Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 421356

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, сегнетоэлектриков, шихта

...величина оэффициента при ко едостаточно высок лько окисл пироэлектрического мнатной температур а. Кроме того, крис- интервал температу О Тс,0,.вают, помешаютый тигель, нагреталлы имеют узкийКюри.Цель изобретениэлектрического кс слла я - увеличение пироэффициента при комнатвырашенных кристалтервала значений рав нои температуре в лах и расширение и температу.ры Кюри. исту, сую и 1 мол, 2 О Л И С А Н И Е п 11 42 хззбИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬС 7 ВУ",",0 мол.%), 105,1 г МЬО.(50 мод%)тшательно смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в+ " о индукционной печи до 1450 - оО -, при ксторой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/млн, скорость вытягивания 1,5...

Номер патента: 1529777

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Дмитриев, Зуев, Кащеев, Кийко, Макурин, Перепилицын

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: бериллия, выращивания, монокристаллов, оксида, шихта

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%:Be(OH)2 - 66,7 - 71,5BeСО3 - 28,5 - 33,3и в количестве 16 - 24 мас.% по отношению к растворителю, соотношение компонентов в котором равно, мас.%:V2O5 - 60 - 70PbF2 - 30 - 40

Номер патента: 394094

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Люкшин

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, магний-марганцевых, монокристаллов, ферритов, шихта

...магта: 21,5 МдО, 34,9выращенного по меменьшей из нескольквов шириной линиинанса (Л Н), равной9470 Мгц при комнат и ширину линии фмр, измеренную при комнатнон температуре на частотах 4850 и 9100 Мгт 1 в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам, 5 П р и м е р. Сернокислые соли магния имарганца (да) и железоаммонийные квасцы (ОЧ), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем 10 вновь перемешивают и обжигают при 1250 Св течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/смг. Монокристаллы выращивают на аппарате с использованием двухканальной ки 1 з слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 -...

Номер патента: 1740504

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Абаджян, Готальская, Егоров, Жуков, Кабанович, Мурадян, Рыжков

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов, шихты

...кварца отличается тем, что для обеспечения получения высокопрочных брикетов-кусков, в качестве исходного материала берут аморфный диоксид кремния при влажности 20 - 25%, а обжиг прессованных брикетов осуществляется при 1350-1400 С в шахтных печах в атмосфере водяных пэров в течение 2 ч, после чего брикеты дробят на куски размерами 20 - 35 мм,Установлено, что снижение влажности исходного диоксида кремния способствует уменьшению пористости, а повышение температурыы обжига укорачивает длительность процесса обжига максимум до 4 ч.Предложенный способ подготовки шихты бып испытан в лабораторных и полупромышленных условиях.Способ реализуют следующим образом.Исходный аморфный диоксид кремния с суммарным содержанием микропримесей не более 5...