Способ записи информации в оперативноезапоминающее устройство ha цилиндрическихмагнитных доменах

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социапистическнк Реснубпик(22) Заявлено 170779 (21) 2795990/18-24 с присоединением заявки Нов(23) Приоритет. 6 11 С 7/006 11 С 11/14 Государствеииый комитет СССР по деиам изобретений и открытий, 7 ).-д,(54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ОПЕРАТИВНОЕ" .";:/ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ : ,-,. Ф"(МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ 2 р20 На фиг. 1 показана последовательность операций при записи информации; на фиг. 2 - размещение информации в ячейках памяти ОЗУ; на фиг,25 3 - запись одного или двух ЦМДв ячейку памяти ОЗУ (на примереГ-образной ферромагнитной аппликации,Способ осуществляется следующим30 образом Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Известен способ записи информации в запоминающие устройства (Зу) на ЦМД, основанный Ъа генерации ЦМД в локальном участке магнитоодноосной пленки и их последующей передаче в регистры хранения информации на ферромагнитных аппликациях (1) .Недостатком этого способа являет-. ся малое быстродействие.Наиболее близким техническим решением кданному изобретению явля- ется способ записи информации в ЗУ на ЦМД, основанный на одновременном воздействии на ферромагнитные аппликации, расположенные на магнитоодноосной пленке, магнитным полем смещения и планарным магнитным полем управления 2).Недостатком данного способа записи информации является возможность самопроизвольного зарожденья ЦМД, что усложняет запись информации. Цель изобретения - упрощение способа записи информации в оперативное,ЗУ (ОЗУ) на ЦМД,5Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу записиинформации в ОЗУ, основанному наподаче импульсов тока в ортогональные шины ОЗУ, намагничивают магнито 10одноосную пленку до насыщения магнитным полем смешения, направленным перпендикулярно ее поверхности,прикладывают планарное магнитноеполе и намагничивают до насыщенияферромагнитные аппликации, снижаютмагнитное поле смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если убрать планарное поле 4 (фиг, 1 в), то под аппликацией 2 сохраняется стабильность ЦМД 5.При воздействии описанной после- Щ довательности операций на матрицу ячеек памяти (фиг. 2), в которых пермаллоевые аппликации 2 выполнены Г-образной формы, в перекрестии ортогональных шин ОЗУ 6 и 7, в каждой ячейке памяти возникает ЦМД,Если планарное поле 4 направлено так, как показано на фиг, 3 а, то на обоих концах аппликации 2 возникает одинаковая максимально возможная плотность потока рассеивания, что приводит .к воэможности зарождения двух ЦМД 5, а направление планарного поля 4, показанное на фиг.3 б, в, создает только одно место в аппликации 2, в котором зарождается ЦМЛ. Таким образом, предлагаемый способ позволяет достаточно просто с помощью всего лишь двух источников магнитного поля (например, в виде токопроводящих катушек) записать информацию в ОЭУ, т.е. одновременно зародить ЦМД во всех ячейках матри- ЦЫФормула изобретенияСпособ записи информации в оперативное,запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах, основанный на подаче импульсов тока в ортогональные шины оперативного запоминающего устройства, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа записи информации, намагничивают магнитоодноосную пленку до насыщения магнитным полем смещения, направленным перпендикулярно ее поверхности, прикладывают планарное магнитное поле и намагничивают до насыщения ферромагнитные аппликации, снижают магнитное поле смещения до величины, соответствующей существованию в магнитоодноосной пленке устойчивых цилиндрических магнитных доменов, и снимают планарное магнитное поле.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1.Патент США 9 3591999,кл,340-174,опублик. 1973.2.1 ЕЕЕ Тгапв,Мадп Ч,12; Р 4,1976, р. 346 (прототип),830564 11 Составитель Ю, РозентальТехред Е.Гаврилешко Корректор Н. Сте Циткина Редакт 73 ака илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,Тираж 645 НИИПИ Государств по делам изобре 5, Москва, ЖПодписноенного комитета СССРений и открытийРаущскаи наб., д, 4/5