C30B 1/04 — изотермическая рекристаллизация

Номер патента: 116815

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Каленов, Стожаров

МПК: C30B 1/04

Метки: кристаллических, тел

...из соответствующей защитной атры близкой к температуре их ка кристалла. Для изготовления крупных кристаллических тел (изделий) выращивают обычно из соответствующих растворов крупные кри таллы, из которых затем вытачивают изделия требуемой величины,Недостатком такого способа является сложность и длительность выращивания кристаллов, а также значительнь 1 е технологические отходы при обработке их.По предлагаемому способу образованис крупного кристалла осуществляется спеканием мелких кусков кристаллического вещества. Процесс спекания заключается в следующем. Куски спекаемого кристалла полируются так, чтобы образовалась небольшая выпуклость, затем их накладываот друг на друга и нагревают в вакуумной или защитной атмосфере, например,...

Номер патента: 1594220

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Владимиров, Губернаторов, Кетов, Соколов

МПК: C30B 1/04, C30B 29/02

Метки: выращивания, кристаллов, металлических

...и первичнойрекристаллизации.После,проведенных обработок получают заготовку с градиентом движущей. силы вторичной рекристаллизации подлине,На. конце заготовки,. где деформацню определяют равной 40%, устанавливают, что вторичная рекристаллизация при часовой выдержке начинаетсяпри Т 1,940 С, а скорость ростакристаллов при этой температуре равна 9 мм/ч, а на другом конце заготовки при Тк = 1020 С, а скорость .ростакристаллитов 15 мм/ч, По определенньм значениям температур и наименьшей скорости роста кристаллитов вычисляют скорость изменения температуры.При окончательном рекристаллиэационном отжиге Чн 12 .град/ч. Заготовку нагревают до 1020 С со скоростью 12 град/ч. По окончании от"жига фиксируют, что заготовка приобрела...