Способ выращивания профилированных кристаллов

Номер патента: 1673652

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гресь, Ковалева, Смирнов, Сухостат

МПК: C30B 11/00

Метки: ампула, выращивания, кристаллов, расплава

...стенки 3 - 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 - 2 мм и ширину " 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной, равной заявляемой ширине.В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы...

Номер патента: 1798396

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин, Россоленко

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: автоматическом, выращивания, кристаллов, расплава, режиме

...следуюьцие размеры: диаметр - 50 мм, высота - 50 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия, также использовался платиновый конический экран, Расплав находился при температуре 1160 С, В расплав опускали платиновую пластину диаметром 30 мм и толщиной 1 мм на глубину 2 мм от поверхности расплава. Температуру Тп пластины измеряли при помощи Рс-РЯтермопэры. После затравливания и формирования перетяжки выращивание проводили в автоматическом режиме. При этом перемещение пластины при выращивании кристалла осуществляли таким образом, чтобы расстояние между пластиной и поверхностью расплава сохранялось постоянным. Выращивание проводили при скорости вытягивания 5 мм/час и скорости вращения...

Номер патента: 1798395

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава

...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...

Номер патента: 1713971

Опубликовано: 23.02.1992

Автор: Глазистов

МПК: C22C 38/32

Метки: сталь

...после имеет низкий линейный размер критическодействия при 600 С циклических нагрузок го раскрытия трещины, равный 0,289 мм. Лисжатияуровняразгаростойкости.приведен- нейные размеры критического раскрытия ное содержание углерода (0,25-0,29 мас,%) трещины (дс) определяют на шлифованных обеспечивает стали при 600 С высокую 10 до параметра шероховатости В =0,32 мкм твердость, предел текучести при сжатии. образцах малого размера 12 х 12 х 65 мм, вцУказанное содержание кремния(05-0,96 мас.%) резан н ых электроэрозионнцм способом с обеспечивает стали сохранение после дей- поверхности заготовок размером 560 х ствия циклических нагрузок сжатия при х 125 мм, высотой 215 мм, прошедшие закал С уровня разгаростойкости, а также 15 ку(закалка...

Номер патента: 420394

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Боровинска, Итин, Йнов, Найбороденко, Подергин, Самсонов, Сибирский, Ушаков

МПК: B22F 1/00

Метки: порошкообразных

...трубками для ввода и сброса газа, смотровыми окнами из кварцевого стекла и манометром. Внутри бймбы укрспляот Гголставку для заготовки, нагрсвдющсс устройство из молибденовой жести, термонару н электроспираль лля вос 11 гямснснн 11 полжнга юшего состава.В 11 с 1 ЧССВС НО;гжНГс 110 цс 0 СОС 1 двсд НС 11 ОЛЬЗУЮт СМСС . - 31,4 ВЕС. % А 1. Чдвсрпс 1 ЛОМ носилаСНЯ 10 ЦСН СННРД,н СЛ ЖНТ ВОЛ 1 рфРДМО.вая илн молнблсновдя проволока.10 Бомбу продувают аргоном нлн гслнсм и заполняют нмн ло давления 1 - 5 агм,После этого заготовку нагревают до 340"СИ ЗатЕМ ВОСПЛс 1 МСНЯ 1 ОТ НОДжНГа;О 1 ЦНй СОС ГДВ 15 кратковрс 1 енн 1 пмпульсо. тока, по:1 авдемым на электроспираль. Боспламеннвшнйся поджигаюн 1 ин состав возбуждает процесс горения в заготовке.Время...