C30B 29/08 — германий

Номер патента: 160829

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/08, C30B 29/62 ...

Метки: 160829

...Навески исходного германия или кремния и брома помещают в большую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем автпулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 1 О 5 мм рт. ст. и отпаивают. Запаяиную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы снавесками выдерживается при температуре 115 ОС для кремния и 85 О 9 ООС Для германия. Давление паров компот-тента-растворителя при этих температурах составляет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживается притемпературе 8509 ООС для кремния и 60 ОС для германия.В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном коице ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристалтлического осадка, состоящего из многих тиелких втонокрттстадтлов, а затем на этом...

Номер патента: 298165

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Левинзон, Нижегородов, Пеллер, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/00, C30B 29/08

Метки: 298165

...полупроводниковых приборов неизбежное запрязнение монокристаллов лепкодиффундирующими рекомбинационными примесями, например медью.Предлагаемый опособ позволяет уменьшить отрицательное влияние рекомбинационных примесей и структурных дефектов. Для этого монокристаллы германия и-типа (проводимости получают выращиванием из расплава или зонным выравниванием в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении последнего 4 - :6 мм рт, ст, (при общем давлении 760 мм рт. ст.), что обеспечит содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия и-типа проводимости (5 - 7) 10" атом(смз,Такое содержание атомарного кислорода вмонокристаллах германия опособствует нейтрализации вредного влияния лепкодиффундирующих рекомбинационных...

Номер патента: 408509

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Вервыка, Кузнецов, Левинзон

МПК: C30B 25/02, C30B 29/08

Метки: изобретения(ц)408509, хтги

...эпитаксиального слоя толщиной 0,1 - 1 мкм не по зволяет возвитать бугоркам, запечатывая дефекты подложки, и препятствует образованиео микросплавов, возевикающих до начала эпитаксиального роста при взаимодействии с запрязнениями подложки, газов и применяе мых материалов.Пример 1. Способ испытан на опытно- промышленных установках.При испытаниях наракцивают слои толщиной 150 мкм со скоростью 0,7 мкм/мин на 30 германиевых подложках р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,75 ом см, ориентированных в направлении 111 Ц, диаметром 28 мм. Окончательная обработка поверхности подложек - алмазная полировка. Перед наращиванием подложками травят газообразным хлористым водородом.Наращивают:слой толщиной 1,0 мкм при 780 С, а затем...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Номер патента: 1640220

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колесниченко, Кукоз, Лозовский, Тузовская

МПК: C30B 19/06, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: легированных, летучей, примесью, слоев

...равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А....

Номер патента: 1710605

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Воронов, Ганина, Зейналов

МПК: C30B 29/08, C30B 33/10

Метки: выявления, германия, дефектов, монокристаллах, структуры

...диаметром 100 мм,Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.Готовят селективный травитель, го берут 225 мл НЕ (ОСЧ 48%) (4, приливают к ней 225 мл НМОз (О (4,5 об,ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ (4 об,ч.), В полученный раствор за-г П едложенный способ Известный способП е ложенный способ Известный способСоставитель И.ВороновТехред М,Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор В.Данко Заказ 313 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76)...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08, C30B 29/42 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1781331

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гавалешко, Криган, Радевич

МПК: C30B 13/00, C30B 29/08

Метки: германия, зонной, изотопнообогащенного

...возможная длийа этогоучасткастаток обуслбвлен тем, что при "очйстке ма- в каждом конкретном примере реализациилых количеств йещества очень трудноспособа должна быть определена экспериобесйечить малость соотношенйя 1/1,от ко- ментальным йутем из условия, чтобы силыторого зависит эффективность глубокойповерхностного натяжения со стороны расочистки. Поскольку существует предел для 30 плавленной зоны не могли преодолеть силыуменьшения 1, то приходится увеличйвать 1 сцепления неоплавленного участка слитка сза счет уменьшения сеченйя слитка. Зф- поверхностью контейнера. Очевидно, что.фект, обусловленный действием сил"повер- эти силы сцепления зависят от веса неоп.) хностйого натяженйя, не позволяет, лавленного участка, однозначно...

Номер патента: 1253181

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

1. Способ получения кристаллов германия из расплава, включающий введение в расплав основной легирующей примеси и дополнительной легирующей примеси с последующим выращиванием кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности распределения удельного сопротивления в объеме кристаллов и снижения концентрации точечных дефектов в них, в качестве дополнительной примеси берут элементарные свинец, олово, индий или их смеси.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что олово или свинец вводят в количестве 1018 1020 см-3.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении кристаллов германия, содержащих основную легирующую примесь в количестве более 3

Номер патента: 1461046

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Губенко, Постникова

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

Способ получения кристаллов германия выращиванием из расплава, содержащего легирующую примесь и две нейтральные примеси, одной из которых является свинец, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности свойств получаемых кристаллов, в качестве второй нейтральной примеси в расплав вводят кремний и каждую из нейтральных примесей вводят в количестве 3 1018 1 1020 см-3.