C30B 19/04 — с растворителем, являющимся компонентом кристаллической композиции

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1774673

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Гоголадзе, Долгинов, Малькова, Мильвидский, Пшеничная, Соловьева

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ In0,53Ga0,47 As / InP методом жидкофазной эпитаксии, включающий отжиг подложки InP сначала при 300 10oС, затем при температуре выше или равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP и выращивание слоя In0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 1 1015 см-3 из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности структуры в спектральном диапазоне 1,85 - 2,1 мкм, выращивание слоя ведут при 710 ...

Номер патента: 1266253

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Билалов, Самудов, Сафаралиев

МПК: C30B 19/04

Метки: слоев, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, отличающийся тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100 1400К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 1137784

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Лозовский, Майстренко

МПК: C30B 19/04, C30B 19/06

Метки: жидкостной, полупроводниковых, селективной, структур, эпитаксии

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника...