Лобызов

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Фильтр

Загрузка...

Номер патента: 1755894

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Лобызов

МПК: B01D 46/54

Метки: фильтр

...с входной и выходной полостями, ным каналами для газа, боковые крышки с которыеразделены вертикальной перегород- опорными выступами и фильтрующие элекой, в полостях между опорными сетками менты, снабжен газопроницаемой вставкой, размещенной между фильтрующими элементами, вкладыш выполнен с кольцевой проточкой, соединенной с входным каналом, при этом вставка установлена под проточкой, а ее ширина превышает ширину проточки,Эта цель достигается также и тем, что вставка выполнена в виде кольца из пористого материала.На фиг. 1 йредстэвлен общий вид фильтра; на фиг, 2 - бЮение А-А нэ фиг. 1.фильтр содержит вкладыш 1 с входным 2 и выходным 3 кайалами, боковые крышки 4 и 5 с опорными выступами 6 и зазором 7. Между ними во вкладыше 1...

Искрообразующее устройство

Загрузка...

Номер патента: 1339257

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Кармазинов, Лобызов

МПК: E21F 9/00

Метки: искрообразующее

...контактного лиска 1 В ко,ьцевоч углублении 2 Внутри ивГеили о слоя горю и го вещества вовь ироисхо;)иг электрический разряд. агее циклы рдГпы искробрдзунего устройства новгорянтся в )оч же порядке Т(жил обр;3.оч, ;)лин 6 рот контдктолерж(леля 4 к 1 ж.1я кон 1(1 ктц)3 я нрОВО.Очка 3 нрОИВО- .)ит оло искрение внутри нылевилшго с,н)я40 электрическая цепь вновь разл 1 ыкается, и далее циклы работы искрообразунццег устройсВз и)тся В том же иорялке фиг. 4 в). Зз счет снабжения искрообрззунццего устройства контактами 5 и 6 увеличивается время замкнутого состояния иснытываелОЙ эг)ектрич(ско)1 1)Они В сле;н)цее число рдз 45(ч (11 глс 3 - время замкнутого состояния испытываемой электрической цени цри исиочьзовзнии искрооб 1)ззчюцьего чстроиствч) с...

Способ бескамерной оценки искробезопасности электрических цепей для взрывоопасных сред

Загрузка...

Номер патента: 1113566

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Кармазинов, Лобызов

МПК: E21F 5/00

Метки: бескамерной, взрывоопасных, искробезопасности, оценки, сред, цепей, электрических

...искрового промежутка,и с учетом потери магнитной энергиицепи в однопробойном разряде,5 10 15 20 25 30 го промежутка, создает наиболее благо приятные условия для бпределения максимальной мощности длительного разряда, а учет потерь магнитной энергии цепи в однопробойном емко. тном разряде позволяет исключить лишний запас невоспламенения.На фиг. 1 показаны предельные искробезопасные режимы энерговыделе" ния в разряде, определенные по предлагаемому способу при трех значениях энергии А однопробойного емкостноого разряда (линия 1 - для Ао = Ао 1 , линия 2 - для Ао = А; линия 3 для А 0 = О; кривая 4 - график зависимостй воспламеняющей энергии разряда от его длительности для данной взрывчатой смеси). Кроме того, приняты...

Устройство для передачи изделий с одного конвейера на другой

Загрузка...

Номер патента: 861230

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Барышев, Иванов, Лобызов, Мягков, Слепнев, Туев

МПК: B65G 47/52

Метки: конвейера, одного, передачи

...форплече рычага 1 смонтированненный в виде ряда параллженных опорных штырей 2плече рычага 1 установлен3. Двуплечий рычаг 1 шарна полуосях 4, смонтирова1 птейнах 8. С двуйлечим рычагом 1 соеди. нен демпфер 6.Двуплечий рычаг 1 смонтирован в месте передачи транспортируемого изделия 7 с подающего конвейера 8 на отводящий конвейер 9. Каждый из конвейеров 8 и 9 выполнен в виде лотка, Опорная поверхность лотка снабжена наклонными в направлении транспортирования деталей отверстиями 10, которые объединены общей камерой А, в которую подается транспортирующий газ. Для схода транспортируемого изделия 7 с рычага 1 на нем выполнена лыска 11,Для фиксации транспортируемого изделия 7 на опорных штырях 2 служит направляющая 12, расположенная на некотором...