Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

ZIP архив

Текст

Изобретение относится к устройствам для получения монокристаллов, преимущественно полупроводников, и моает быть использовано при выращи 5 ванин монокрнсталлов из расплава методом Чохрвльского.Целью изобретения является увеличение срока службы тигля.На фиг.1 изображено предложенное устройство в продольном разрезе, на фиг.2 - тигель.Устройство содераит кварцевый тигельс размещенной внутри него сеткой 2 из углеродного волокндуплотненного пироуглеродом, диаметром нити 0,1-0,4 толщины стенки тигля 1. Тигель 1 установлен на подставке 3, закрепленной на штоке 4. Вокруг тигля 1 располоаен нагреватель 5 и тепловые экраны 6. В верхней части устройства размещен шток 7 с затравкодераателем. На фиг,1 показаны расплав ;8 и вытягиваемый кристалл 9.Тигель 1 мокет быть изготовлен по 25 технологии получения кварцевых тиглей напылением на графитовую болванку " шаблон слоя кварца (толщиной 6 мм для тигля диаметром 270 мм). После напыления слоя кварца толщиной 2 мм на нем размещается арматура в виде сетки иэ углеродного волокна, уплот- , ненного пироуглеродом с диаметром нити толщиной 1 мм. Затем сверху напы- ляется слой кварца, толщиной 3 мм.Устройство работает следуюарам 35 образом.После загрузки тигля 1 кремнием, герметизации и создания вакуума в камере печи электрический ток подают на нагреватель 5, разогревая его до ф рабочей температуры (1600-1750 С). Загрузка (16 кг и более) состоит обычно иэ кусков поликристаллического кремния весом до 2 кг, Плавление загрузки начинается через 30 мин после выхода нагревателя на 1700 С, причем вначале низней ее части. После расплавления загрузки производФт эат" равливание и вытягивание кристалла из расплава.В данном устройстве тигель 1 в процессе работы не меняет своей фор- ию, так как сетка 2, размещенная внутри стенки и дна тигля 1, повышает его механическую прочность. Одновременно за счет теплопроводнос" ти сетки 2 из углеродного волокна существенно уменьшается асимметрия теплового поля.Сниаение асимметрии теплового поля позволяет повысить скорость выращивания бездислокационных монокристаллов на 10 Х эа счет выравнивания температуры на стенке тигля . Срок службы тигля в периодическом процессе повышается с 2 до 3, а в полунепрерывном - с 40 до 60 ч по сравнению г прототипом.Формула и э о б р е т е н и яУстройство для вытягивания крис таллов из расплава на затравку, включающее кварцевый тигель для расплава, подставку и сетку иэ углеродного волокна, уплотненного пироуглеродом, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения срока слуабы тигля, сетка размещена внутри стенок и днаетигля в виде арматуры.1424379 харов-Черенко остави тель Деичи Техред Л.Олийнык Коррек актор Н.Кога акаэ 3 шее ееш шевавеешаевеееавшееаешееаешш Е Е ШШ Ш ШШШШШШШ еа ШШшшшШШ роызводственно-полиграфическое предприятие, г, ужгород, ул, Проектная, 4324ВПИИПИ п 13035, Тираж Госуда елаи и скна,346 Подписноественного коиитета СССРобретений и открытийш 35, Раушская наб., д, 4/

Смотреть

Заявка

4102561, 01.08.1986

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНЫЙ ИНСТИТУТ РЕДКОМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

БОЧКАРЕВ Э. П, БУЛАЕВ А. С, ЗЫКОВА И. В, РАСКУТИНА Л. М, ЛЕОНТЬЕВ Н. Г, ГРАНКОВСКИЙ Э. В

МПК / Метки

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Опубликовано: 15.09.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1424379-ustrojjstvo-dlya-vytyagivaniya-kristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для вытягивания кристаллов из расплава</a>

Похожие патенты