C30B 23/00 — Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала

Номер патента: 167836

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C30B 23/00

Метки: 167836

...травят в 25 кипящей царской водке пли смеси азотной и плавиковой кислот для удаления поверхностных загрязнений. Средний размер кристаллов исходного карбида кремния 0,5 в5 л и. Тигель закрывают графитовой крышкой и помещают внутрь нагревателя в таком положении, чтобы температура дна тигля была на 60 - 100 С ниже, чем в верхней его части, а с постепенным ее повышением печь откачивают при вакууме не ниже 10 - з лю рт, ст. (2 - 3 час откачки). Г 1 о достижении 1900 - 1950=С тигель выдерживают в течение 1 час повышение температуры (рабочий) до 2150 С должно занимать не более 15 лин, Прп 2100 - 2250 С процесс продолжается б - 8 час, вакуум 10 4 .ил рт. ст,Кристаллы а - ЫС легко отделяются от 1 З - ЯС. Большинство а - 1 С (по...

Номер патента: 184246

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего...

Номер патента: 180562

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Петров

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: фторидов

...дсодержа щокой упругоды, и потоконечномококачсствпмецим дляг которых1 ессй (в чаединений эт с соед стью и му оста счете к енцых отличае стц ости цх же э Предмет изобретен 15 Способ очпст%Г., отлчп(оНИ 51 ВЫСОКОПСдля выращцгаЛОВ, ВОЗГОЦ 51 ЮТ20 при ВысОки.; тфторцстого вод Зависимое от авт. свидетельствааявлецо 20.111,1965 (М 948218/26-25) Известен способ очистки фторидов, заключающийся в том, что порошкообразные фторцды для удаления гидротированной и адсорбированной влаги выдерживаются в течение длительного времени в потоке сухого фтористого водорода при высокой температуре.Предлагаемый способ очистки дает возмоткность получить более чистые фториды, а следовательно, и более однородные монокристаллы...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...

Номер патента: 253778

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов

...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...

Номер патента: 400139

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Власов, Дистлер, Лобачев, Мельников, Триедина

МПК: C30B 23/00, C30B 7/10

Метки: вноертш, фонд

...ти, хам якро- травках е через СОКОй С частцос чеством ыс ца за рсдмет цзобретец 1 лИзобретение может использоваться прц выращивации моцокристаллов любыми способами, осцовяццыми ца примецециц моцокрцсталлических затравок.Известны способы выращивания моцокристаллов ца затравках, которые це устраняют дефектности используемых моцокристалличе- СКИХ ЗЯ 11 РЯОК.Для получения бездефектцых моцокристяллов с повышенной степенью совершенства рсальцой структуры предлагается затравки предварительно покрывать гряци ппми слоями из материалов, отличных от маеридлов затравок. Для более эффективного теплоотВодя В по ялс роста и испол ьзОВ я и и 51 макси мальцой толщины граничных слоев, обладающих ицформяциоццыми свойствами, в качестве материалов для...

Номер патента: 783374

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Гольцман, Комиссарчик, Кутасов, Смыслов, Соколова, Степанов, Язовцев

МПК: C30B 23/00

Метки: вакууме, пленок

...отверстие б. Надцилиндром 4 в стакане 2,установленакрышка 7 с отверстием по цилиндру8, диаметр которого равен диаметрувыемки. Над крышкой установлена обрабатываемая подложка 9, Для загрузкиисходного материала в цилиндрическойемкости 4 имеется отверстие и шлиф 10.Устройство работает следующим образом.Для получения пленок многокомпонентных разлагающихся соединений стехиометрического состава в выемку 5 перед. испарением помещают материал, по составу смещенный в сторону избытка труднолетучего компонента этих соединений, При испарении такого соединения в первый момент испаряются компоненты соединения в отношении, соответствующем стехиометрическому составу пленок (затем будет испарятся материал, обедненный легколетучими компонентами), Чтобы...

Номер патента: 270076

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Шефталь

МПК: C30B 23/00

Метки: аморфной, монокристаллических, пленок, подложке

...отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку. Это.позволяет получить беэдисло 10 кационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.Получение монокристаллическойпленки описываемым способом осуществляют в два этапа,1 этап. Вещество напыляется на,свежие сколы растворимых кристаллов,например Каб КВг и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяютсяот водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с вода. Сцейление такой пленкисо стеклом достаточно хорошее.11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой...

