Способ получения пленок теллура

Номер патента: 1767049

Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 17670 АНИЕ ИЗС)БРЕТЕНИ ТО МУ СВИДЕТЕЛЬСТ едовательскии Водолазский,Научные основыр, 1964.е зтгцстцге апбгп Ва бобез. //М 3, р.325-330. на фиг,2. нологичеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) 1. Джеман Н. Саул.вакуумной техники, ММи2. РтцегаЫ А,О. ТисоврозЮоп о 1 Те/СбЗ йТЫп ЗоПб РИтз. 1987, 149 Изобретение относится к способам осаждения пленок теллура на полупроводниковые подложки и может быть использовано при изготовлении иэделий электронной техники.Известен способ осаждения пленок теллура путем испарения мишени. Сущность его заключается в том, что молекулы испаряющего вещества осаждают на предварительно обработанную химико-динамическим способом подложку.Недостатком известного способа является наличие неудовлетворительного качества границы раздела пленка - подложка. Это продемонстрировано на фиг.1, где показано электронно-микроскопическое изображение среза: пленка Те - подложка Упыре 2. На химически обработанную поверхность была напылена пленки теллура.Режимы напыления следующие: температура осаждения =180 С; температура испарителя =370 С, Испарение теллура осуществлялось из танталовой лодочки путем резистивного нагрева, Остаточноедавление в вакуумной камере = 8 10 мм рт.ст. Из фиг.1 видно, что на границе раздела существует переходная область 3 (1 -я)з С 30 В 23/02, 29/О(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА(57) Использование; в электронной технике. Сущность изобретения; подложку из селе- нида цинка отжигают в вакууме при 400 - 500 С в течение не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей кристаллической матрицы, затем напыляют пленку теллура.П р и м е р, Наносили пленки теллура на 2 пЗе. Перед напылением подложки ЕпЯе отжигали в вакууме(Р 5 106 мм рт.ст.) в течение = 1 ч при температуре Т =400- 500 С. Пленки Тетолщиной =1 мм напыляли при соблюдении выше изложенных технологических режимов,Результаты представленыВидно, что при проведении техских приемов перед напылением пленок Те, темная полоса на границе раздела исчезает; это существенно повышает ее механические свойства, что подтвердили результаты испытаний на термоудар по схеме 300 К -+ 80 К -ф 300 К,По сравнению с прототипом, техникоэкономический эффект о т предлагаемого изобретения заключается в проведении предварительного стига подложек ЕпЯе при темйературе, способствующей обеднению поверхности атомами Яе и усилению диффузии Те через границу раздела, в результате. чего увеличивается коэффициент сцепления полупроводниковой пленки с поверхностью полупроводниковой подложки, что ведет к увеличению надежности злектронных приборов. Это связано с тем, что после данной обработки отсутствует переходный слой на границе раздела слой - подложка.5Формула изобретения Способ получения пленок теллура путем испарения исходного теллура и осаждения паров на предварительно очищенную 10 и нагретую подложку, выбранную из соединений групп И - И, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения сцепления пленки с подложкой и повышения стойкости пленки к термоудару, в качестве под ложки берут селенид цинка и переднапылением ее отжигают в вакууме при 400 - 500 С не менее 1 ч,

Смотреть

Заявка

4772024, 22.12.1989

ЛЬВОВСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МАТЕРИАЛОВ

КОСОБУЦКИЙ ПЕТР СИДОРОВИЧ, ВОДОЛАЗСКИЙ ПАВЕЛ ВАСИЛЬЕВИЧ, ХАПКО ЗИНОВИЙ АНДРЕЕВИЧ, ГЛЫВА МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: пленок, теллура

Опубликовано: 07.10.1992

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1767049-sposob-polucheniya-plenok-tellura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения пленок теллура</a>

Похожие патенты