Патенты с меткой «оперативноезапоминающее»

Номер патента: 809370

Опубликовано: 28.02.1981

Автор: Вайсбурд

МПК: G11C 11/00

Метки: оперативноезапоминающее, резервированное

...схема предложенного устройства.Устройство содержит рабочие 1.1- 1.п и резервный 2 блоки памяти, имекщие адресные, 3 и информационные 4 входы и выходы 5, (и+2)-входовой сумматор б по модулю два и элемент 7 ИЛИ с первым 8 и вторым 9 входами, Адресные 3 и информационные 4 входы и выходы 5 рабочих блоков памяти 1.1- 1.п и адресный вход 3 и выход 5 ре- р зервного блока 2 памяти подключены к одним из входов и выходам устройства. Одни из входов (и+2) - входового сумматора б по модулю два соединены соответственно с выходами 5 рабочих 1.1-1.п и резервного 2 блоков памяти, а другой вход соединен с первым входом 8 элемента 7 ИЛИ и другим входом устройства. Второй вход 9 элемента 7 ИЛИ подклЮчен к выходу (и+2) - входо-. вого сумматора б по...

Номер патента: 830564

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Жучков, Коростелев, Мочалов, Набокин, Шмелева

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменах, записи, информации, оперативноезапоминающее, цилиндрическихмагнитных

...смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если...