Номер патента: 1301878

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Дембовский, Илизаров, Подкопаев, Чечеткина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/02

Метки: селена, стеклообразного

...Затем материал нагревают выше температуры плавления и подвергают 20 охлаждению (закалке) в магнитном поле, создаваемом электромагнитом объемом 70 см, напряженностью 470 Э со скоростью 1 град/с до затвердения25 стеклообразного селена, который в процессе закалки подвергают обработке в магнитном поле напряженностью 250-700 Э, составляет 1,5"-2 года (пример 1 Ь,и д ) при отсутствии последующей обработки в процессе эксплуатации и хранения, Т; стекло образного селена, не подвергнутого обработке магнитным полем в процессе 78 2о(ДО 30 С), При этом доля кристалли ческой фазы в затвердевшем стеклообразном селене ниже чем 10 . При охлаждении без магнитной обработки доля кристаллической фазы в стеклообразном селене в указанных условиях составляет...

Номер патента: 1663060

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Рыбкин

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов

...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...

Номер патента: 1670001

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Галкин, Жидовинова, Смирнова, Фришберг, Цымбалист

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: блоков, кадмия, оптических, поликристаллических, халькогенидов, цинка

...селенида цинка, испаряются и уносятся за пределы горячего контейнера, При этом частицы порошка селенида цинка, находящиеся возле стенок контейнера, раньше прогреваются и начинают испаряться, В порошке, состоящем из частиц разного размера, мелкие частицы вследствие большой поверхностной энергии испаряются интенсивнее крупных, Инертный газ подавляет диффузию паров селенида цинка, поэтому пары сепенида цинка диффундируют на небольшие расстояния к более крупным частицам сырья. В результате мелкие частицы испаря 1 огся, а крупные увеличиваются в размерах, Отдельно растущие частицы срастаются друг с другом, образуя сырье с единообразным физическим состоянием, характеризуеглым кубической структурой и кажущейся плотностью 2,5-3,0 г/см. Затем...

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....

Номер патента: 1763526

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нищий

МПК: C30B 23/00, C30B 29/62

Метки: игольчатых, кристаллов

...температуру повышают до 1 200 и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15 С,Способ осуществляют следующим образом. Для получения аэр новую лодочку заклад лического цинка. Прогрев металла, пр для получения аэрозолей чах СУОЛ - 1/2-25 с автома ровкой температурных ре помещается в титановых л печи размещены кварцевь ненные со специальнымЗаказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 для охлаждения полученных испаренныхаэрозолей металлов;В печи металл расплавляютдо 800 С, досостояния "возгонов" (испарения), затем через реометры подают воздушно-аргоннуюсмесь...

Номер патента: 882247

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, монокристаллического

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.

Номер патента: 1774675

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Волочек, Гарибин, Гусев, Демиденко, Дунаев, Захаров, Зубанков, Миронов, Шаников, Ширяев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, газовой, заготовок, контейнер, поликристаллических, фазы

Контейнер для выращивания поликристаллических заготовок из газовой фазы, содержащий камеру испарения, размещенную над ней фильтрующую перегородку, установленную к ней вплотную пластину с отверстием, паропровод и крышку, на внутренней поверхности которой закреплен подложкодержатель, отличающийся тем, что, с целью повышения качества заготовок и уменьшения показателя ослабления в видимой области спектра, отношение площади отверстия в пластине к рабочей площади подложкодержателя в виде сменных вкладышей составляет 0,065-0,400.

Номер патента: 1690429

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/00

Метки: заготовок, кадмия, контейнер, методом, сублимации, халькогенидов, цинка

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации, включающий камеру роста, в которой размещена подложка, и исходный материал, разделенные пористой перегородкой, отличающийся тем, что, с целью получения слоистых структур и снижения испарения подложки, контейнер снабжен втулкой с внутренним выступом, на котором установлена подложка, в выступах выполнены сквозные каналы для подачи паров исходного материала к боковым поверхностям подложки, снабжен экраном из жаропрочного и инертного к получаемой заготовке материала, расположенным на верхнем торце втулки.

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.