому сигнал на выходе компаратора 1 О вновь падает до уровня логического нуля. При этом...

Номер патента: 1604867

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Васильев, Глазунов, Гуреев, Гусев, Забелышенский, Левандовский, Обрывков

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов

...16 камеры 1 роста и передаетсяв оптическую систему телевизионнойкамеры 9. Изображение кристалла нафронте кристаллизации формируетсяобъективом 12 телевизионной камеры 9в плоскости светочувствительного элемента видикона, где происходит преобразование светового излучения вэлектрический сигнал, который передается на телевизионный приемник 13.В зависимости от параметров выбранного объектива 12, черно-белоеили цветное изображение на экране телевизионного приемника 13 может бытьполучено с различной кратностью увеличения. Регулировка масштаба изображения производится перемещением телевизионной камеры 9 вдоль оптической оси и соответствующей фокусиров-кой объектива 12. Регулировка яркости и контрастности изображения производится...

Номер патента: 1682414

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Казаков, Нечаев, Фалилеев

МПК: C30B 15/20

Метки: диаметра, монокристалла

...подачи логической единицы или нуля на управляющий вход 14. Импульсы блока синхронизации строк поступают на вычитающий вход второго двоичного счетчика 2 и вычитают из него по единице. Когда счетчик 2 обнулится, на выходе схемы ИЛИ 5 появится логический ноль, который поступает на схему НЕ-И 8. Зтот момент времени соответствует строке на экране телевизионного приемника, где установлен маркер, т.е, требуемой точке измерения. На второй вход схемы НЕ-И 8 поступают импульсь 1 от кварцевого генератора 9, а на первый сигнал - от компаратора55 разование длительности импульса срабатывания. Компараторы Т в частоту, т.е.диаметр пропорционален б = бТ. Таким образом, чем выше дисфетизация по частоте; тем с большей точностью задается диаметр...

Номер патента: 1700112

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аверьянов, Атаманенко, Дубинин, Евтодий, Кузьминов, Лейбович, Митин, Середа, Сухарев, Талят-Келпш, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, профилированных, процессом, расплава

...сил, приложенных к затравке растущего кристалла.Кроме того, известный способ автоматического управления технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при вытягивании кристалла трос наматывается на барабан лебедки, т,к. в этом случае для измерения сил поипоженных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.Целью предпа. емого изобретения является улучшение качества регулирования процесса выращивания профилированных кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в способе автоматического управления процессом получения профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры...

Номер патента: 864847

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...обеспечение контроля структурного совераенства растущего кристалла и повыщейие за счет этого выхода крупных кристаллов беэ дефектов.Цель достигается тем, что в устройстве для Выращивания монокристаллов 35 из расплава, содержащем держатель затравки, механизм. перемещения кристалла, пьезоэлектрический преобразователь, соединенный с одной стороны сзатравкой, а с другой стороны с блоком преобразования и измерения импульсов, пьезоэлектрический преобразователь соединен с затравкой или держателем затравки через волновод и.снабжен средством для охлаждения, выполненным в виде радиационных экранов . и холодильника,.и кинематицески связанным с механизмом перемещения кристалла,. Иа чертеже изображена схема устройства.Здесь нагреватель 1, расплав 2,...

Номер патента: 1401937

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...ф 5 время движения катушки вдоль оси тиг" ля ее индуктивность и/или сопротивление непрерывно измеряются связанным с ней блоком 6 измерения электрических параметров. При пересечения катушкой О фронта 11 кристаллизации ее индуктивность и/или сопротивление меняются скачкообразно из"за различия н электропроводности расплава и кристалла, при этом на выходе блока 6 появляет- ;5, ся сигнал, поступающий на второй вход индикатора 7. Этот сигнал Фиксирует в индикаторе 7 текущее значение ко ордииаты катупКи 11 оступинпее с датчика 3 11 оложе 11 ия катушки н качествекоординаты Фронта кристаллизации. Вэтот момент с выхода индикатора напранл 11 ется сигнал на вход блока 5управления приводом катушки, которыйренерсирует привод и нознращает катушку н...

Номер патента: 1358480

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, процесса

...в камеру 3 кристаллизации, включается вращение штока 2 вращения кристалла, реверсируется движение штока 1 перемещения кристалла, при этом начинает расти кристалл 4. Если в процессе выращивания в кристалле возникают структурные дефекты, например скопления дислокаций или трещины, они вызывают в ием акустическую змииссию - меха. нические колебания, которые передаются через затравку 5 пьезоэлектрическому преобразователю б, Сигналы акустической эмиссии, имеющие вид рздиоимпульса, с выхода преобразователя б поступают в предусилитель 7, з оттуда - - нз катушку 8 индуктивности. Преобразователь б, предусилитель 7 н катушка 8 вращаются и перемещаются вместе со штоком 2 возщения кристалла, Сигнал акустической эмиссии, проходящий через...

Номер патента: 820277

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Ефременко, Заславский

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...размера смотрового окна.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что уплотняющие прокладки выпол-.нены из антифрикцион ного материала.Это устройство имеет сложную конструкцию, трудоемко в изготовлении и малопригодно для наблюдения при выращивании кристаллов из расплавов, содержащих летучие компоненты. Во время наблюдения оператор периодически (через 10-30 мин) осматривает всю,поверхность растущего кристалла, Практически одно наблюдение длится в течение одного оборота кристалла 1-5 мин.При выращивании сцинтилляционныхкристаллов, активированных таллием; этого .времени достаточно, чтобы одно из стекол потеряло прозрачность из-за осаждения конденсата. Устройство наблюдения долж. но иметь большое количество стекол, чтобы...

Номер патента: 1116763

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...

Номер патента: 1153588

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Епифанов, Звягинцев, Коневский, Литвинов, Суздаль

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, отжига

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ, содержащее датчик предплавильной температуры, подключенный через программно-временной блок к одному из входов сумматора, к другому входу которого подключена термопара, а выход связан через измерительный и регулирующий блоки с исполнительным блоком, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет более точного поддержания температуры отжига, оно дополнительно содержит блок компенсации переколебаний температуры, входы которого соединены с выходом термопары и вторым выходом программно-временного блока, а выход подключен к одному из входов сумматора.

Номер патента: 1256469

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: вытягивания, кристаллов, расплавов

Устройство для вытягивания кристаллов из расплавов, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель для расплава, теплоизоляция и нагреватель, соединенный с системой электропитания через токоподводы, жестко установленные в поддоне камеры, размещенном на гидродомкратах, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безопасности обслуживания, устройство снабжено поплавковым клапаном, соединенным с гидродомкратом, и емкостями с электропроводящей жидкостью, жестко соединенными с токоподводами, при этом в емкостях установлены пальцы, соединенные с системой электропитания.

Номер патента: 917574

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Степанова, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее герметичную камеру с поддоном, тигель с расплавом, электронагреватель с шинами питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, долговечности работы установки и безопасности ее обслуживания, оно снабжено аварийным датчиком, установленным между тиглем и поддоном, ресивером с датчиком давления и реле, установленным на шинах питания, при этом аварийный датчик соединен с ресивером, а датчик давления подключен к реле.

Номер патента: 1709767

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени ремонтных работ, нижняя часть камеры снабжена сливным патрубком, соединенным с емкостью, установленной вне камеры и имеющей предохранительную мембрану.