C30B 25/08 — реакционные камеры; выбор материалов для них

Номер патента: 146282

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь

МПК: C30B 25/08

Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы

...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...

Номер патента: 802414

Опубликовано: 07.02.1981

Автор: Гриценко

МПК: C30B 25/08

Метки: газом, подложекфотоактивированным

...9. Концентрично системе зеркал 8 в камере 2расположен подложкодержатель 10 с нодложками 11, установленный нв валу 12,соединенном с приводом вращения (не показан).Ввл 12 закреплен в корпусе 13 плиты 1 и имеет отверстие 14 по центрудля вывода газов. Ввод вала 12 герметизирован уплотнением 15.В корпусе 13 выполнен также патрубок 16 и кольцевой канал для подачи вкамеру 2 реакционного газа. Детали устройства, имеющие контакт с реакционнымгазом, могут быть выполнены из реакционностойких материалов, например изфторопласта, нержавеющей стали, Поверхности зеркал 8 и 9 могут быть защищены, например, пленкой фтороргвническогополимера.Устройство работает следующим образом.Реакционный газ, подведенный к устройству, через зазор между кольцом 6и...

Номер патента: 827621

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Иванов, Николайкин, Павлов, Свинцов, Сигалов

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоевиз, фазы

...экс плуатяции и повьцпение надежности работы аппарата.Это достигается тем, что устройство содержит герметичную камеру со средствами подачи и отвода газа, внутри которой коаксиальцо смонтированы последовательно один в другом водоохлаждасмый индуктор, кВар цсВый КО 1 па к и по;ложкодержатель. Средство для отвода газа выполнено в виде осевого сквозного патрубка, црох)- ,ящсго через кварцевый колпак, внутри водоохлаждясмого индуктора и сообщающегося с рабочей полостью камеры.На чертеже показац общий ид устройстВа д;151 Осяждсция слосв из ГсЗОВОЙ фазы,УстрОЙство содержитсрмстггиую камеру 1, срс;ство струйной подачи 2 и отвода ) газов, полый дср)катель 4 подложек 5, внутренний Болэохлаждасмый д ктор б, От;слсниый От полости 7 камс- )ы 1...

Номер патента: 1089181

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Абдурахманов, Кустов, Николайкин, Рогачев, Сигалов, Харченко

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...камеру, полый подложкодержатель, расположенный в камере, индуктор, установленный в защитном колпаке внутри подложкодержателя, теплоизоляционный экран, размещенный у внутренней стенки камеры, и средства ввода и вывода газа, теплоизоля О ционный экран выполнен в виде кольцевойкамеры, соединенной со средствами подачи газообразного теплоносителя и вакуумной откачки и выполненной с внутренней стенкой, имеющей участки конического сужения по высоте подложкодержателя и расшире ния, соединенные между собой под тупымуглом.На чертеже представлено устройство, разрез, общий вид,Устройство имеет реакционную водоохлаждемую металлическую камеру 1 с водяной рубашкой 2, снабженную средствами ввода (показано стрелками) и вывода газов -...

Номер патента: 1663061

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Веселы, Микишка, Слезак

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, затвор, реактора, эпитаксии

...манжетами и уплотнительной кромкой нижнего подшипника, Газораспределительная система выполнена так, что часть чистого газа поступает в пространство манжет штока, а оттуда через центр штока подложкодержателя в реактор, Манжеты штока не соприкасаются с агрессивными материалами, используемыми в процессе эпитаксии, и охлаждаются протекающим газом. Вторая часть газа подводится в зазор между экраном и фланцем и полностью пропаласкивается газом. Экран термоэкранирует фланец и обеспечивает подогрев верхней части подложкодержателя возвратным излучением. Это конструктивное решение позволяет использовать для уплотнения вращающихся валов дешевых и доступных манжет и одновременно препятстует осаждению продуктов реакции надэкраном, которые являются...

Номер патента: 1686044

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Казаринов, Китаев, Конончук

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...мехаил.дисках 12 осуществляют планетарное враще. ние с помощью зацепов 11 относительно подложкодержателя 2 со скоростью 8 об/мин. После окончания процесса осаждения источник излучения отключают, прекращают 5 подачу газовой смеси, реактор 1 продувают инертным газом, давление повышают до атмосферного, После этого производят разгрузку реактора 1,Используют реактор абьемом Ч 1,5 дм 10з с источником ультрафиолетового излучения в виде полого катода. Наружный диаметр катода 75 мм. Внутренний диаметр кольцевого зазора 32 мм, наружный 40 мм. Расстояние между катодом и анодом 25 мм, 15 расстояние между анодом и подложками 20 - 35 мм, Напряжение пробоя 2 кВ, рабочее напряжение 300 В, ток 0,5 А. Температура поверхности подложек 140 С. Рабочее...

