826420

О П И С А Н И Е)826420ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоцивлистическикРеспубликОпубликовано 30.04,81. Бюллетень16Дата опубликования описания 05.05,81 ло делам нзоеретеннй и открытий(54) КАНАЛ,ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВИзобретение относится к вычислительной технике и может быть" использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известен канал для продвижения ЦМД, построенный на пластине магнитоодноосного материала с локальным рельефом поверхности, функционирующий в переменном магнитном поле, перпендикулярном плоскости пластины. Изготовление такого канала связано с локальным травлением доменосодержащего материала по размерам порядка диаметра домена, причем глубина травления различных участков канала разная 1.Изготовление таких каналов нетехнологично. Кроме того, для ЦМД малых диаметров ( (2 мкм) такие каналы неприменимы из-за малой толщины доменосодержащего слоя.Наиболее близким техническим, решением к предлагаемому является канал для продвижения ЦМД, содержащий эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, в которой выполнены примыкающие друг к другу не-. имплантированные области. Такой канал про движения функционирует во вращающемся в плоскости материала магнитном поле. Движение ЦМД вызывается перемещением под действием поля в плоскости заряженной стенки, образованной обтекающим неимплантированные области магнитным потоком 2.Недостатком такого канала является необходимость проведения ионной имплантации через маску, что усложняет технологию изготовления канала.Цель изобретения - упрощение и повышение технологичности изготовления канала для продвижения ЦМД.10 Поставленная цель достигается тем, чтов канале для продвижения ЦМД, содержащем эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, на которой расположен магнитный слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосной пленки, в магнитном слое выполнены примыкающие друг к другу отверстия, причем эпитаксиальная магнитоодноосная пленка и магнитный слой могут быть выполнены с различными 20 постоянными кристаллической решетки. На фиг. 1 изображена конструкция кана ла для продвижения ЦМД, на фиг, 2 - принцип действия канала для продвижения ЦМДПредлагаемый канал для продвижения ЦМД содержит выращенную на немагнитной подложке 1 граната эпитаксиальную магнитоодноосную пленку 2 (ось легкой намагниченности параллельна вектору магнитного поля смегцения Й,), на которую на.несен .магнитный слой 3 с плоскостью лег кой намагниченности, перпендикулярной оси легкой намагниченности пленки 2. В слое 3 выполнены отверстия 4, например, в виде смежных дисков (фиг. 1, В пленке 2 при наличии поля смещениямогут существо вать ЦМД 5, намагниченность которых направл на в противоположную сторону от век тора с, направление намагниченности остальной части пленки 2 совпадает с направлением вектора Н, , Канал находится во врйщающемсд магнитном поле Н, перпен-, дикулярном НРабота канала основана на взаимодействии ЦМД с обтекающим отверстия 4 потоком намагниченности слоя 3, Это иллюстрируется для одиночного отверстия на фиг. 2 20 На одиночный ЦМД 5, находящийся вблизи границы между двухСлойной структурой пленок 2 и 3 и однослойной пленкой 2, действуют силы магнитостатического характера + Г, затягивающие ЦМД 5 в сторону участка двухслойной структуры и силы -Ц обменного характера, выталкивающие ЦМД 5 из-под двухслойной структуры (фиг. 2 а), Первые силы + Гвызваны стремлением ЦМД замкнуть свой поток рассеивания наиболее выгодным способом, т. е. через плос- О кость легкой промышленности, а вторые -Г вызваны тем, что на границе раздела двух материалов возникают механические напряжения и, если магнитострикционный эффект имеет знак -, а пленка 2 на границе со слоем 3 растянута, то область доменной границы ЦМД, находящаяся в области механических напряжений, обладает большей энергией по сравнению с областью доменной гра ницы, находящейся в зоне без напряжений, т, е, в однослойной зоне ЦМД, стремясь за нять состояние с наименьшей собственной энер гией, будет .вытал ки ваться этой силой . в область отверстия 4, Механические напряжения возникают при эпитаксиальиомвыращивании пленок в случае, когда постоянные решеток имеют небольшое разли чие. Параметры материалов слоев подбираются таким образом, чтобы Г+ Г = 0 в зоне, когда ЦМД 5 находится на границе отверстия 4. Фиксировать положение ЦМД относительно различных точек отвер.стия возможно с помощью магнитного поля в плоскости пленок, Такое поле вызывает обтекание намагниченностью отверстий 4 в слое 3 с. легкой плоскостью и образует; участки с ргзличной напряженностью (фиг, 2 б), На участках отверстия, ближай 4ших к полюсам, созданным распределением; намагниченности слоя, образуются области: сходящегося и расходящегося магнитных потоков, которые, но аналогии с механизмом продвижения ЦМД в ионоимплантированной структуре можно интерпретировать как образование заряженной стенки, притягивающей ЦМД 5. При повороте вектора Й, область заряженной стенки сместится, вслед за ней смесится ЦМД 5 (фиг. 2 в).Канал работает следующим образом.Пусть в начальный момент времени ЦМД 5 и 5находятся в позициях 1 исоответственно по положению вектора Й, (фиг. За). Гри повороте вектора Ну в положение (фиг. Зб) ЦМД 5 и 5 займут позиции 1 и 11 соответственно, причем для ЦМД 5 "позиции 1 и" совпадают. При дальнейшем вращении вектора Н ЦМД 5 и 5" перейдут в позиции 11 и 111" (фиг. Зв), затем в 1 Ч и Ч (фиг. Зг), и когда. вектор Н вернется в исходное положение, совершйв полный оборот, в позиции Ч и Ч иг. Зд). Позиции 11, 111 и 1 Ч для ЦМД 5 совпадают,. также совпадают позиции 1 Ч и Ч. За один полный оборот ЦМД 5 и 5" соверщают перекод с одного отверстия на соседнее в идентичные позиции, причем ЦМД 5 и 5движутся в противоположные стороны. Цри смене направления вращения вектораЦМД меняют направление движения.Использование предлагаемомго канала для продвижения ЦМД позволит исключить операции ионной имплантации при изготовлении устройств на ЦМД, упростить его конструкцию, что повысит надежность работы ,канала. Сокращение числа технологических операций повысит технологичность изготовления устройств.формула изобретения1. Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменоэ, содержащий эпитаксиальную магнитоодиоосную пленку, на кото рой .расположен магнитныМ слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосиой пленки, отличающийгя тем, что, с целью упрощения и повыше)ния технологичности изготовления канала для продвижения цилиндрических магнитных доменов, в магнитном слое выполнены примыкающие друг к другу отверстия.2. Канал по п, 1, отличающийся тем, что, эпитаксиальная магиитоодноосная пленка и магнитный слой выполнены с различными постоянными кристаллической решетки.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Боярчеиков М. А. и др. Магнитные доменные логические и запоминающие устройства. М., Энергия, 1974;2. Патент США3828329, кл, 340-14, опублик, 19 (прототип).826420 и О льЮ.Р Бойкас Макаренк ецактор Е. Киниваказ 2341/25ВНИИпо113035,Филиал ПП Составит Техред А Тираж 64 И Государственн делам изобрете Москва, Ж - 35, П Патент, г. У го коь ий и аушска ж город,озентальКорректор ЮПодписноеитета СССРоткрытийя наб., д. 4/5ул. Проектная, 4