Номер патента: 1726572

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Старостин, Турецкий, Чебаненко, Чемересюк

МПК: C30B 25/08, C30B 29/46

Метки: пленок

...10 установлена регулирующая шторка 12 для сужения канала прохождения пара. Путь прохождения газа-носителя в объеме реактора 1 и парогазовой смеси в объеме кассеты 6 на фиг, 1 обозначен стрелками. Кювета 13 с испаряемым соединением установлена на плоскости перегородки 9 у открытого в сторону фланца 3 торца кассеты 6. Подложка 14 расположена над перегородкой 9 в области щели 10. Для дополнительного подогрева подложки 14 до температуры реакции осаждения пленки кассета 6 снабжена нагревателем.15, Подложка 14установлена в обойме 16, связанной через шток 17 с механизмом возвратно-поступательного перемещения. Механизм возвратно-поступательного перемещения (фиг. 2) содержит электрический двигатель 18 с редуктором, Двигатель 18 укреплен на стойке...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1806225

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дерновский, Корнеенков, Криворотов

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: газофазного, методом, нитридов, осаждения, слоев, тугоплавких, химического

...5 и б подают реакционные газы. После охлаждения снимают образец с подложки,1806225 Таблица 1 Содержание примесей мас, Ох 10 (метод 3 СР)" ф Знак - ниже предела чувствительности метода, +"-" - не определялиобр, 1 получен с использованием предлагаемого устройстваПример 1.Для полученияизделийиз пиролитического нитрида бора используют специально подготовленную подложку изграфита МПГдиаметром 10-50 мм и высо-. той 50-120 мм, давление в камере устанавливают 1-20 торр и нагревают подложку до 1750-2000 С с применением ВЧ-нагревателя. Через внутреннюю трубку подают аммиак, (йНз), через внешнюю - хлорид бора (ВСз) и азот (И 2), Скорость осаждения составляет 200,и/ч.В табл, 1 приведены данные по чистоте пиролитического нитрида бора, полученного...

Номер патента: 1380309

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Грищук, Жариков, Колесников

МПК: C30B 25/08

Метки: камеры, продувки

...10, 25Суммарная плоцадь поперечного се-.чения отверстий 5 в крьппке 4 равнаили меньше площади цоперечцого сечения ныходцого отврс:тпя 3 патрубка 1,Расстояние между оверс.тлями 5 и 30между ццми и степкой камеры 6 це более у г 1 оенцого диаметра отверстия 5,11 а чертеже стрелками показано направленце газовых потоков,Устройство работае. следующим об 35разом.В промежутках между технологическими процессами в камеру 6 вставляютустройство. Через патрубокподаютпоток обеспылелцогс газа под избыточиыи дан 1 енцеи.1 е 1 ез пятрубок 7 и камеру 6 та 1 сже пода,от сбеспелецный газ,Стенки камеры 6 нагревают с помощьюнагревателя 10 Поток газа, ныходящп 1 из отверстий 5, обдувает стенкио45камеры цод углом 35-80 что обеспечивает...

Номер патента: 733135

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Ковалев, Федорова

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, пластин, фазе

...камеры.На чертеже показано предлагаемое устоойство.Устройств содержит корпус с вмонтированным нагревателем 1. Внутри нагревателя 1 установлена реакционная камера 2, в которой размещен держатель 3 с обрабатываемыми полупроводниковыми пластинами 4. В реакционной камере 2 имеется зона образования конденсата 5, показанная от пунктирной линии к выходу реактора, и рабочая зона б,Между рабочей зоной б и началом зоны образования конденсата 5 размещена вертикальная перегородка 7 с отверстием по центру, в которое установлен патрубок 8 для отвода газов в виде наклонной трубки.Для отвода продуктов реакции устройство имеет вытяжную вентиляцию 9.Выход реакционной камеры ограничен от внешней среды теплоизолирующим экраном 10.Работа предлагаемого...

Номер патента: 1321136

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Жданов, Огнев, Сафронов

МПК: C30B 25/08

Метки: осаждения, реактор, слоев

РЕАКТОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ, включающий корпус с крышкой, подложкодержатель, средства ввода и вывода реагирующих компонентов газовой фазы, завихритель, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упрощения формы реактора и уменьшения его габаритов, завихритель выполнен в виде съемного цилиндра, установленного в крышке соосно с подложкодержателем и имеющего диаметр не более наибольшего поперечного размера подложкодержателя, а средство вывода выполнено из нескольких патрубков с соплами для раздельной подачи реагирующих компонентов, причем оси сопл наклонены вниз и расположены таким образом, что их проекции на плоскость, проходящую через вертикальную ось...

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...